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[发明专利]一种高B_s低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法-CN201811259313.3在审
发明人：顾张新;李小龙;邢冰冰;张强原;徐改丽 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种高B_s低损耗软磁铁氧体材料，所述软磁铁氧体材料各主料包括:Fe₂O₃:58.0～62.0mol％，ZnO:12.0～14.0mol％，NiO:1.0～4.0mol％，余量为MnO。按重量百分比，并以预烧后的主料为参考基准，以氧化物计算，掺杂剂包括SiO₂：0.00～0.01wt%，CaCO₃：0.01～0.12wt%，ZrO₂：0.01～0.05wt%，Nb₂O₅：0.01～0.03wt%，Ta₂O₅：0.005～0.02wt%；然后依次通过配方、一次砂磨、预烧、掺杂、二次砂磨、成型和烧结，即得所述磁环样品。材料具有高B_s低损耗特性，能满足电源变压器小型化和高效率化的要求。
软磁铁氧体材料低损耗砂磨预烧主料低损耗特性电源变压器氧化物计算重量百分比参考基准烧结掺杂剂高效率磁环制备成型掺杂配方

[发明专利]一种大尺寸钽酸锂衬底片背面粗糙度的干式加工方法-CN201810908312.0在审
发明人：归欢焕;沈浩;朱海瀛;顾鑫怡 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B24C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸钽酸锂衬底片背面粗糙度的干式加工方法，其特征在于，将经双面研磨后的钽酸锂衬底片放入旋转加工台的工件位中，利用喷射处理装置将磨料粉末喷射到钽酸锂衬底片的加工面上以达到所需的粗糙度。本发明特别适用于≥4英寸的钽酸锂衬底片的背面粗糙度的加工，其优势在于：一是相对于传统的只是通过双面研磨加工粗糙度的工艺，具有面内粗糙度偏差小、稳定性高的特点；二是可以有效的避免因为双面研磨而产生的背面不良问题；三是在前道的双面研磨过程中，可以使用3μm～50μm的磨料细粉加工，这样可以减少后续的减薄和抛光的去除量，从而提高加工效率和降低加工成本。
衬底片粗糙度钽酸锂双面研磨背面干式加工加工喷射处理装置磨料粗糙度偏差旋转加工台不良问题加工效率磨料粉末细粉加工抛光传统的放入减薄去除喷射

[发明专利]一种多相复合尖晶石柔性材料制造方法-CN201810610811.1在审
发明人：邢冰冰;李小龙;邵峰;张良生;陈诚海;缪思敏 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：科技产品对人类社会行为和生活方式的改变无处不在，智能手机、汽车电子等领域的无线充电技术让人们的舒适感和便捷性得到前所未有的提高。本发明的多相复合尖晶石柔性材料制造方法，通过单相颗粒制作、第二相复合、成型烧结等工序，最终得到一种柔性材料，具有高的复数磁导率实部，低的复数磁导率虚部，高的饱和磁通密度。材料柔韧性好，可弯折，适用于制作柔性磁片、柔性变压器等产品。
柔性材料复合尖晶石复数磁导率柔性变压器柔韧性饱和磁通单相颗粒科技产品汽车电子人类社会柔性磁片无线充电智能手机烧结便捷性第二相可弯折实部虚部制作成型制造生活方式复合

[发明专利]一种高绝缘电阻FeSiCr金属软磁材料的制造方法-CN201611241798.4有效
发明人：马占华;杨代权;孙蒋平;赵栋骏;李小龙;吴利强 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种高绝缘电阻FeSiCr金属软磁材料的制造方法，包括熔炼，气、水联合雾化，筛分，粉末分级配比，混料，粉末钝化，搅拌包衣，制粒，压制成型和烧结步骤，其中（6）粉末钝化：粉料预热至75～90℃加入相对于粉体0.1～0.35wt%磷酸锰和0.1～0.35wt%磷酸铬的混合溶液，搅拌10～15min，再120℃烘干2小时，过100目筛网。本发明有效地克服了传统工艺存在的绝缘电阻低、耐电压低、包覆层不均匀、不致密等缺陷，采用本发明方法制作的高绝缘电阻FeSiCr金属软磁材料的绝缘电阻IR大于1GΩ，耐电压大于100V，磁导率为60(1±20%)。
一种绝缘电阻 fesicr 金属材料制造方法

[发明专利]一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法-CN201610660753.4有效
发明人：姚志炎;沈浩;归欢焕;朱海瀛;顾潇威 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法，采用一种胶水混合一定比例的碳酸锂粉和具有脱氧能力的单质材料成为混合体系并通过丝网印刷方法均匀涂覆于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的两面，置于不锈钢容器中，然后放入热处理炉中，在流量为6L/min～10L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原处理。混合体系中胶水为有机硅胶，具有脱氧能力的单质材料为Zn粉末，其在混合体系中占质量比为35％以下。本发明在钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度条件下进行还原黑化处理，经过黑化处理减弱其热释电性质，从而降低了SAW滤波器件制造成本并提升了生产效率。
一种钽酸锂铌酸锂晶体基片黑化方法

[发明专利]一种高居里温度高磁导率锰锌铁氧体材料及其制备方法-CN201810034824.9在审
发明人：王鑫;邢冰冰;李小龙;董诗远;严密 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种高居里温度高磁导率锰锌铁氧体材料及其制备方法，采用本发明制作的高居里温度高磁导率锰锌铁氧体材料：居里温度Tc＞200℃；初始磁导率μi＞7000（25℃），μi＞6000（100℃）；比温度系数αF(‑0.5～0.5)×10‑6/℃（25℃～100℃）；饱和磁通密度Bs≥490mT（25℃）。本发明方法制作的材料居里温度Tc＞200℃；初始磁导率μi＞7000（25℃），μi＞6000（100℃）；比温度系数αF(‑0.5～0.5)×10‑6/℃（20℃～100℃）；饱和磁通密度Bs≥490mT（25℃）。
锰锌铁氧体材料高磁导率初始磁导率居里温度Tc 饱和磁通温度系数制备制作

[发明专利]一种钽酸锂晶体基片黑化方法-CN201710880277.1在审
发明人：沈浩;顾潇威;凡勇 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶体基片黑化方法，将一种胶水与高纯度碳酸锂粉末按1～4：1～1.2的比例混合，通过毛刷涂抹丝的方法均匀涂覆于待处理钽酸锂晶体基片的两面，然后放入不锈钢容器中，在流量为10～30L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂晶体基片进行还原黑化处理。本发明在钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原黑化处理。经过黑化处理减弱其热释电性质，从而降低了SAW滤波器件制造成本并提升了生产效率。
一种钽酸锂晶体基片黑化方法

[发明专利]一种基于PLC控制器自动实现压电晶体单畴化的方法-CN201711212344.9在审
发明人：刘新地;张伟明;洪宇峰 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PLC控制器自动实现压电晶体单畴化的方法，所述自动实现压电晶体单畴化的方法中包括用于加热的极化炉、温控仪、程控电源、PLC控制器和电脑，所述PLC控制器通过数据线分别与温控仪、程控电源和电脑连接；所述PLC控制器包括控制屏和控制系统，所述控制屏上设有自动极化的条件设置选项，包括手动、自动极化设置选项；极化温度设置选项；恒温延时设置选项；极化方式设置选项；极化电流、电压设置选项；极化电流、电压上升时间设置选项、极化关闭方式设置选项和报警功能设置选项。本发明真正实现了自动化，解放了劳动力，提高了极化的质量，特别适合规模性大批量生产作业。
一种基于 plc 控制器自动实现压电晶体单畴化方法

[发明专利]一种压电晶体的制造方法-CN201710455512.0在审
发明人：徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张鸿;张坚;陈晓强;沈礼东;陈铖;沈晓燕 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电晶体的制造方法，使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度<0.1mm/h，同时晶体不旋转，所述长晶过程中，晶体顶端位置不高于坩埚口。本发明晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒，来满足声表面波滤波器（SAW）设计时各种晶体轴向的要求，特别是解决一些传统提拉法（CZ）无法生长的晶体轴向。
一种压电晶体制造方法

[发明专利]一种蓝宝石手机贴膜及其加工工艺-CN201611080401.8在审
发明人：沈晓燕 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石手机贴膜，其厚度为0.175‑0.18 mm，由依序层叠设置的蓝宝石基板、亚克力光学胶和硅胶层组成。加工这种蓝宝石手机贴膜的工艺为选晶锭‑定向‑开料‑去头尾‑平面磨‑切片‑粗磨‑外形加工‑清洗‑退火‑双面精磨‑清洗‑双面抛光‑清洗‑涂胶。所述的定向是用晶向仪准确定位A面；切片是将多线切割机切割程序设置为先减速后加速；外形加工中在用精雕机加工听孔、功能键孔前先用激光切割出大致轮廓；清洗中依次使用界面活性剂、水、盐酸加双氧水、水，并配合专用甩干机进行甩干。所述工艺可以获得无表面缺陷、耐磨、高透光率、高强度的蓝宝石手机贴膜，提高了产品良率，使成本降低促进大规模稳定生产。
一种蓝宝石手机及其加工工艺

[发明专利]一种将插卡式微逆变器安装于光伏组件的工具和方法-CN201380004249.3有效
发明人：滕斌;王国强;庞邦永 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H02S40/32 文献下载
摘要：本发明属于太阳能光伏行业交流组件技术领域，具体涉及一种插卡式光伏微逆变器和可安装该插卡式光伏微逆变器的光伏组件以及安装工具和快速安装方法。插卡式光伏微逆变器的连接件的侧边上设有两个卡脚，相应的光伏组件的金属框的侧边上设有两个卡槽，安装工具包括扳杆和链接条，其设计符合杠杆原理，安装步骤如下⑴取插卡式光伏微逆变器，使连接件侧边向着光伏组件金属框侧边，将连接件侧边上的两个卡脚分别对准光伏组件金属框侧边上的两个卡槽的插孔，并使卡脚插入卡槽的插孔，⑵借助安装工具，转动扳杆，使卡脚紧紧地卡入卡槽的卡口内。本发明能保证光伏微逆变器与组件连接的稳固可靠，又可大幅减少光伏微逆变器的安装时间，从而提高了交流组件的生产效率，降低了生产成本。
一种插卡式微逆变器安装组件工具方法

[发明专利]一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法-CN201610661768.2在审
发明人：徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张伟明;张鸿;陈晓强;陈超 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公布了一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法。在高纯氧化钽（Ta₂O₅）、碳酸锂（Li₂CO₃）中掺入0.1%wt—0.15%wt的Fe₂O₃，原料经过烘烤除湿、预混、压块、高温烧结等工序，然后放入长晶炉的铱坩埚中，在保护气氛下，通过提拉法（CZ）长晶，生长出大尺寸（3‑6英寸）钽酸锂单晶。掺铁钽酸锂晶体通过Fe³⁺的掺入，减少了长晶扩肩过程中及等径后期多晶的产生，有效的提高了晶体的质量，光折变性能、冲击韧性、光吸收系数，使其更适用于制作声表面波滤波器（SAW），能够完全取代不惨杂钽酸锂晶体，在声表面波滤波器（SAW）的应用，具有重大生产改进意义及市场前景。
一种掺铁钽酸锂晶体制造方法

[发明专利]高频锰锌铁氧体材料-CN201610007667.3在审
发明人：邢冰冰;潘晓东;张强原;顾张新 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：本发明涉及高频锰锌铁氧体材料，材料主成分以各自氧化物计算分别为Fe₂O₃：53mol%~62mol%，ZnO：0.5mol%~10.0mol%，其余为MnO；副成分I类和II类，以主成分计，分别以CaCO₃、Nb₂O₅、SiO₂、V₂O₅和Li₂CO₃计的I类副成分的总含量为0.02 wt%~0.15 wt%，分别以ZrO₃、Co₂O₃、TiO₂和SnO₂计的II类副成分的总含量为0.10 wt%~0.75 wt%，副成分组合中至少包含一种II类副成分。本发明在0℃到125℃的温度范围内，具有低的功率损耗和高的工作频率范围：在f≤5MHz、B≤30mT条件下的损耗为500kW/m³或者更低；其功率损耗变化率小，性能稳定，用于制作各类电感器、变压器，应用于高频领域。
高频铁氧体材料

[发明专利]一种宽温低损耗功率锰锌铁氧体及其制备方法-CN201410834031.7在审
发明人：邢冰冰;张强原;潘晓东 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽温低损耗功率锰锌铁氧体及其制备方法。材料主成分Fe₂O₃：52.5mol%~53.5mol%，ZnO：8.0mol%~10.0mol%，其余为Mn₃O₄；副成分CaCO₃、Nb₂O₅、Bi₂O₃和Co₂O₃的总含量为主成分总量的0.05wt%~0.75wt%。采用干法制粉，依次包括混合、预烧、粉碎、造粒、压制和烧结步骤，其中烧结温度在1260℃~1280℃。本发明的锰锌铁氧体的初始磁导率μ_i为：2000~4000（10kHz、0.25mT、25℃±3℃），其功率损耗P_cv小于300kW/m³（300kHz、100mT、（0~140℃）±3℃），小于300kW/m³（300kHz、100mT、±3℃），比损耗因子tanδ/μ_i小于5×10^-6（300kHz），能够很好的满足节能环保电源对低损耗高频变压器的设计要求。
一种宽温低损耗功率铁氧体及其制备方法

[发明专利]一种低温度因数抗应力镍锌铁氧体及其制备方法-CN201410803613.9有效
发明人：马占华;潘晓东;赵一峰;赵东升 -专利权人： 天通控股股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率电感用起始磁导率为500的低温度因数、抗应力镍锌铁氧体及其制备方法。该镍锌铁氧体主成分以氧化物计算为：Fe2O3 43.8~48.2mol%、NiO 15.3~20.2mol%、ZnO 28.8~31.2mol%、CuO 4.3~6.1mol%；副成分为：纳米SiO2 0.90~1.3wt%、纳米Bi2O3 0.13~0.25wt%、Co3O4 0.05~0.08wt%、TiO2 0.10~0.25wt%、滑石粉0.10~0.45wt%。采用氧化物法制备，在一定条件下烧结。烧结后制品的结晶晶粒平均尺寸为25～35μm，有明显晶界，制品具有在应力作用下-40℃～125℃范围内磁导率变化较小的特点，适应需要树脂封装的功率电感对铁氧体材料抗应力的要求。
一种温度因数应力铁氧体及其制备方法