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[发明专利]一种肠外营养的配液数据修正方法及其系统-CN202311076932.X在审
发明人：刘文艺;李小丝;钟燕;贺钰茹;姜怡雯;张舒;唐光荣 -专利权人：西藏自治区人民政府驻成都办事处医院;四川麦迪威尔医药科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G16H20/60 文献下载
摘要：本发明涉及数据处理领域，公开了一种肠外营养的配液数据修正方法及其系统，通过获取患者基本能量需求的输入条件信息，并基于输入条件信息计算患者的基本能量需求；构建能量修正知识库，并利用能量修正知识库对基本能量需求进行能量需求修正，得到修正后的基本能量需求；判断患者的肠外营养需求信息，并基于修正后的基本能量需求，确定实际能量总需求；基于实际能量总需求，分配用于肠外营养的子单元能量需求，得到肠外营养配液方案汇总。通过构建能量修正知识库和判断患者的肠外营养需求信息，进行能量需求修正，得到实际能量总需求，不仅得到了精准的配液数据，还基于配液数据得到了更多可选择的适配方案，极大的提高了肠外营养方案的适配性。
一种营养数据修正方法及其系统

[发明专利]一种主动监测老年住院患者不良反应的方法及系统-CN202311068686.3在审
发明人：钟燕;李小丝;刘文艺;谢沂宏;姜怡雯;张舒;唐光荣 -专利权人：西藏自治区人民政府驻成都办事处医院;四川麦迪威尔医药科技有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G16H70/40 文献下载
摘要：本发明涉及数据处理技术领域，公开了一种主动监测老年住院患者不良反应的方法及系统,通过构建不良反应症状知识库；获取老年住院患者的多维度分类监测信号；基于监测信号，遍历不良反应症状知识库，判断是否为疑似不良反应监测信号；若监测信号为疑似不良反应监测信号，则进行不良反应预警；构建不良反应因果判断关系，并基于因果判断关系验证疑似不良反应监测信号是否为真；若为真，则输出老年住院患者发生不良反应的结果。通过增设因果判断关系验证实现二次判断，提高监测的准确性，还能够进一步反推出引发不良反应的药品，此外，还通过对于不良反应的“被动监测”变“主动监测”，从而实现了不良反应患者及不良反应药品监测的实时性。
一种主动监测老年住院患者不良反应方法系统

[发明专利]屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法-CN202210195669.5在审
发明人： 姜怡雯;宋金星 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法，其中，屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括：提供基底，并于基底内形成初始沟槽；于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层；对基底继续进行刻蚀，以于初始沟槽底部形成第一沟槽；于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层；去除第一牺牲保护层，且对基底继续进行刻蚀，以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽；形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，屏蔽栅极形成于第一沟槽内，控制栅极形成于第二沟槽内，隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间，控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时，有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。
屏蔽沟槽场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体衬底的修复方法-CN201910537808.6在审
发明人： 姜怡雯;李志伟;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体衬底的修复方法，包括：提供半导体衬底；使用含有氯元素的氧化性混合气体对所述半导体衬底的表面进行预处理，以使所述半导体衬底的表面被所述氧化性混合气体氧化生成硅氯叁键结构。本发明方案可以有效地钝化界面，修复晶圆表面缺陷，有效降低暗电流。
衬底半导体混合气体氧化性修复预处理钝化界面晶圆表面暗电流键结构氯元素有效地硅氯

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910284845.0在审
发明人： 姜怡雯;孟俊生;李志伟 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的第一面和第二面，所述半导体衬底包括若干第一区；在所述半导体衬底第一区第二面表面形成转换发光材料层；在所述转换发光材料层和半导体衬底第二面表面形成滤光结构。所述方法提高了图像传感器的性能。
衬底半导体图像传感器第二面转换发光材料第一区表面形成滤光表面形成

[发明专利]一种Mn-Ni-Sn-Co合金薄带及其制备方法-CN201610615859.2有效
发明人：李宗宾;姜怡雯;李振庄;杨波;赵骧;左良 -专利权人：东北大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：一种Mn‑Ni‑Sn‑Co合金薄带及其制备方法，属于新材料技术领域。Mn‑Ni‑Sn‑Co合金薄带中元素的摩尔数之和为100，元素的摩尔比为Mn：Ni：Sn：Co＝(49.5～50.5)：(33.5～38.5)：(7.5～8.5)：(3.5～8.5)；制备方法为：(1)真空电弧熔炼多次反复熔炼；(2)甩带法制备厚度为90～120μm合金薄带。本发明合金薄带在升温过程，呈现出磁性转变与结构转变的协同发生，具有磁场诱发马氏体逆相变的特征。本发明合金薄带通过Co添加，提高了铁磁奥氏体的饱和磁化强度，扩大了奥氏体与马氏体之间的磁性差别，显著提高多晶合金薄带的磁热性能，在1T磁场下，磁熵变化为2.4～7.6Jkg^‑1K^‑1，在1.5T磁场下，磁熵变化为3.5～11.0Jkg^‑1K^‑1。
一种 mn ni sn co 合金及其制备方法

[发明专利]背照式图像传感器的制造方法-CN201810086148.X在审
发明人： 姜怡雯;李志伟;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造背照式图像传感器的方法。一种制造背照式图像传感器的方法，包括：在基底上形成介质层，其中所述基底中具有金属布线层；在所述介质层中形成沟槽；在所述介质层和所述基底中形成通孔；以及在所述通孔和所述沟槽中同时填充金属，其中在所述沟槽中填充的金属构成所述背照式图像传感器的金属栅格，在所述通孔中填充的金属用于将所述金属布线层与外部设备电连接。
背照式图像传感器介质层基底通孔金属布线层填充外部设备制造金属金属栅格填充金属电连接

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN201711056829.3在审
发明人： 姜怡雯;李志伟;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器及其制造方法，包括支撑衬底；布线层，包括金属布线层以及包围所述金属布线层的介质层，所述金属布线层包括用于图像传感器互连的互连金属层以及用于电引出的引出金属层；金属塞，包括与所述互连金属层相连的互连金属塞，以及与所述引出金属层相连的引出金属塞；背照式图像传感器芯片，其正面的电路通过所述互连金属塞与所述互连金属层电性连接；凹槽，形成于所述背照式图像传感器芯片中且露出有所述引出金属塞；以及金属衬垫，形成于所述凹槽中并与所述引出金属塞电连接。本发明只需通过一次光刻工艺便可实现背照式图像传感器芯片的电性引出，本发明工艺比较简单，可大大降低制造成本。
背照式图像传感器及其制造方法

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