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- [发明专利]形成淀积膜的设备和方法-CN01111389.8无效
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宍户健志;金井正博;幸田勇藏;矢岛孝博
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佳能株式会社
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2001-01-31
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2001-10-10
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C23C16/50
- 双层结构的电功率供给电极306包括用单个平板构成的没分隔开的电极102和设在没分隔开的电极102上的6个分隔开的电极101，与设在真空室302中的放电室305的上边上的没分隔开的电极电接触，使电功率供给电极平行面对条形衬底301。按形成平面的方式设置分隔开的电极101，面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面与条形衬底301之间的距离均匀。面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面总面积与其上安装分隔开的电极101的没分隔开的电极102的面积相同。于是提高了形成淀积膜的设备中产生的等离子体的均匀性，降低了形成淀积膜所需的成本。
- 形成淀积膜设备方法
- [发明专利]通过等离子体CVD方法形成沉积膜的装置和方法-CN01111320.0无效
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矢岛孝博;金井正博;幸田勇藏;宍户健志
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佳能株式会社
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2001-01-31
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2001-10-03
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C23C16/513
- 一种成膜装置,包括一个真空腔,一个能量施加电极,一个通过它可以把原材料气体引入所述真空腔的原材料气体引入部分,和一个通过它将所述的真空腔排空的排气部分,所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的用于成膜的基底相对,其特征在于至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件,而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式,其中,a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。一种采用所述成膜装置的成膜方法。
- 通过等离子体cvd方法形成沉积装置
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