专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286156.X在审
  • 沈涛 - 天津万汇亿创科技有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-06-23 - H01L21/34
  • 本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括:利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理,得到形成在当前N+型氧化镓晶锭上表面的N‑型氧化镓漂移层;在N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极;对当前N+型氧化镓晶锭进行裁切,得到预设厚度的N+型氧化镓衬底和第一N+型氧化镓晶锭;在N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极;将第一N+型氧化镓晶锭作为当前N+型氧化镓晶锭,跳转到“利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理”,直至当前N+型氧化镓晶锭的厚度小于预设厚度,得到多个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
  • 肖特基二极管制备方法

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