专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]纯甲酸供酸焊接系统-CN201910993699.9有效
  • 叶国良;彭荣贵;陈瑜涛;黄文鼎;黄正尚 - 广化科技股份有限公司
  • 2019-10-18 - 2022-05-27 - B23K3/08
  • 本发明公开一种纯甲酸供酸装置、纯甲酸供酸焊接系统及纯甲酸供酸方法,纯甲酸供酸装置包含一容纳槽、一液态管路、一加热组件及至少一气态管路。液态管路连接容纳槽且连通于容纳槽的内部空间。加热组件连接于容纳槽的底座。气态管路连接容纳槽且连通于内部空间。借由液态管路将液态甲酸通入容纳槽封闭的内部空间中,并以加热组件加热容纳槽的底座间接加热液态甲酸使其蒸发,借此可利用气态管路将纯甲酸的气体输出。借由供给纯甲酸气体,能提高甲酸气体的分压,且能使甲酸的反应活性提高。因此,本发明能大幅缩短焊接时间以提高产量,并因甲酸浓度可以精准且稳定地控制而使甲酸的耗用量大幅度地降低。
  • 甲酸焊接系统
  • [发明专利]焊料膏组成物及包含其的焊接方法-CN202010056821.2在审
  • 叶国良;彭荣贵;陈瑜涛;黄文鼎;黄正尚 - 广化科技股份有限公司
  • 2020-01-17 - 2021-07-13 - B23K35/36
  • 本发明提供一种焊料膏组成物,其包含:100重量份的金属粉末,及3重量份至18重量份的有机混合物;其中,该有机混合物包含溶剂、触变剂和沸点小于该金属粉末的熔点的有机酸。本发明另提供一种焊接方法,其于一基板及一待焊接物之间提供所述焊料膏组成物,以形成一复合结构;将该复合结构放置于通有一酸性气体的一腔体中;以及熔融该焊料膏组成物的金属粉末,以焊接该基板及该待焊接物。本发明的焊料膏组成物主要借由低沸点的有机酸破坏金属粉末表面的金属氧化物膜,避免残留的酸性物质持续腐蚀焊点,降低焊点的空孔率,提升焊点的焊接强度。
  • 焊料组成包含焊接方法
  • [实用新型]多真空腔焊接炉-CN201921771801.2有效
  • 彭荣贵;叶国良;陈瑜涛;黄文鼎;黄正尚 - 广化科技股份有限公司
  • 2019-10-22 - 2020-06-02 - B23K3/00
  • 本实用新型公开一种多真空腔焊接炉,其包含一平台、一上盖、多个加热座及多个真空罩。平台的相对两端分别为一入料端与一出料端。上盖能掀启地设于平台上方。加热座设于平台上且沿着入料端至出料端的方向直线排列。真空罩设于上盖;当该上盖盖合于平台时,各真空罩的位置对应于其中一加热座,且各真空罩能相对于上盖移动并且罩设密封所对应的加热座并形成一真空腔室。本实用新型借由仅于真空腔室通入甲酸气体,而具有更高的甲酸利用率与更低的甲酸耗用量;且借由多个真空腔室,能缩短反应循环时间提高产能,也能确保焊接处的锡粉完全的被还原,提高焊接强度。
  • 空腔焊接
  • [发明专利]二极管/电晶体晶片PN 接面的保护方法-CN201210326291.4无效
  • 黄正尚;陈国辉;陈効义;温育德 - 广化科技股份有限公司
  • 2012-09-05 - 2013-12-18 - H01L21/56
  • 本发明提供一种二极管/电晶体晶片PN接面的保护方法,主要是先于晶圆上的二极管或电晶体晶片PN接面上涂布玻璃胶材,用以形成呈封闭环状的若干玻璃胶框,再以200~500℃的温度预先加热该晶圆及其上的二极管或电晶体晶片与玻璃胶框,用以使该玻璃胶框硬化,最后,利用一辐射源(如雷射、红外线等)以500~800℃的温度加热该硬化的玻璃胶框,用以使该玻璃胶框烧结形成可保护PN接面的玻璃罩,以此解决晶片在封装过程中因水气或碰撞而产生的漏电问题,及避免二极管和电晶体因加热而产生晶片特性的热衰退现象。
  • 二极管电晶体晶片pn保护方法
  • [发明专利]晶片低温接合的方法-CN201110272685.1无效
  • 陈国辉;詹上庆;温育德;庄淑珍 - 广化科技股份有限公司
  • 2011-09-15 - 2012-12-19 - H01L21/603
  • 本发明是关于一种晶片低温接合的方法,其包括:将一第一金属层形成于一晶片的一表面;将一第二金属层形成于一基板的一侧面,该第二金属层的材质是不同于该第一金属层;对该晶片相对于该第一金属层的另一表面以及该基板相对于该第二金属层的另一侧面施予一预接合压力,以使该第一金属层与该第二金属层之间进行预接合而相接;以及于100℃至300℃的温度下,以一扩散反应时间对该经预接合的晶片及该基板进行加热,以使该第一金属层与该第二金属层在二者之间的界面处进行扩散反应,以形成一熔点高于200℃的扩散合金层。
  • 晶片低温接合方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top