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[发明专利]通过有效切断干扰来提高晶圆测温精度的方法-CN202310892216.2在审
发明人：李宰卿;崔令铉;金振元;杨志勇;王恒 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过有效切断干扰来提高晶圆测温精度的方法，包括晶圆或碳化硅环，在所述晶圆或碳化硅环侧边设置有缺口，在所述缺口上设置有一根石英管以及5µm厚度的晶圆感应高温计，所述的晶圆感应高温计安装在直接朝向晶圆或碳化硅环的面上，利用晶圆感应高温计直接读取发射率接近黑体的碳化硅环，以此解决在测量晶圆背面时不会因变色而导致温度测量误差来测量准确的温度，在所述石英管内填充有用于净化空气的氮气，在所述石英管侧边设置有与石英管连通的氮气冲入管道，在所述晶圆或碳化硅环的外侧间隔设置有一个以上的灯，所有灯与缺口同侧设置，且在所有灯的下方设置有一块反光面，在所述石英管下方设置有透镜。本发明提高温度检测精度。
通过有效切断干扰提高测温精度方法

[发明专利]一种单片式半导体晶圆刻蚀装置-CN202310868494.4在审
发明人：杨志勇;崔令铉;成鲁荣;王恒;单庆喜 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片式半导体晶圆刻蚀装置，包括腔室、上电极板、下电极板、位于上电极和下电极之间的静电载盘、用于向腔室内供气的供气单元以及用于抽真空的抽真空单元；腔室内还安装有包围静电载盘的环形基台，环形基台通过多个第一L形支架连接有圆环形载台，圆环形载台处承载有圆环形的装载板，装载板处具有多个圆形凹槽，每个圆形凹槽处固定安装有一个检测晶圆。本申请的刻蚀装置，在刻蚀的过程中，利用显微镜单元对检测晶圆进行图像采集，检测晶圆与待刻蚀的半导体晶圆处于相同的工作环境，从而可以通过检测晶圆的刻蚀效果推断出正在加工的半导体晶圆的刻蚀效果，进而能够在刻蚀的过程中就能检测到半导体晶圆的刻蚀效果。
一种单片半导体刻蚀装置

[发明专利]一种单片式半导体晶圆快速退火装置-CN202310820893.3在审
发明人：杨志勇;崔令铉;成鲁荣;王恒;单庆喜 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片式半导体晶圆快速退火装置，包括控制单元、能够转动的转动圆环部以及用于退火的退火舱，所述转动圆环部能够承载半导体晶圆，所述转动圆环部穿过所述退火舱，所述退火舱被分隔为预热舱、升温舱和冷却舱，所述预热舱内安装有第一加热单元，所述升温舱内安装有第二加热单元。本申请的退火装置可以实现对于多个半导体晶圆的步进式的退火操作，并且可以在工作周期内对退火舱内的温度进行检测，从而可以使得退火操作中，半导体晶圆的加热更加均匀。
一种单片半导体快速退火装置

[发明专利]一种半导体晶圆制备用高效控温批量式立式炉-CN202310539289.3在审
发明人：杨志勇;崔令铉;成鲁荣;王恒;单庆喜 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体晶圆制备用高效控温批量式立式炉，包括圆柱形的炉体、与炉体底部固定连接的炉底、与炉体顶部固定连接的炉顶，所述炉体处具有装载开口，所述装载开口处具有能够将装载开口封闭的升降门；所述炉体内安装有转动柱，所述转动柱连接有3个呈环形等间距分布的承载架，所述承载架能够承载多个半导体晶圆，所述炉底底部安装有能够驱动所述转动柱转动的转动驱动单元；所述炉体内还安装有升降分隔单元，所述升降分隔单元包括3个呈环形等间距分布的升降隔热板，3个升降隔热板能够将炉体内空间分隔为装载腔、升温腔和冷却腔，所述装载开口与所述装载腔连通。本申请的立式炉适合大批量的晶圆的热处理，且温控效果好。
一种半导体制备高效批量立式

[发明专利]一种半导体晶圆制造用等离子去胶装置-CN202211709254.1在审
发明人：杨志勇;崔令铉;成鲁荣;王恒;单庆喜 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体晶圆制造用等离子去胶装置，包括等离子去胶单元和取送料单元，所述等离子去胶单元包括箱体和舱门，所述箱体内具有工作腔，所述工作腔内具有工作台和活动载架，所述工作台连接有上基板和下基板，所述上基板和下基板之间形成进出料凹槽，所述活动载架包括上弧形板、下弧形板以及多个连接上弧形板和下弧形板的能够嵌入所述上限位凹槽和下限位凹槽的连接竖杆，所述上弧形板处具有多个上承载凸块，所述下弧形板处具有多个下承载凸块，所述下基板通过连接板连接有弧形安装板，所述弧形安装板处安装有多个第一升降电机，每个第一升降电机驱动有一个第一丝杆，所述连接竖杆处具有与所述第一丝杆配合的螺纹通道。本申请的去胶单元去胶效率高。
一种半导体制造等离子装置

[发明专利]一种晶片混合清洗装置及其方法-CN202210750280.2在审
发明人：成鲁荣;李宰卿;崔令铉;金振元 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片混合清洗装置，包括箱体，所述箱体的两侧均通过安装箱固定连接有第一电机，并且第一电机的输出端固定连接有第一锥齿轮，所述箱体内壁的两侧均通过支架转动连接有螺纹杆，并且螺纹杆表面的顶部固定连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿轮，本发明涉及晶片技术领域。该晶片混合清洗装置及其方法，使用等离子体干法蚀刻工艺是在不损坏晶片加工区域的芯片的情况下仅去除晶片边缘所需去除的精准尺寸，因此在满足快速去除的生产率等方面等离子干法蚀刻方式表现出更好的工艺效果，而且在等离子蚀刻处理之后直接可以进行清洗处理，减少了操作流程，也可以避免晶片在转移的过程中受到二次污染。
一种晶片混合清洗装置及其方法

[发明专利]一种半导体硅晶片制造用真实温度检测方法-CN202210549082.X在审
发明人：李宰卿;成鲁荣;崔令铉;金振元;杨志勇 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅晶片制造用真实温度检测方法，具体包括以下步骤；S1、与辐射率阅读器的相同位置上安装高温计并进行校准(补偿)代替现有技术，即在硅晶片内的相同位置上，主要是在硅晶片中心部位同时测量发射率和高温计，这时依测量的实际工艺硅晶片的发射率补偿过的高温计的实际测量值来控制PID，本发明涉及半导体温度检测技术领域。该半导体硅晶片制造用真实温度检测方法，可以克服现有技术中稳定区间的测量温度准确性问题(发射率固定时)，即温度误差控制，现有技术主要是以裸晶片为基准进行温度控制，但本发明是对沉积各种薄膜的硅晶片的温度来进行温度控制，根据发射计数值补偿发射率，通过修改的校准数据校准准确执行。
一种半导体晶片制造真实温度检测方法

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