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[实用新型]一种激光头垂直度检测装置和激光加工设备-CN202122012715.7有效
发明人： 小林信雄;杨猛;钟隆裕;丘邦超;李庆;柯晓鸿 -专利权人：广州明珞装备股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光头垂直度检测装置和激光加工设备，包括：激光头，能够沿激光头的轴线产生激光加工的激光束；传感器组件，与所述激光头连接，所述传感器组件包括位于垂直于所述激光头轴线的平面上，且与所述激光头轴线距离相同的至少三个测距传感器，至少三个所述测距传感器的测距路径与所述激光头的激光束相交于一点。可以通过这至少三个测距值、测距传感器与其交点间的距离计算出激光头与被加工面之间的倾角及其方向，从而可以进一步得出机器人各轴的动作量，使机器人带动激光头运动至合适的加工姿态。该方案检测精度较高，可以满足激光头与被加工面的高垂直度要求；实现了机器人自动校准位置，调试方便快捷，无需人工操作。
一种激光头垂直检测装置激光加工设备

[发明专利]基板处理装置及基板的制造方法-CN202110878876.6在审
发明人：滨田晃一;小林信雄 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理装置及基板的制造方法。上述基板处理装置具备：基板支承部，支承基板；旋转部，使上述基板旋转；处理液供给部，向上述基板的表面供给处理液；以及控制部，上述控制部进行控制，使得在一个基板处理工序中、针对由上述旋转部旋转的上述基板持续地从上述处理液供给部连续地供给上述处理液、并一边将上述处理液从上述基板排出一边连续地进行基板处理的期间，以预先设定的规定的定时，定期地进行使上述处理液从上述基板排出的排液速度提高的排液处理，并且上述基板处理的最后以上述排液处理结束。
处理装置制造方法

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201710207077.X有效
发明人： 小林信雄;屉平幸之介;山崎克弘 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置(1)及基板处理方法，实施方式的基板处理装置(1)是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置，具备：处理室；旋转保持机构，设于上述处理室，对基板进行保持；处理液供给喷嘴，向上述基板供给处理液；遮挡板，与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置，并向相对于上述基板接触或分离的方向移动；遮挡板旋转机构，使上述遮挡板旋转；以及控制装置，在上述基板被供给处理液时，不使上述遮挡板移动，而是使上述遮挡板旋转。本发明能够防止处理基板时的基板污染。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法-CN201710101776.6有效
发明人：滨田晃一;小林信雄 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法。有关实施方式的基板处理装置(1)具备：基板支承部(20)，支承基板(W)；旋转部(22)，使上述基板(W)旋转；处理液供给部(40)，向上述基板(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)；控制部(60)，一边使上述基板(W)旋转，一边在进行上述处理液(L1)的供给的基板处理中持续处理，并以预先设定的规定的定时进行使上述处理液(L1)从基板(W)排出的排液速度变化的排液处理。
处理装置方法制造

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201710432802.3有效
发明人： 小林信雄;滨田晃一;黑川祯明;古矢正明;森秀树;渡边康司;林义典 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理，该基板处理装置的构成中具有：蚀刻处理部(30)，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部(30)，将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部(38、50、52)，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。
处理方法装置

[发明专利]加热管的气体泄漏检测装置以及加热管的气体泄漏检测方法-CN201880022987.3有效
发明人：横井正孝;小林信雄;古矢正明;木名濑淳 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：课题是提供能够可靠地检测来自形成有微细孔的加热管的气体泄漏的加热管的气体泄漏检测装置以及加热管的气体泄漏检测方法。作为解决手段，根据实施方式，具备收纳有加热体的内管(10a)和包围该内管而密闭的外管(10b)并利用压力调节机构(20)经由配管(30)将外管(10b)与内管(10a)之间的空间的气体压力调节为规定压力值的加热管(10)的气体泄漏检测装置具有：气体流动阻力部(21(213))，其设置于配管(30)，使气体局部性地难以流动；压力检测单元(23)，其在配管(30)中的气体流动阻力部(21)与加热管(10)之间检测外管(10b)与内管(10a)之间的空间的气体压力；以及泄漏判定单元(50)，其根据通过压力检测单元(23)得到的检测压力值来判定气体是否正在从加热管(10)泄漏。
热管气体泄漏检测装置以及方法

[发明专利]湿式蚀刻装置-CN201710207544.9有效
发明人： 小林信雄;黑川祯明;滨田晃一 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
蚀刻装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201710200801.6有效
发明人： 小林信雄;古川长树;山崎克弘;齐藤裕树 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够准确地掌握积存处理液的罐内的所希望的液量的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置具备：罐(31)，积存处理液；液面配管(33)，与罐(31)连接，以供在罐(31)中存积的处理液流入，并形成为从罐(31)流入的处理液的液面M1根据罐31内的处理液的增减而移动；液面传感器(35)，检测液面配管(33)内的液面M1；供气配管(34)，用于向液面配管(33)内的液面M1之上的配管空间供给气体；以及控制部(50)，与气体被供气配管(34)向配管空间供给而液面配管(33)内的液面M1移动相应，基于液面传感器(35)的检测结果判断液面传感器(35)有无误检测。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201910835354.0在审
发明人：森秀树;古矢正明;小林信雄 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理装置以及基板处理方法，能够高效地进行雾的回收，而且尤其是即使在使用酸性的处理液与碱性的处理液的情况下，也能够抑制排气路径与处理室内的酸与碱的雾所导致的盐的生成，从而能够在同一处理室内进行利用各种处理液的基板处理。基板处理装置(11)向基板(W)依次供给多种处理液从而对基板进行处理，其具有：处理室(13)，其进行基板的处理；旋转工作台(15)，其在处理室内保持基板并且被旋转驱动；处理液供给部(51、52)，其保持于旋转工作台，并向旋转状态的基板供给处理液；带有能够开闭的门的多个排气路径(22a～22d)，它们使处理液的雾从处理室向外部流出；门开闭切换构件(升降缸(48a～48d)、控制部(70))，其根据基板的旋转方向切换门(45a～45d)的开闭。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201480017840.7有效
发明人：滨田晃一;小林信雄 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实施方式涉及的基板处理装置(1)具备支承部(4)，支承基板W；旋转机构(5)，将与由支承部(4)支承的基板(W)交叉的轴作为旋转轴来使支承部(4)旋转；喷嘴(6)，向利用该旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面供给处理液；加热器(8)，以离开由支承部(4)支承的基板(W)的方式对该基板(W)进行加热；以及移动机构(9)，使加热器(8)沿相对于由支承部(4)支承的基板(W)接近离开的方向移动。
处理装置以及方法

[发明专利]湿式蚀刻装置-CN201410218651.8有效
发明人： 小林信雄;黑川祯明;滨田晃一 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
蚀刻装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201410504744.7有效
发明人： 小林信雄;滨田晃一;黑川祯明;古矢正明;森秀树;渡边康司;林义典 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理，该基板处理装置的构成中具有蚀刻处理部(30)，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部(30)，将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部(38、50、52)，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201180006698.2有效
发明人：黑川祯明;滨田晃一;小林信雄;长岛裕次 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供能够更高效地加热并高效地使用处理液对板状基板的表面进行处理的基板处理装置。该基板处理装置具有向保持在旋转的基板保持部（10）上的板状基板（100）的表面供给处理液S的处理液供给机构（50），利用处理液S对板状基板（100）的表面进行处理，该基板处理装置具有：处理液保持板（15），其与保持在基板保持部（10）上的板状基板（100）的表面隔着规定的间隔相对配置，与板状基板（100）的表面之间保持有处理液；以及加热部（20），其与处理液保持板（15）的包含与基板保持部（10）的旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，对该规定区域进行加热，处理液供给机构对与基板保持部（10）一起旋转的板状基板（100）的表面与被加热部（20）加热的处理液保持板（15）之间的间隙供给处理液S。
处理装置方法

[发明专利]清洗方法及制造电子器件的方法-CN201110066173.X有效
发明人：柴田幸弘;速水直哉;加藤昌明;小林信雄 -专利权人：芝浦机械电子株式会社;氯工程株式会社;株式会社东芝
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗方法，其包括：通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。本发明还公开了一种制造电子器件的方法，其包括：制备工件；通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗所述工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。
清洗方法制造电子器件

[发明专利]蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置-CN201010591444.9有效
发明人：田家真纪子;速水直哉;佐藤伸良;米仓由里;平林英明;黑川祯明;小林信雄;加藤昌明;土门宏纪 -专利权人：株式会社东芝;芝浦机械电子株式会社;氯工程株式会社
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C25B1/30 文献下载
摘要：在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
蚀刻方法制造微观结构装置

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