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[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202111577686.7在审
发明人： 安倍弘喜;山下智也;打田贤司 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，发光效率较高。该氮化物半导体发光元件包括：n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、以及在n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间进行设置且包括由阱层与势垒层形成的多个层压部(5bw)的活性层(5)，多个阱层从n侧氮化物半导体层侧依次包括第一阱层(5w1)、第二阱层(5w2)、以及多个阱层之中最靠近p侧氮化物半导体层的第三阱层(5w3)，第二阱层(5w2)的膜厚比第一阱层(5w1)的膜厚厚，第三阱层(5w3)的膜厚比第二阱层(5w2)的膜厚厚，在多个势垒层之中位于第三阱层(5w3)与p侧氮化物半导体层之间的第一势垒层(5b1)中掺杂有p型杂质。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN202111587978.9在审
发明人： 安倍弘喜;山下智也;打田贤司 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光效率高的氮化物半导体发光元件。多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]分离方法、检测方法、信号测定方法、疾病的判定方法、药效评价方法、试剂盒、液态组合物以及检体稀释液-CN201680029121.6在审
发明人： 安倍弘喜;藤井宽也;内田公子 -专利权人： JSR株式会社;JSR生命科学株式会社
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少对固相载体的非特异性吸附、能够选择性且高效地分离具有脂质双层膜的囊泡的方法。所述具有脂质双层膜的囊泡的分离方法的特征在于，包含：复合体形成工序，使含有具有脂质双层膜的囊泡的生物体试样与结合有配体的固相载体进行接触，形成所述囊泡与所述固相载体的复合体，所述配体识别存在于所述囊泡表面的表面抗原；以及清洗工序，清洗所述复合体；在盐浓度0.15～2M的环境下进行所述复合体形成工序和所述清洗工序中的至少任一工序。
囊泡脂质双层膜固相载体复合体形清洗工序复合体非特异性吸附生物体试样液态组合物表面抗原配体识别信号测定药效评价试剂盒稀释液检体配体判定清洗疾病检测

[发明专利]分离方法、检测方法、信号测定方法、疾病的判定方法、疾病治疗药的药效评价方法、试剂盒以及液态组合物-CN201480060471.X在审
发明人：藤井宽也;水内素晶;山口哲司;安倍弘喜 -专利权人： JSR株式会社;JSR生命科学株式会社
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G01N33/544 文献下载
摘要：本发明提供夹杂物的除去效率优异且具有脂质双层膜的囊泡不易被破坏的具有脂质双层膜的囊泡的分离方法。上述具有脂质双层膜的囊泡的分离方法的特征在于，包含:复合体形成工序，使含有具有脂质双层膜的囊泡的生物体试样与键合有识别存在于上述囊泡表面的表面抗原的配体的固相载体进行接触，形成上述囊泡和上述固相载体的复合体；清洗工序，清洗上述复合体；在非离子性表面活性剂的存在下进行上述复合体形成工序和上述清洗工序中的至少任一工序。
分离方法检测信号测定疾病判定治疗药效评价试剂盒以及液态组合