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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310473774.5在审
发明人： 张轩瑞;陈美林 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：基板主体，所述基板主体从中央向外周依次包括元胞区、过渡区和终端区；所述终端区包括分压内环和分压外环，所述分压内环和所述分压外环之间为触发区；所述元胞区中形成有MOS管，所述过渡区中形成有栅极电阻和栅极结构，所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述触发区中形成有TVS管；第一互连金属，使TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；第二互连金属，使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间。本发明与传统TVS器件相比具有更小的单位面积动态电阻，降低了器件箝位系数，提高了器件的静电防护及电流泄放能力。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于重心调控的磁驱动仿蠕虫爬行机器人-CN202310519033.6在审
发明人：寿梦杰;秦武林;李锐;刘阳;杨平安;李瑞雯;张轩瑞;吴德成;黄鑫;周志浩 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B62D57/02 文献下载
摘要：本发明属于仿生机器人技术领域，具体公开了一种基于重心调控的磁驱动仿蠕虫爬行机器人，包括蠕动机构和载货仓，载货仓与蠕动机构连接；蠕动机构包括伸缩囊体、储液囊体和至少两节电磁铁结构；电磁铁结构包括连接管、线圈架、外壳和线圈，连接管为铁质连接管，且相邻两节连接管之间通过伸缩囊体同轴连接；外壳与线圈架形成封闭的空间，连接管位于所述线圈架内且与线圈架同轴设置，线圈缠绕在线圈架上；蠕动机构的首端和尾端均连接有所述储液囊体，且储液囊体与连接管连通，储液囊体内装有磁流变胶。本发明能够有效的解决当前仿蠕虫机器人存在的前行后溜问题，且可自由增加的蠕动关节数量和运动相对独立的载货舱使机器人搭载能力有了较大提升。
一种基于重心调控驱动蠕虫爬行机器人

[发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310580600.9在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为多个串联的二极管，通过调节二极管的工作数量调节TVS管的触发电压；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第二导电类型的基区，形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻，或者栅极电阻由基区构成。
一种 sgt mos 工艺 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]变压器局部放电的模拟装置-CN202310792601.X在审
发明人：李峰;刘灿东;郑纪虎;周欣;苏钟焕;曹成;王鹏飞;李军浩;张轩瑞 -专利权人：特变电工科技投资有限公司;特变电工股份有限公司;西安交通大学;特变电工股份有限公司新疆变压器厂;特变电工衡阳变压器有限公司;特变电工沈阳变压器集团有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种变压器局部放电的模拟装置，包括：电源；第一壳体；模拟探头，可拆卸地设于所述第一壳体的一端部；电缆，所述电缆的一端部与所述模拟探头电连接；所述电缆的另一端部与所述电源电连接；特高频传感器，用于获取所述模拟探头的放电信号；示波器，与所述特高频传感器电连接，用于接收所述特高频传感器发送的所述放电信号。采用本发明，可以通过更换模拟探头实现模拟局部放电类型的灵活转换；能够在变压器内部腔室模拟不同位置、不同放电类型的局部放电。
变压器局部放电模拟装置

[实用新型]一种Trench MOS工艺半导体器件的版图结构-CN202321000359.X有效
发明人： 张轩瑞;陈美林 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Trench MOS工艺半导体器件的版图结构，包括元胞区和终端区，所述终端区设置于所述元胞区的外围，所述元胞区延中心区域凹陷形成触发区，所述元胞区与所述终端区之间设有栅极通道，所述元胞区与所述触发区之间设有栅极电阻区域；所述触发区边缘形成有沟槽，所述沟槽填充有多晶硅，所述触发区内自下而上形成有重掺杂第一导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区；通过形成触发区，在出发区和元胞区的相互作用下，能够降低半导体器件的箝位系数，同时提高半导体器件的静电防护能力、电流泄放能力。
一种 trench mos 工艺半导体器件版图结构

[发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310512024.4在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区和N区横向设置；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第二导电类型的基区，形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻，或者栅极电阻由基区构成。
一种 sgt mos 工艺 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310671352.9在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区；元胞区中形成有第一MOS管，触发区中形成有TVS管；内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；外圈区的基板主体上形成有第二MOS管、第二栅极电阻、第二栅极结构；互连金属，使TVS管的阳极通过第一栅极结构与第一MOS管的栅极相连接；使第一栅极电阻的一端连接于TVS管的阳极和栅极结构，另一端连接于第一MOS管的源极；使第一MOS的漏极连接于TVS管的阴极和第二MOS管的漏极；使第二栅极电阻的一端连接于第二栅极结构和第一MOS的源极，另一端连接于第二MOS管的源极。
一种 ldmos 工艺 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法-CN202310512771.8在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟槽，所述衬底下形成有背面导电层；位于所述终端区中，在两个所述沟槽之间的所述外延上部形成重掺杂的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻设置，相互接触形成PN结，降低了调整触发电压的工艺难度，在相同单位面积内具有更小的动态电阻，极大地降低了器件的箝位系数，提高了器件的静电防护、电流泄放能力及单位面积利用率。
一种单向平面二极管 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310627447.0在审
发明人： 张轩瑞;陈美林 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的异质外延层，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构和互连金属；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS的阴极相连。
一种 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种低成本探测无人机C波段雷达的射频前端-CN202010448893.1有效
发明人：苏涛;张轩瑞;刘江涛;董文杰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01S7/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本探测无人机C波段雷达的射频前端，包括：捷变频收发器、发射链路、接收链路、校正链路和收发天线；捷变频收发器的发射端与发射链路连接；捷变频收发器的接收端与接收链路连接，收发天线通过对应切换开关分别与接收链路和发射链路连接；校正链路包含依次连接的校正通道和校正馈线，校正通道与对应的捷变频收发器连接；校正馈线为设置于收发天线与对应环形器之间的一条微带线。本发明通过将捷变频收发器应用于射频前端，简化了上下变频、数模或模数转换电路的设计，增强了数字设计的灵活性，降低了硬件设计的复杂度，大大减小了设备体积。
一种低成本探测无人机波段雷达射频前端

[发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310627439.6在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在衬底上的异质外延层，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第一导电类型的源区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；其中第二多晶硅位于第一多晶硅的上方；形成在第一多晶硅、第二多晶硅、外延层中的与互连金属相接的第二导电类型的体区；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻。
一种 sgt mos 工艺 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310546860.4在审
发明人： 张轩瑞;陈美林 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成所述TVS管、所述栅极电阻和所述栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连。
一种 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种可调电压的半导体器件及其制造方法-CN202310582174.2在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种可调电压的半导体器件及制造方法，提供一基板，所述基板划分元胞区、终端区，所述元胞区向中心凹陷，凹陷区域定义为触发区，触发区内形成串联的PN结构，在不同的实际应用场景中，通过熔丝技术或短接技术，动态调整TVS结构中的PN结个数，从而在不改变制作工艺的前提下调整半导体器件的触发电压，降低了工艺的复杂度。
一种可调电压半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310547184.2在审
发明人：陈美林;张轩瑞 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中LDMOS工艺TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成TVS管、栅极电阻和栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；栅极结构与MOS管的栅极相连接；互连金属使TVS管的阳极通过栅极结构与MOS管的栅极相连接；使栅极电阻并联于TVS管的阳极与MOS管的源极之间；使MOS的漏极与TVS管的阴极相连；MOS管通过LDMOS工艺制造，互连金属均设置在基板主体的同一侧。
一种 ldmos 工艺 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310602867.3在审
发明人： 张轩瑞;陈美林 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为NPN结构或PNP结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连。
一种 tvs 器件及其制造方法

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