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- [实用新型]LED显示模组-CN201520717639.1有效
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戴忠伟;茅俊虎
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2015-09-16
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2016-02-10
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H05B37/02
- 本实用新型公开了一种LED显示模组,包括M个LED组,每个LED组均包括N个LED,所述LED显示模组还包括M个公共输入端以及N-M+1个控制端;在第K个LED组中,N个LED的同一电极均与第K个公共输入端电连接,N-M+1个LED的另一电极与N-M+1个控制端分别一一对应的电连接,剩余M-1个LED的另一电极与除所述第K个公共输入端之外的剩余M-1个公共输入端分别一一对应的电连接;其中,M、N、K均为正整数,且M≥2,N≥3,N>M,1≤K≤M。本实用新型利用公共输入端的引脚来实现对LED显示模组的扩容,提供了一种新型的、扩容后的LED显示模组。
- led显示模组
- [实用新型]MEMS加速度传感器的隔离硅墙-CN201420384106.1有效
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戴忠伟
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2014-07-11
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2014-12-10
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G01P15/125
- 本实用新型公开了一种MEMS加速度传感器的隔离硅墙,其中MEMS单轴加速度传感器的隔离硅墙位于该MEMS单轴加速度传感器的硅盖帽与硅基板键合形成的腔体的内部且形成于硅基板上,该隔离硅墙的形状为一矩形框,该隔离硅墙的墙体垂直于该硅基板,该隔离硅墙的内侧套设有该MEMS单轴加速度传感器的检测质量块,该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米,该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度为9微米至13微米,该墙体高于该硅基板2微米至3微米。本实用新型弥补了在加工加速度传感器的过程中可动敏感结构容易被其它工序使用的腐蚀液腐蚀和受外力挤压而变形的不足,起到了保护作用。
- mems加速度传感器隔离
- [实用新型]MEMS加速度传感器的硅盖帽结构-CN201420353178.X有效
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戴忠伟
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2014-06-27
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2014-12-10
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G01P1/00
- 本实用新型公开了一种MEMS加速度传感器的硅盖帽结构。所述硅盖帽结构包括一顶部、一与所述顶部相垂直的垂直支撑部,所述顶部与所述垂直支撑部构成一用于容置MEMS元器件的半封闭腔体,在所述半封闭腔体的开口端且在所述垂直支撑部的底面上设有一沿所述底面的周向向内和向外延伸的扩展接触部,所述扩展接触部与所述垂直支撑部构成一半工字形的结构。本实用新型的硅盖帽增大了硅盖帽与金属合金的接触面积,从而增大了键合面积,进一步增强了键合强度;对于硅盖帽与金属合金接触部分,本实用新型采用了半工字的硅盖帽垂直支撑脚结构,提高了其机械强度,从而使本实用新型既能满足机械强度的要求又能满足键合强度要求。
- mems加速度传感器盖帽结构
- [发明专利]恒定电流源-CN201210076513.1无效
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戴忠伟
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2012-03-21
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2013-09-25
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G05F1/56
- 本发明公开了一种恒定电流源,包括一第一电流镜,其中所述第一电流镜包括一电流输入端、一第一电流输出端和一第二电流输出端;其中所述恒定电流源还包括一电流维持单元;在所述电流维持单元中,一第一晶体管和一第三晶体管的导电通路依次串接于所述第一电流输出端和一第一参考电势端子之间,一第二晶体管和一第四晶体管的导电通路依次串接于所述第二电流输出端和所述第一参考电势端子之间;所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极与所述第一电流输出端电连接,所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极与所述第二电流输出端电连接;所述第二晶体管的漏极还与一外部负载电连接。本发明使得恒定电流源输出的电流不在受到负载的阻值的影响。
- 恒定电流
- [发明专利]音频切换开关装置-CN201210019977.9有效
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戴忠伟;虞志雄
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2012-01-21
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2013-07-24
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H03K17/72
- 本发明公开了一种音频切换开关装置,包括一NMOS管、一输入端和一输出端,所述输入端和输出端分别电连接所述NMOS管的源极和漏极;一处理单元,用于根据用户输入的一开关控制指令通过所述NMOS管的栅极控制所述NMOS管的导通或截止;一电压比较单元,用于将所述输入端的电压与一截止电压比较、并当所述输入端的电压小于所述截止电压时,输出所述输入端的电压至所述处理单元,否则输出所述截止电压至所述处理单元。本发明通过利用电压比较的方式,在输入端的输入电压为负电压时,将输入端的负电压设为NMOS管的栅极电压,从而始终能够关断NMOS管。
- 音频切换开关装置
- [实用新型]恒定电流源-CN201220108967.8有效
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戴忠伟
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2012-03-21
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2012-10-24
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G05F1/56
- 本实用新型公开了一种恒定电流源,包括一第一电流镜,其中所述第一电流镜包括一电流输入端、一第一电流输出端和一第二电流输出端;其中所述恒定电流源还包括一电流维持单元;在所述电流维持单元中,一第一晶体管和一第三晶体管的导电通路依次串接于所述第一电流输出端和一第一参考电势端子之间,一第二晶体管和一第四晶体管的导电通路依次串接于所述第二电流输出端和所述第一参考电势端子之间;所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极与所述第一电流输出端电连接,所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极与所述第二电流输出端电连接;所述第二晶体管的漏极还与一外部负载电连接。本实用新型使得恒定电流源输出的电流不在受到负载的阻值的影响。
- 恒定电流
- [实用新型]音频切换开关装置-CN201220028379.3有效
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戴忠伟;虞志雄
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2012-01-21
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2012-09-26
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H03K17/72
- 本实用新型公开了一种音频切换开关装置,包括一NMOS管、一输入端和一输出端,所述输入端和输出端分别电连接所述NMOS管的源极和漏极;一处理单元,用于根据用户输入的一开关控制指令通过所述NMOS管的栅极控制所述NMOS管的导通或截止;一电压比较单元,用于将所述输入端的电压与一截止电压比较、并当所述输入端的电压小于所述截止电压时,输出所述输入端的电压至所述处理单元,否则输出所述截止电压至所述处理单元。本实用新型通过利用电压比较的方式,在输入端的输入电压为负电压时,将输入端的负电压设为NMOS管的栅极电压,从而始终能够关断NMOS管。
- 音频切换开关装置
- [发明专利]用双向可控硅控制MCH发热体的电路-CN200910194722.4有效
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戴忠伟;徐琦
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2009-08-28
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2011-04-06
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H05B1/02
- 本发明涉及一种用双向可控硅控制MCH发热体的电路,包括:直流供电电路、控制电路以及交流电;还包括:一个桥堆;所述桥堆的输入二端与交流电输出二端相连;一个发热体和双向可控硅串接后在交流电的二端;直流供电电路的一端与桥堆的一个输出端相连,直流供电电路的另一端与控制电路VDD端相连,控制电路GND端与桥堆的另一个输出端相连;在控制电路第一输出端和双向可控硅的触发端之间还包括一个第一开关;采样电阻和一个第二开关串接后一端连在双向可控硅和发热体连接点,而另一端连在控制电路第二输出端;第二开关和采样电阻连接端和控制电路输入端相连;本发明的有益效果是:过全波加热才能在不减小电阻值的前提下增加功率。
- 双向可控硅控制mch发热电路
- [发明专利]改变上升时间的两个不通电源之间的双向传输接口电路-CN200910047873.7无效
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戴忠伟;张远斌
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广芯电子技术(上海)有限公司
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2009-03-20
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2010-09-22
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H03K19/017
- 本发明提供了一种改变上升时间的两个不同电源之间的双向传输接口电路,连接VCC1的R1和连接VCC2的R2;R1的另一端连接NMOS管的源极,NMOS管的栅极与VCC1和VCC2中的较低者相连,NMOS管的漏极与R2另一端相连;还包括:第一PMOS管和第二PMOS管;第一PMOS管和第二PMOS管分别与R1和R2并接;第一PMOS管和第二PMOS管的源极分别与VCC1和VCC2相连,第一PMOS管和第二PMOS管的栅极分别与第一one shot和第二one shot的输出端相连;第一one shot和第二oneshot的输入端分别与第一比较器和第二比较器的输出端相连;第一比较器和第二比较器的反相输入端分别与第一PMOS管和第二PMOS管的漏极相连,正相输入端与基准电压相连;本发明的有益效果是:利用较低的成本,使电路传输时上升时间缩短。
- 改变上升时间两个不通电源之间双向传输接口电路
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