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[发明专利]一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法-CN202310757353.5在审
发明人：罗皓泽;左璐巍;蒙慧;辛振;周泽;吴强;严辉强 -专利权人：浙江大学;河北工业大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法，包括两个开关器件、待测器件、高压采样单元、主控单元和可变电压驱动单元；所述开关器件串联组成半桥结构，两端分别连接母线电压和功率地或者分别连接直流高压源正负极；所述待测器件与开关器件并联；所述高压采样电路输入端连接半桥中点，所述可变电压驱动单元的一侧与主控单元连接，所述可变电压驱动单元的另一侧分别与开关器件的栅极；所述高压采样电路向主控单元输出与待测器件的半桥中点电压成正比的电压信号；所述可变电压驱动单元接收来自主控单元的两路PWM信号，并向主控单元返回栅极电压信号。本发明可以实现脉冲源可控稳定输出，具有良好的稳定性。
一种调节输出电压变化脉冲方法

[发明专利]一种用于功率半导体器件的导通电压在线测量电路及方法-CN202310570472.X在审
发明人：罗皓泽;蒙慧;向乐天;辛振;朱安康;左璐巍;周泽;康健龙 -专利权人：浙江大学;河北工业大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率半导体器件的导通电压在线测量电路及方法，包括恒流源I1、恒流源I2、肖特基二极管D1、肖特基二极管D2、肖特基二极管D3、钳位二极管Dclamp、反并联泄放二极管D0以及齐纳二极管Z1。本发明的测量方法是当功率半导体器件导通时，通过测量恒流源I2输入端和齐纳二极管Z1阳极端两点之间的电压，得到导通电压在线测量电路的输出电压，该输出电压即为功率半导体器件的导通电压。本发明采样两个恒流源电路与肖特基二极管相配合的方法，不需要使用高性能的运算放大器以及额外的控制信号和驱动器，结构简单，降低成本的同时提高了电路可靠性。
一种用于功率半导体器件通电在线测量电路方法

[发明专利]一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源-CN202310421159.X在审
发明人：罗皓泽;左璐巍;蒙慧;吴强;严辉强;李武华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于SiCMOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源，包括主开关电路、高压模块、驱动电路和辅助电源；所述主开关电路分别与高压模块和驱动电路连接，所述驱动电路与辅助电源连接；所述高压模块为主开关电路提供足够功率的高压；所述辅助电源用于向驱动电路提供各类所需电压；所述驱动电路为主开关电路提供足够功率的栅极驱动信号；所述主开关电路承受所述高压模块输出的高压，根据所述驱动电路输出的栅极驱动信号进行开关动作，输出指定的高压脉冲波形。本发明可以为SiCMOSFET高场强应力可靠性测试施加高达数千伏，且电压变化率大的漏源电压，而且电压脉冲波形可控，具有体积小、高耐压驱动简单、高功率密度的优点。
一种用于 sic mosfet 场强应力可靠性测试脉冲