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[发明专利]一种光学玻璃激光切割加工装置-CN202310735888.2在审
发明人：蔡沐之;袁红侠;张卜天 -专利权人：江苏东方硕华光学材料有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C03B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学玻璃切割技术领域，具体提出了一种光学玻璃激光切割加工装置，包括：基座与承接架，承接架的顶部设置有对光学玻璃进行固定的稳固机构，基座上设置有对光学玻璃进行切割的切割机构。本发明通过稳固机构中的端压板与卡压板配合实现对光学玻璃的多点固定，防止切掉之后的光学玻璃散开掉落在激光切割头的下侧再次受到切割，影响切割出的三棱镜质量，并且卡压板对切割光学玻璃进行固定，还可以防止即将切掉的光学玻璃产生晃动，导致光学玻璃切割分离的部分在重力作用下向下垂落，造成光学玻璃未切割的边角处出现绷断或开裂的问题，提高了光学玻璃的切割精准度。
一种光学玻璃激光切割加工装置

[发明专利]一种用于物体剩磁测量和快速退磁的装置-CN202310503220.5在审
发明人：俞远阳;霍彦聪;张卜天;王顺;周泽兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于物体剩磁测量和快速退磁的装置，包括：平面单摆运动机构，包括用多根长度相同且可调的摆线构成的锥形结构，在首次进行剩磁测量前，确定磁力仪处于最佳测量信噪比时的摆线长度；磁场发生机构，用于在样品剩磁不满足指标要求时，产生样品退磁所需要的磁场；磁场测量机构，包括高斯计和磁力仪，用于实时测量施加给待测样品的退磁磁场，同时在退磁操作开始前和结束后，实时测量其最佳测量信噪比时样品剩磁所产生的磁场，从而计算样品剩磁；位置姿态调节机构，用于调节退磁线圈的方向。本发明将剩磁测量和退磁集成在同一套装置内，集成度高，同时还能有效提高剩磁测量准确度，具有操作方便、退磁所需时间短的优点。
一种用于物体剩磁测量快速退磁装置

[发明专利]一种基于磁感应强度测量物体磁化率的装置及其测量方法-CN202211447737.9在审
发明人：俞远阳;张卜天;霍彦聪;尹航;潘东华;王顺;周泽兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01R33/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁感应强度测量物体磁化率的装置及其测量方法，该装置包括：磁场机构，包括磁场调制线圈、背景磁场补偿线圈和梯度磁场补偿线圈，其中，磁场调制线圈用于给待测物体施加磁场，使其产生感应磁矩；背景磁场补偿线圈用于降低测量点的背景磁场和背景噪声，使磁场测量机构工作在量程以内并提高测量信噪比；梯度磁场补偿线圈用于补偿磁力计测量点处的梯度磁场，使磁场测量点的背景磁场梯度降低。位移机构，用于改变线圈的间距，并用于调节磁力计的空间位置，将其移动到背景磁场为“零”的区域，从而实现感应磁场的测量，进而实现待测物体磁化率的测量。本发明具有测量简单方便、测量过程快、对物体的磁化影响小的特点。
一种基于感应强度测量物体磁化率装置及其测量方法

[发明专利]一种靶向肿瘤相关巨噬细胞的光磁双模态纳米粒子的制备方法及其应用-CN202211131148.X在审
发明人： 张卜天;苗莹莹;崔璐;柳林;王爽;祖莅惠;代一猛;姜雨晴 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A61K49/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶向肿瘤相关巨噬细胞的光磁双模态纳米粒子的制备方法及其应用，包括下列步骤：1)碳化聚合物点制备，2)油酸包覆四氧化三铁，3)二硬脂酰基磷脂酰乙醇胺‑聚乙二醇‑D甘露糖包覆碳化聚合物点与四氧化三铁，本发明的纳米粒子不仅具有光磁双模态成像功能，而且可以有效的靶向肿瘤相关巨噬细胞(TAMs)，对TAMs进行转极化，对处于免疫抑制状态的肿瘤微环境进行活化，从自身免疫方向对结直肠癌疾病进行治疗。
一种靶向肿瘤相关巨噬细胞双模纳米粒子制备方法及其应用

[发明专利]基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及其制备方法-CN201811503769.X有效
发明人：张有为;邓嘉男;马衎衎;张卜天;陈巧;王顺 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及制备方法，该气体传感器以二维过渡金属硫化物TMDCs作为气体敏感层，绝缘体上半导体薄膜SFOI作为导电沟道；TMDCs与SFOI接触后，由于彼此间费米能级差异，电子从高费米能级一侧转移至低费米能级一侧，从而在异质结两侧产生空间电荷区，形成p‑n结；当待测气体分子吸附于TMDCs表面并与TMDCs之间发生电荷转移后，TMDCs内的载流子浓度发生变化，引起p‑n结势垒改变，导致SFOI中的空间电荷区宽度改变，最终导电沟道电阻改变从而对待测气体进行传感。本发明将气体敏感层同导电沟道分开，利用二维TMDCs对吸附气体分子的高灵敏度与成熟的传统半导体器件工艺，有助于实现高灵敏度，高可靠性，可直接集成在半导体芯片上的气体探测器。
基于 tmdcs sfoi 异质结气体传感器及其制备方法

[发明专利]基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备-CN201811504811.X有效
发明人：张有为;马衎衎;张卜天;陈巧;王顺 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备，该气体传感器包括被图形化为相连的导电沟道与天线结构两个部分的二维过渡金属硫化物TMDCs薄膜，在导电沟道表面覆盖有钝化层；天线结构用于吸附待测气体作为气体敏感层；当待测气体分子吸附于天线结构的表面并发生电荷转移后，天线结构内的载流子浓度发生变化，形成浓度梯度，引发载流子的扩散，使得导电沟道内的载流子浓度变化，最终导致导电沟道电阻的改变，从而实现该气体传感器对待测气体的传感。本发明通过将气体敏感层与导电沟道在传感器结构上区分为两个部分，不仅有利于增加传感器的稳定性，而且可以利用天线结构的增益效应提高气体传感器的灵敏度。
基于天线结构二维过渡金属硫化物气体传感器制备

[发明专利]T1/T2双弛豫铂‑氧化铁‑金纳米颗粒及制备方法-CN201710605059.7在审
发明人：刘桂锋;张卜天;柳林;陈琰;于绍南;苗莹莹;李学锋;代一猛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： A61K49/18 文献下载
摘要：本发明公开一种T1/T2双弛豫铂‑氧化铁‑金纳米颗粒制备方法，利用靶向CXCR4的多肽修饰T1/T2双弛豫铂‑氧化铁‑金耦合纳米颗粒，本发明所制备的Pt‑Fe3O4‑Au纳米粒子通过控制油酸与五羰基铁的摩尔比，可以实现同分异构体的定向合成，能够提高纳米粒子双哑铃结构的稳定性，并实现稳定的T1／T2双增强模态，在此基础上制备的CXCR4‑Pt‑Fe3O4‑Au异三聚体纳米粒子具有优秀的磁学性能，良好的生物相容性及对三阴性乳腺癌的高靶向性，为早期诊断三阴性乳腺癌提供了新的手段，可用于制备三阴性乳腺癌靶向造影剂。
t1 t2 双弛豫铂氧化铁纳米颗粒制备方法

[发明专利]一锅法制备多肽修饰超顺磁性氧化铁纳米粒子聚集体方法-CN201410290009.0有效
发明人：张惠茅;张卜天;庄家琪;杨文胜;王艳晶;张春雨;付宇 -专利权人：吉林大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： A61K49/14 文献下载
摘要：本发明公开一种一锅法制备多肽修饰超顺磁性氧化铁纳米粒子聚集体方法，通过一锅法制备多肽修饰的超顺磁性氧化铁纳米粒子聚集体过程中，磁性纳米粒子聚集体尺寸可调；磁性纳米粒子聚集体表面可一步修饰生物活性基团；制备方法操作简单，效率高，成本低，使用安全。解决了常规制备过程中修饰方法复杂，胶体稳定性较差等问题。
一锅法制多肽修饰顺磁性氧化铁纳米粒子聚集体方法

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