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[发明专利]有机发光显示装置-CN202310244302.2在审
发明人：姜旻求;崔承灿;高永贤;崔义贤;张宰满 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：公开了有机发光显示装置，该有机发光显示装置使用混合型薄膜晶体管。该有机发光显示装置在半导体图案的上边缘中包括相比于无机薄膜具有更高的耐蚀刻性的导电图案，由此能够简化设置有分别包括多个层的混合型薄膜晶体管的阵列的基板的制造工序，并且改进形成在阵列基板上的薄膜晶体管的性能。由于包括氧化物半导体图案的驱动薄膜晶体管被设计成具有增加的s因子值，所以有机发光显示装置能够在低灰度呈现各种不同的灰度图像。
有机发光显示装置

[发明专利]包括不同类型的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法-CN201911298200.9有效
发明人： 张宰满;朴世熙;金大焕;尹弼相 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：包括不同类型的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。一种显示装置包括基板、基板上的像素驱动电路和与像素驱动电路连接的显示单元，其中，像素驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括：基板上的第一栅极；与第一栅极间隔开并与第一栅极的至少一部分交叠的第一有源层；与第一有源层连接的第一源极；以及与第一源极间隔开并与第一有源层连接的第一漏极，并且第二薄膜晶体管包括：基板上的第二有源层；以及与第二有源层间隔开并与第二有源层的至少一部分部分交叠的第二栅极，其中，第一栅极设置在基板和第一有源层之间，第二有源层设置在基板和第二栅极之间，并且第一栅极和第二栅极相对于第二有源层设置在相反的侧。
包括不同类型薄膜晶体管显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置-CN202211312195.4在审
发明人：高永贤;张宰满;崔承燦;姜旻求;崔圣主 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置。所述薄膜晶体管包括：在基板上的有源层；以及与所述有源层至少部分地交叠的第一栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部的第一区域与所述第一连接部接触，所述沟道部的第二区域与所述第二连接部接触，其中所述薄膜晶体管还包括位于所述基板和所述有源层之间的导电材料层，其中所述导电材料层与所述沟道部的第二区域交叠且不与所述沟道部的第一区域交叠，所述导电材料层连接至所述第二连接部。
薄膜晶体管以及包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置-CN202211175974.4在审
发明人：姜旻求;高永贤;崔承燦;张宰满 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置。所述薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：与所述栅极交叠的沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区的每一个从所述第一连接部延伸到所述第二连接部，所述第一沟道区的长度短于所述第二沟道区的长度。
薄膜晶体管以及包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及包含该薄膜晶体管基板的显示装置-CN202210607527.5在审
发明人：高永贤;崔承燦;姜旻求;张宰满 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；在基板上的第一薄膜晶体管；以及在基板上的第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括具有第一沟道部的第一有源层，在第一有源层上的第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层上的第一栅极，连接到第一有源层的第一源极，以及与第一源极间隔开并连接到第一有源层的第一漏极，第二薄膜晶体管包括在基板上的导电材料层，在导电材料层上的第一缓冲层，在第一缓冲层上的具有第二沟道部的第二有源层，在第二有源层上的第二栅极绝缘层，在第二栅极绝缘层上的第二栅极，连接到第二有源层的第二源极，以及与第二源极间隔开并连接到第二有源层的第二漏极，并且导电材料层连接到第二源极并与第二沟道部重叠。此外，提供了一种包括薄膜晶体管基板的显示装置。
薄膜晶体管包含显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置-CN201811352071.2有效
发明人： 张宰满 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置。薄膜晶体管包括在基板上的氧化物半导体层。该氧化物半导体层包括沟道部分、连接至沟道部分的第一端的第一沟道连接部分、以及连接至沟道部分的第二端的第二沟道连接部分。第二沟道连接部分的厚度不同于第一沟道连接部分的厚度。沟道部分的第一端具有与第一沟道连接部分的厚度相同的厚度，沟道部分的第二端具有与第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。
薄膜晶体管用于制造方法以及包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置-CN201811510684.4有效
发明人：卢智龙;张宰满;白朱爀;尹弼相 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基板上的氧化物半导体层；栅极，其与上述氧化物半导体层绝缘，与上述氧化物半导体层重叠至少一部分；源极，其与上述氧化物半导体层连接；以及漏极，其与上述源极隔开，与上述氧化物半导体层连接，其中，上述氧化物半导体层包括上述基板上的第一氧化物半导体层以及上述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，以原子数为基准，上述第一氧化物半导体层包括1至5原子％浓度的氮，上述第二氧化物半导体层具有比上述第一氧化物半导体层低的氮浓度，并且具有越靠近上述栅极越低的氮浓度的梯度。
薄膜晶体管制造方法包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备-CN202011528756.5在审
发明人：玉敬喆;徐廷锡;尹弼相;卢智龙;张宰满;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备，其中，该薄膜晶体管包括：基板上的第一绝缘层；第一绝缘层上的有源层；以及栅极，该栅极与有源层间隔开并且被配置为具有与有源层交叠的至少一部分，其中，有源层具有氧化物半导体材料的单晶结构，并且第一绝缘层的接触有源层的上表面是由氧(O)制成的氧(O)层。
薄膜晶体管制造方法以及包括显示设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备-CN202011491434.8在审
发明人： 张宰满;徐廷锡;尹弼相;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管包括：形成在基板上的半导体；形成在半导体上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅极电极；形成在基板上的第一绝缘膜；第一导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的一侧；和第二导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的另一侧，其中在半导体与第一导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第一部分，并且在半导体与第二导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第二部分。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、包括薄膜晶体管的显示设备-CN202011551240.2在审
发明人： 张宰满;尹弼相;卢智龙;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示装置和用于制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管，包括：有源层；以及栅电极，栅电极与有源层间隔开并且被构造成具有与有源层交叠的至少一部分，其中，有源层包括：硅半导体层；以及与硅半导体层接触的氧化物半导体层，其中，硅半导体层的至少一部分和氧化物半导体层的至少一部分与栅电极交叠。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示设备

[发明专利]薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的显示面板和显示设备-CN202011501101.9在审
发明人：赵寅晫;卢智龙;张宰满;尹弼相;全济勇 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的显示面板和显示设备。该薄膜晶体管包括：基板上的缓冲层；缓冲层上的半导体层，半导体层包括沟道区域、第一导体部分和第二导体部分；半导体层上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅极电极；和与第二导体部分重叠的辅助电极，其中第一导体部分从沟道区域的一侧延伸并且成为源极区域，第二导体部分从沟道区域的另一侧延伸并且成为漏极区域。
薄膜晶体管使用显示面板设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法与包括薄膜晶体管的显示装置-CN201911248454.X在审
发明人： 张宰满;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管及其制造方法与包括薄膜晶体管的显示装置。一种薄膜晶体管包括：有源层，该有源层位于基板上；栅极，该栅极被配置为与所述有源层间隔开并且与所述有源层局部交叠；以及栅极绝缘层，该栅极绝缘层的至少一部分被设置在所述有源层和所述栅极之间，其中，所述栅极绝缘层包括：第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间；以及第二栅极绝缘层，该第二栅极绝缘层被配置为具有与所述第一栅极绝缘层的介电常数不同的介电常数(k)，并且被设置在与所述第一栅极绝缘层相同的层中，并且其中，所述第二栅极绝缘层的至少一部分被设置在所述有源层和所述栅极之间。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示装置

[发明专利]显示装置-CN201910977502.2在审
发明人：金炳厚;金珉朱;洪银杓;李宰源;朴相勋;元晌奕;张宰满;金成真;张在亨 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：公开了一种显示装置，其能够通过简化的工艺制造并具有提高的触摸灵敏度。该显示装置包括：设置在发光元件上的封装单元；设置在封装单元上的触摸传感器；以及设置在封装单元与触摸传感器之间的中间层。中间层包括比设置在中间层上方或下方的有机膜具有更低的介电常数的第一中间层以及比第一中间层具有更高的硬度的第二中间层，由此提高了触摸灵敏度，同时简化了工艺。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201910729249.9在审
发明人：元晌奕;金珉朱;李宰源;朴相勋;金炳厚;李智慧;张宰满;金成眞;张在亨 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于防止裂纹扩散到有源区域AA的显示装置。该显示装置包括有源区域和非有源区域，所述非有源区域具有弯曲区域，所述显示装置包括：基板；在所述有源区域中设置在所述基板上的驱动晶体管；在所述有源区域中设置在所述基板上并连接到所述驱动晶体管的发光元件；设置在所述发光元件上的封装层；设置在所述封装层上的触摸传感器；设置在所述非有源区域中的触摸焊盘；经由所述弯曲区域中的第二路由线将所述触摸传感器连接到所述触摸焊盘的第一路由线；以及设置在所述弯曲区域中的所述第二路由线上的防裂层。因此，所述防裂层能够防止在弯曲区域BA中出现裂纹，从而防止裂纹扩散到有源区域AA。
显示装置

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