专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于LiB3-CN201811138682.7有效
  • 林哲帅;姜兴兴;吴以成 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2018-09-28 - 2021-01-05 - H01L31/103
  • 本发明公开了一种基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件。所述基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件包括:衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极;所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置;所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接;所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为LiB3O5;其中,所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案,使得利用LiB3O5作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光,实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
  • 一种基于libbasesub
  • [发明专利]一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件-CN201811143398.9有效
  • 林哲帅;姜兴兴;吴以成 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2018-09-28 - 2020-10-16 - H01L33/20
  • 本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置;所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接;所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2;其中,所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案,使得利用KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光,实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
  • 一种基于kbbf晶体深紫二极管器件

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