专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管及其制备方法-CN201480077566.2有效
  • 李东宣;孔得照;姜昌模;李俊烨 - 光州科学技术院
  • 2014-09-16 - 2018-10-09 - H01L33/08
  • 本发明提供发光二极管及其制备方法。详细地,可提供如下的发光二极管:所述发光二极管的特征在于,包括:第一发光结构体,由形成于基板上的第一n‑GaN层、第一活性层、第一p‑GaN层依次层叠而成;第一n型电极,形成于第一n‑GaN层的上部的一侧;电流扩散层,配置于所述第一发光结构体上,并且具有至少一个孔;第二发光结构体,由第二p‑GaN层、第二活性层及第二n‑GaN层依次层叠而成,所述第二p‑GaN层形成于配置有所述导电层的至少一个孔的区域,所述第二活性层形成于上述第二p‑GaN层上;所述第二p‑GaN层是借助所述导电层的至少一个孔使上述第一p‑GaN层再生长而形成的。在本发明中,在一个发光二极管配置可具有两种以上的波长的多个发光结构体,从而可提供能够释放所需颜色的光的高像素、高亮度的发光二极管。
  • 发光二极管及其制备方法

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