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[发明专利]一种制备镍基单晶高温合金的方法-CN201810235105.3在审
发明人： 徐家跃;梁肖肖;田甜 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备镍基单晶高温合金的方法，先将母合金进行前处理，去除表面氧化层，超声清洗，干燥；其次将一定取向的籽晶置于氧化铝坩埚底部，母合金棒放入坩埚；最后将装有母合金的坩埚放于下降炉中，炉内温度设定高于含有镍的母合金熔点50‑100℃，熔融母合金和籽晶顶部，固液界面温度梯度控制在200‑250K/cm，坩埚的下降速度为2cm/h。单晶整个生长过程均在真空条件下进行，真空度应控制在1×10‑3Pa。采用本发明的方法制备的镍基单晶高温合金微观组织形貌为典型的枝晶结构，基本呈现"十"字型规整排列，合金具有较好的高温氧化性能。本发明的工艺设备简单，便于操作，温场稳定。
母合金镍基单晶高温合金坩埚制备籽晶熔点高温氧化性能微观组织形貌温度梯度控制表面氧化层氧化铝坩埚超声清洗工艺设备固液界面母合金棒生长过程温度设定真空条件枝晶结构规整前处理下降炉字型单晶放入炉内取向去除熔融温场合金

[发明专利]一种溴硅酸铅晶体及其制备方法-CN201810106289.3在审
发明人：张彦;向迪;王洪超;徐家跃;罗宽宽;袁军平;李星亮 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种溴硅酸铅晶体，分子式为Pb4[SiO4]Br4，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为β＝92.295(2)°。还提供了上述溴硅酸铅晶体的制备方法，将氧化硅，溴化铅和氧化铅固相合成得到溴硅酸铅多晶料；将溴硅酸铅多晶料采用坩埚下降法在富溴化铅体系中生长，生长参数为：生长炉温设定500～590℃，固液界面温度梯度保持25～50℃/cm，生长速率0.2～0.6mm/h，降温速率10～30℃/h，得到溴硅酸铅晶体。本发明减少溴化铅挥发，极大提高了溴硅酸铅单晶的成品率。
硅酸铅多晶料溴化铅生长制备坩埚下降法单斜晶系固相合成固液界面晶胞参数炉温设定生长参数温度梯度成品率晶体的空间群氧化硅氧化铅挥发单晶富溴

[发明专利]一种铁酸钇粉的制备方法-CN201610143080.5有效
发明人：江国健;段丽;程曼;许丹丹;徐家跃 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开一种燃烧合成铁酸钇粉的制备方法，首先按摩尔比计算，即硝酸钇：硝酸铁=1‑1.5：1‑1.5比例将其溶入去离子水中，得到混合硝酸盐溶液；然后加入还原剂，得到的混合溶液控制温度为200‑600℃下进行燃烧合成反应5‑30分钟，自然冷却至室温，即得铁酸钇粉。该方法适用于离子掺杂的铁酸钇粉的制备。本发明的制备方法所得的铁酸钇粉疏松，易于处理；产物颗粒细小，纯度高；反应快速，效率高，设备、工艺简单。
一种铁酸钇粉制备方法

[发明专利]一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法-CN201711367585.0在审
发明人：余建定;王慧;李勤;汪超越;贺欢;李新芳;徐家跃 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法，所述掺Ta的La2Ti2O7单晶的化学组成为La2Ti2‑xTaxO7，其中0.01≤x≤0.1，优选0.02≤x≤0.08，晶格常数分别为a=7.8109‑7.8220Å，b=13.008‑13.012Å，c=5.5451‑5.5498Å。本发明的La2Ti2‑xTaxO7单晶，有很高的结晶度，单晶具有很高的透过率。
一种浮区法生长掺杂不同浓度 ta la2ti2o7 方法

[发明专利]一种粉末状纳米复合热电材料的制备方法-CN201711130258.3在审
发明人：杜永;李佳;徐家跃 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种粉末状纳米复合热电材料制备方法，称取氧化石墨烯放入去离子水中，超声至液体呈均一透明，然后依次加入酒石酸钠、TeO2、KOH、Bi(NO3)3·5H2O，并搅拌；再向上述溶液中加入KBH4，继续搅拌反应；将搅拌后的溶液转移至水热反应釜中加热，温度为80‑200℃；将反应釜自然冷却至室温后，倒出反应釜中产物后，先用去离子水对产物进行洗涤，至上清液pH呈中性，再用无水乙醇将产物洗涤；将剩下的产物与少量无水乙醇的混合物装入离心管，放入高速离心机中离心；最后真空干燥得到一种粉末状纳米复合热电材料。通过本发明的方法制备的粉末状石墨烯/Bi2Te3纳米复合热电材料在热电材料领域应用广泛。
一种粉末状纳米复合热电材料制备方法

[发明专利]一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体及其制备方法-CN201710373079.6在审
发明人： 徐家跃;温裕贤;田甜;储耀卿;杨波波;张彦 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体，其分子式为(Bi1‑xHox)4Si3O12，x为0.0005~0.05。还提供了上述荧光体的制备方法，称取反应原料，将原料充分混合，在700‑750 ℃预烧结，自然冷却后将原料进行研磨，再在800‑850℃下烧结，得到组分均匀的Ho掺杂硅酸铋多晶粉末烧结料；将合成的烧结料装入底部装有BSO籽晶的铂金坩埚中，再将坩埚装入下降炉中，调整到适当位置使原料处于炉膛高温区充分熔融；待晶体生长结束后，进行原位退火处理，将装有生长晶体的坩埚回升到炉膛内恒温区位置，在800‑900℃温度下退火，即得一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体。通过本发明的方法得到的晶体材料完整性好、质量高。
一种 ho 掺杂硅酸铋绿光荧光及其制备方法

[发明专利]一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法-CN201510328712.0有效
发明人：张灿云;邹军;徐家跃;孔晋芳;王凤超;杨波波;李龙;孙孪鸿 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370‑390oC，ZnO薄膜的厚度为150‑250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。
一种闪烁 zno 薄膜制备方法

[发明专利]一种红色荧光粉及其制备方法-CN201610913892.3在审
发明人： 徐家跃;雷云;田甜;汪美玲;刘文斌;李雨萌 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种红色荧光粉，其化学通式为Sr3Ga2Ge4O14xEu3+，yBi3+，其中x=0.01~0.15，y=0.01~0.07。本发明还公开了上述红色荧光粉的制备方法，即以Sr3Ga2Ge4O14为基质，引入Eu3+作为发光中心，Bi3+作为敏化剂，加入无水乙醇，采用两步烧结工艺，进行高温固相烧结，再经研磨、干燥、过筛即得红色荧光粉。本发明采用Bi3+共掺可以有效敏化Eu3+在基质中的发光性能，合成工艺简单、原料来源广泛、操作方便、重复性好，相较于现有的红色荧光粉(CaSEu2+；Ca1‑xSrxSEu2+等)，具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产。
一种红色荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种CoFe2O4/MTiO3陶瓷及其制备方法-CN201610833503.6在审
发明人：杨文亚;王占勇;王天鹏;倪启校;金鸣林;徐家跃 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoFe2O4/MTiO3陶瓷的制备方法，将硝酸铁和硝酸钴溶解于去离子水中，加入柠檬酸，用氨水调整溶液pH值为5~7，得溶液A；将MTiO3加入到溶液A中，超声振荡，高速磁力搅拌，得到混合MTiO3的CoFe2O4湿凝胶，湿凝胶烘干至形成干凝胶，干凝胶发生自蔓延燃烧，得到MTiO3与CoFe2O4前驱体的混合物；球磨得到混合均匀的MTiO3与CoFe2O4前驱体的混合物，然后放入到马弗炉中预烧；还包括一个造粒，然后过筛，压片成型，放入到马弗炉中进行排胶的步骤；将样品放入微波高温炉内烧结、冷却即得CoFe2O4/MTiO3陶瓷。本发明具有烧结时间短，烧结温度低、合成的晶粒粒度小的优点。
一种 cofe2o4 mtio3 陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种白光LED用Eu³⁺掺杂钼酸盐红粉的制备方法-CN201610573460.2在审
发明人：张彦;李雨萌;王洪超;徐家跃;李杰;夏土良 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：一种白光LED用Eu³⁺掺杂钼酸盐红粉的制备方法，其化学式为Sr₂CaMoO₆:xEu³⁺，0.01≤x≤0.15，按照化学计量比称取原料，将上述原料与助熔剂充分混合均匀，混匀后装入由刚玉制成的双坩埚内，坩埚间填充吸波剂，将坩埚放入微波炉，快速升温至750‑950℃，在氧化环境中进行烧结，保温时间为0.5‑4h；最后经冷却、研磨、洗涤、烘干得到白光LED用红色荧光粉。本发明在微波烧结时加入助熔剂促进了钼酸盐多晶的形成和生长，荧光粉的烧结程度也显著降低、烧结时间显著缩短，粉体松散，无需机械粉碎，而且有效控制了铝酸盐荧光粉颗粒的形貌，获得粒径颗粒较小且分布均匀，外形呈近球形的颗粒。
一种白光 led eu sup 掺杂钼酸红粉制备方法

[发明专利]一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法-CN201610129276.9在审
发明人：田甜;刘文斌;李雨萌;徐家跃;储耀卿;雷云;周鼎;申慧 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法，将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块，选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶，将籽晶装入坩埚底部的种井部位，然后将原料块装入坩埚，使原料块处于炉膛内高温区，炉温控制在1360~1390℃，保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm，保温3~7小时使多晶粉料充分熔融，坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h；待原料全部结晶后，使坩埚处于炉膛恒温区，在1000~1200℃下保温，然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温，取出晶体，即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶。本发明实现了高质量铌酸钾铅单晶的生长，降低了单晶制备难度，极大提高了铌酸钾铅压电单晶的成品率。
一种铌酸钾铅压电制备方法

[发明专利]一种铋层状结构Bi_4+nTi₃Fe_nO_12+3n晶体的制备工艺-CN201510431735.4在审
发明人：赵洪阳;蔡康;黄志登;徐家跃;贾婷婷;木村秀夫 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋层状结构Bi_4+nTi₃Fe_nO_12+3n晶体的制备工艺，它包括以下步骤：1)以高纯Bi₂O₃、Fe₂O₃、TiO₂为原料进行分步烧结得多晶料，将所得多晶料经切割打磨制得原料棒；2)将原料棒进行熔融准备生长，置入铂金丝或籽晶，诱导晶体生长，得所述的Bi_4+nTi₃Fe_nO_12+3n晶体，其中n取1或2。本发明首次采用微浮区法制备Bi_4+nTi₃Fe_nO_12+3n晶体材料，所得材料表现出该系列晶体完美的天然超晶格结构，有利于最大程度地研究该系列晶体材料本征物性尤其是对于多铁性起源的机理性研究。
一种层状结构 bi sub ti fe 12 晶体制备工艺

[发明专利]一种制备硅酸铋粉体的方法-CN201410317866.5有效
发明人：江国健;王晓路;沙丹;徐家跃;申慧;金敏 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：本发明一种制备硅酸铋粉体的方法，包括下列步骤：称取铋盐、硅酸钠、还原剂，所述的铋盐、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~12：1~2：10~30；将硅酸钠溶解在去离子水中获得硅酸钠溶液，所述的硅酸钠溶液的浓度在0.5~2mol/L之间；将还原剂完全溶解在去离子水中，得到还原剂溶液；将铋盐完全溶解在去离子水或硝酸溶液中，再将硅酸钠溶液和还原剂溶液倒入，随后用磁力搅拌器加热至80~100℃，持续搅拌后，将溶液移入预先加热到600~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
一种制备硅酸铋粉体方法

[发明专利]一种制备硅酸钙镁粉体的方法-CN201410318067.X有效
发明人：江国健;谢翠萍;闵丽华;王樱;徐家跃;申慧 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C01B33/24 文献下载
摘要：一种制备硅酸钙镁粉体的方法，属于无机非金属超细粉末制备领域。先称取硝酸钙、硝酸镁、硅酸钠、还原剂，所述的硝酸钙、硝酸镁、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~2：1~2：1~2：6~30；先将硝酸钙、硝酸镁和还原剂完全溶解在去离子水中，再将硅酸钠溶解于水中制成硅酸钠水溶液，将硅酸钠水溶液倒入硝酸钙、硝酸镁和还原剂形成的水溶液中，随后用磁力搅拌器加热至90~100℃，持续搅拌0.3~1小时后，将溶液直接移入预先加热到650~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，发生剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
一种制备硅酸镁粉方法

[发明专利]一种三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉的制备方法-CN201410266855.9有效
发明人：周鼎;徐家跃;王志远;陈杰;杨波波 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C04B35/632 文献下载
摘要：本发明公开了一种三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉的制备方法，即将含有燃烧助剂尿素或甘氨酸的Ce³⁺、Lu³⁺、Al³⁺离子的硝酸盐溶液在60℃温度下，充分搅拌直至形成均匀溶胶，然后将所得溶胶控制温度为200℃保温10min，获得的三元阳离子的前驱粉体经700-1000℃煅烧120min，即得三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉。该制备方法与传统的溶胶凝胶燃烧法需要先制备溶胶再获得凝胶的两步合成法相比，本发明的优势在于采用甘氨酸或尿素等作为燃烧助剂，经一步溶胶反应，在低温下保温燃烧即得三元阳离子Ce:LuAG陶瓷荧光粉。
一种三元阳离子 ce luag 陶瓷荧光粉制备方法