“尹淞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]二氧化钛/三氧化钼异质结的制备方法及其应用于光催化脱硫-CN202110654222.5有效
发明人：荀苏杭;乐荣民;刘文琦;遆秋桐;尹淞;黄厚淋;朱文帅 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明属于复合催化剂制备技术领域，涉及光催化剂脱硫，特别涉及一种二氧化钛/三氧化钼异质结的制备方法，包括：取钼酸分散于去离子水中混合均匀，再滴加钛酸四丁酯，将混合物充分搅拌均匀，然后将混合液转移至坩埚并将其放置于程序升温马弗炉中，300～900℃焙烧3～8 h，冷却至室温后研磨，即得，其中，所述钛酸四丁酯、钼酸与去离子水的固液比为3～15 mL:0.16～0.19 g:50～100 mL。本发明还公开了应用于光催化氧化燃油脱硫。本发明合成工艺操作简单，降低了光生电子空穴对的复合，提高了光生载流子的寿命，从而提高了光催化活性，该反应操作条件温和，异质结催化剂结构性质稳定，可以重复循环使用，具有优异的工业应用前景。
氧化氧化钼异质结制备方法及其应用于光催化脱硫

[发明专利]径向磁场一体化永磁自驱叶轮离心泵组-CN202310345553.X在审
发明人：赵丹;吴崇建;冯梦柯;轩诗喆;刘少刚;董立强;任航;王剑;尹淞;郭畅;李鑫鑫 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： F04D13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种径向磁场一体化永磁自驱叶轮离心泵组，绕组支撑环同轴固定在定轴轴肩近中心端，环形绕组同轴套装在绕组支撑环上，两个轴承同轴安装在定轴上，左叶轮和右叶轮分别同轴套装在两个轴承上，环形磁轭位于左叶轮和右叶轮中间，多个条形永磁体沿环形磁轭圆周方向均布固定于环形磁轭内壁上，至此构成径向磁场永磁自驱叶轮构型。径向磁场永磁自驱叶轮构型与密封组件同轴布置于泵壳内，输油管安装在定轴内部，两个轴堵头分别置于定轴两端，螺塞置于泵壳灌泵孔内，至此构成径向磁场一体化永磁自驱叶轮离心泵组。本发明优化了泵组传动机构，径向磁场永磁自驱叶轮构型大幅降低了离心泵组重量、体积、振动和噪声，同时提升了泵组效率。
径向磁场一体化永磁叶轮离心泵

[发明专利]半水基晶圆基底清洗液组合物及其使用方法-CN202211610138.4在审
发明人：刘江华;尹淞;计伟;徐斌;蔡宇豪 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半水基晶圆基底清洗液组合物包含：有机醇胺、极性有机溶剂、γ‑丁内酯、缓蚀剂以及水，其中有机醇胺、γ‑丁内酯及水的重量比为1‑80：30‑2：40‑1。本发明另提供半水基晶圆基底清洗液组合物的使用方法，包含：提供蚀刻去光阻后的图案化晶圆，其具有聚合物杂质。以本发明的半水基晶圆基底清洗液组合物浸泡或喷淋图案化晶圆，去除聚合物杂质；以去离子水清洗去除聚合物杂质后的图案化晶圆。
半水基晶圆基底清洗组合及其使用方法

[发明专利]半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法-CN202211635048.0在审
发明人：刘江华;尹淞;计伟;徐斌;蔡宇豪 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法。所述半导体晶圆基底清洗液组合物包含：衍生化有机强碱、有机醇胺、极性溶剂及缓蚀剂，其中衍生化有机强碱选自季铵化合物或与腐蚀抑制剂共溶剂和/或与腐蚀抑制剂结合的非氨衍生碱。半导体晶圆基底清洗液组合物的使用方法包含：提供蚀刻去光阻后的图案化晶圆，其具有聚合物杂质；以半导体晶圆基底清洗液组合物浸泡或喷淋图案化晶圆，去除聚合物杂质；以去离子水清洗去除聚合物杂质后的图案化晶圆。本发明提供的适用半导体工艺领域的半水基清洗液组合物，其具有良好的稳定性。
半导体基底清洗组合及其使用方法

[发明专利]一种光刻胶剥离液及其制备方法-CN202210374548.7在审
发明人：刘江华;尹淞;计伟;於婷;鲁晨泓 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶剥离液，包括如下重量份的原料：环状有机胺0.5～30份；醇醚类有机溶剂1～60份；含氮类有机溶剂1～50份；缓蚀剂0.01～10份。本发明采用特定的环状有机胺，结合特定的有机溶剂和缓蚀剂，配合特定的配比，使得最终制备的光刻胶剥离液稳定性好、去胶效果好，不会对铝栅极特别是铜栅极等基底产生腐蚀。
一种光刻剥离及其制备方法

[实用新型]一种数控小导管旋转打孔机-CN202022803678.7有效
发明人：靳文源;常澍;冯燕文;李慧;张锁柱;尹淞;赵宏宇 -专利权人：山西路桥第五工程有限公司
申请日： 2020-11-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B21D28/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及打孔机技术领域，且公开了一种数控小导管旋转打孔机，包括打孔机本体，所述打孔机本体顶部的右侧固定连接有固定框，所述固定框的内底壁固定连接有安装板，所述安装板的顶部活动连接有模具，所述模具的底部固定连接有固定板。该数控小导管旋转打孔机，通过螺纹杆带动插杆向内侧移动，使得插杆的一端插接在插槽的内部，通过插杆对安装块和固定板进行固定，使其安装更为便利和稳固，然后加工产生的碎屑通过漏渣孔和连接孔掉落在收集框的内部，通过收集框对其进行收集，使用一端时间后，反之上述操作即可将模具拆除，从而方便将收集框取出，对其内部的碎屑进行清理，达到了收集更为便利，清理效率更加高的目的。
一种数控导管旋转打孔机

[发明专利]一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法-CN202110452245.8在审
发明人：鲁晨泓;尹淞;刘江华;张建 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法，包括磷酸、硝酸、醋酸以及缓冲剂；以重量百分比为计，磷酸为30‑60％、硝酸为2‑20％、醋酸为12‑40％、缓冲剂为0.01‑10％和去离子水5‑50％。本发明可以将金属银及其氧化物转化为可溶于水的盐，反应稳定性性高、对同一衬底上的金属银及其氧化的刻蚀速率基本一致、刻蚀速率可控性高、对小颗粒银残留问题得到根本改善、反应稳定性性高，避免沉淀附着影响刻蚀效率及表面平整度；在使用过程中无特殊限制，可采用侵泡式、喷淋式或侵泡喷淋组合式；可实现复合膜层一步刻蚀、刻蚀稳定性高、改善银盐附着现象明显。
一种复合刻蚀及其制备方法

[发明专利]一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法-CN202011496510.4在审
发明人：刘江华;冯继恒;尹淞;鲁晨泓;张建 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法，包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1‑70％，极性非离子溶剂30‑99％。本发明不含有腐蚀性的强碱，清洗后无光刻胶残留，可直接水洗，不会产生金属层腐蚀。
一种适用半导体集成电路光刻剥离制备方法

[发明专利]一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液-CN202011491737.X在审
发明人：张建;冯继恒;尹淞;鲁晨泓 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，包括研磨颗粒、水、一种或多种的氧化剂和降低硅片表面粗糙度的非离子表面活性剂；以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.1‑30％，氧化剂0.1‑20％，非离子表面活性剂0.001‑5％。本发明可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率，较低的硅表面粗糙度，调节多晶硅与二氧化硅的选择比，并明显提高多晶硅的平坦化效率和抛光残留物的去除。
一种用于抛光多晶化学机械抛光

1
共 9 条