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[发明专利]可配置的斜面刻蚀机-CN200880003211.3有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;金允尚;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于清洁半导体基板的斜面边缘的装置。该装置包括：具有圆柱形顶部的下支架；围绕该顶部并适于支撑该基板的下等离子体隔断区域(PEZ)环；面向该下支架并具有圆柱形底部的上电介质元件；围绕该底部的外缘并面向该下PEZ环的上PEZ环；以及至少一个射频(RF)电源，可运作以将由该上和下PEZ环限定的环形空间中的气体激励为等离子体，其中该环形空间包围该斜面边缘。
配置斜面刻蚀

[发明专利]带有间隙控制的斜面蚀刻器-CN200880003247.1有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;安德拉斯·库蒂;金允尚;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种清洁半导体基片斜缘的装置。该装置包括具有顶部表面并适于支撑该基片的下电极总成以及具有相对该顶部表面的底部表面的上电极总成。该上和下电极总成生成等离子，用以在运行期间清洁设在该顶部和底部表面之间的该基片的斜缘。该装置还包括将该上电极总成悬置在该下部支撑件上方并且调节该底部表面相对该顶部表面的倾角和水平位移的机构。
带有间隙控制斜面蚀刻

[发明专利]具有真空卡盘的斜面蚀刻器-CN200880003201.X有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种结合真空卡盘的斜面蚀刻器，用来清洁斜缘并且减少半导体基片的弯曲曲率。该斜面蚀刻器包括真空卡盘和等离子发生单元，该单元将工艺气体激发为等离子态。该真空卡盘包括卡盘体和支撑环。该卡盘体的顶部表面和该支撑环的内缘形成由安装在该支撑环上的基片的底部表面封闭的真空区域。真空泵在运行期间排空该真空区域。该真空卡盘可运行以通过该基片的顶部和底部表面之间的压差将该基片保持合适的位置。该压差还产生弯曲力以减少该基片的弯曲曲率。
具有真空卡盘斜面蚀刻

[发明专利]用于校验从气体供应系统进入等离子体处理室的气体流率的方法-CN200680025770.5有效
发明人：迪安·J·拉松;罗伯特·C·赫夫蒂;詹姆斯·V·蒂茨;威廉·S·肯尼迪;埃里克·H·伦茨;小威廉·M·登蒂;恩里科·马尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G01F25/00 文献下载
摘要：提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
用于校验气体供应系统进入等离子体处理方法

[发明专利]具有平辅式瓷衬的半导体加工设备-CN200510084740.9无效
发明人： 威廉·S·肯尼迪;罗伯特·A·马拉斯钦;杰罗姆·S·休贝塞克 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2000-09-11 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：等离子体加工室包括一个瓷衬，该瓷衬C瓷砖形式安装在一弹性支承件上。衬里和其它部件如气体分配板和等离子体屏蔽件都可以用SiC制造，SiC有利于限制等离子体并提供室的内表面温度控制。衬里可以用加热器加热，该加热器通过热传导将热量提供给衬里。为了除去衬里中过量的热，弹性支承件可以是铝制支承框架，该支承框架将热从衬里传导到一温度控制件，如室的顶板上。支承框架可以包括连续式上面部分和分段式下面部分，该分段式下面部分能在等离子体室内加工半导体基片过程中适应热应力。
具有平辅式瓷衬半导体加工设备

[发明专利]用于半导体处理等离子反应器的多部分电极以及替换多部分电极的一部分的方法-CN03814065.9有效
发明人：安德烈亚斯·菲舍尔;威廉·S·肯尼迪;彼得·勒文哈尔特;戴维·特吕塞尔 -专利权人：蓝姆研究公司
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种经改进的上电极系统，其具有一多部分电极，其中可独立于电极的外周边部分(114)来替换具有高磨损的电极的中心部分(110)。上电极可用于诸如通过蚀刻或CVD来处理半导体基板的等离子处理系统中。多部分上电极尤其适用于大尺寸晶圆处理腔室，诸如300mm晶圆处理腔室，市面上无用于其的单块电极出售或该等单块电极耗费昂贵。
用于半导体处理等离子反应器部分电极以及替换一部分方法

[发明专利]产生地震波的方法和装置-CN86105348.6无效
发明人： 威廉·S·肯尼迪;斯蒂芬·J·布卢门克兰兹 -专利权人：岩石物理服务公司
申请日： 1986-09-02 - 公布日： 1990-10-10 - 主分类号： G01V1/02 文献下载
摘要：公开了在井眼地层中产生地震波的方法和装置。选择井眼的某一部位，可以是井底，也可以是沿井身高度的任何其它部位，作为产生地震波的区段。提供了某种装置来激振处于所选井眼部位中的井眼液体，从而在液体中产生所需频率的稳定谐振压力波。通过不断地对液体供给能量来补偿因液体摩擦、结构损失和声能辐射的损失，使波形保持稳定。如此产生的稳定波通过井眼壁被辐射到地层中去，并最终为设置于地面上的地震波检测仪所接收。
产生地震波方法装置

[发明专利]井眼地震波接收器-CN86105318.4无效
发明人：阿瑟·K;威廉·S·肯尼迪;彼得·S·阿伦施塔姆 -专利权人：岩石物理服务公司
申请日： 1986-08-29 - 公布日： 1990-10-10 - 主分类号： G01V1/16 文献下载
摘要：地震波接收器系供测量地震信号使用。地震信号经由地层中传来并在井眼中收集。接收器中的一个可反向施转的电动机驱动一调谐传动减速器，藉减速器放大电动机产生的扭矩驱动一滚球螺杆，滚球螺杆沿井眼的中心线直线移动来控制一夹持杆的伸展，使夹持杆进入或脱离一伸展位置，在该位置处夹持杆可与靠近井眼的地下大地接触。接收器设有一个可供释放的电气离合器使夹持杆脱高接触。因此，在发生动力故障而夹持杆处于伸展位置情况下，可以使接收器收回。
地震波接收器

[其他]产生地震波的方法和装置-CN86105348无效
发明人： 威廉·S·肯尼迪;斯蒂芬·J·布卢门克兰兹 -专利权人：岩石物理服务公司
申请日： 1986-09-02 - 公布日： 1987-04-01 - 主分类号： G01V1/02 文献下载
摘要：公开了在井眼地层中产生地震波的方法和装置。选择井眼的某一部位，可以是井底，也可以是沿井身高度的任何其它部位，作为产生地震波的区段。提供了某种装置来激振处于所选井眼部位中的井眼液体，从而在液体中产生所需频率的稳定谐振压力波。通过不断地对液体供给能量来补偿因液体摩擦、结构损失和声能辐射的损失，使波形保持稳定。如此产生的稳定波通过井眼壁被辐射到地层中去，并最终为设置于地面上的地震波检测仪所接收。
产生地震波方法装置

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