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[发明专利]一种柔性磁结构及其制备方法-CN202310542635.3有效
发明人： 员朝鑫;王向谦;谢明玲;强进;何开宙;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性磁结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域，磁结构柔性基体选用耐高温微米级聚酰亚胺（PI）薄膜，柔性磁结构的势垒层选用2D‑MoS2。柔性磁结构由下向上包含依次叠加分布的耐高温聚酰亚胺（PI）柔性基体、缓冲层、第一铁磁层、2D‑MoS2势垒层、第二铁磁层和覆盖层。制备方法包括：1）刚性衬底上制备第一柔性支撑层PI基体，柔性支撑层PI厚度为10~15μm，SiO2厚度为15~20nm；2）于刚性基片上柔性基体一侧表面制备磁结构缓冲层与参考层；3）于磁结构参考层之上插入2D‑MoS2势垒层；4）于2D‑MoS2势垒层一侧表面制备磁结构自由层与覆盖层；5）刚性衬底与PI剥离实现柔性磁结构。本发明具有可大面积成膜、高度挠性和微米级膜厚的几何特点。
一种柔性结构及其制备方法

[发明专利]一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法-CN202210554994.6有效
发明人：谢明玲;王向谦;宋玉哲;何开宙;员朝鑫;谭稀 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1：在预处理后的衬底上通过磁控溅射沉积金属钼，得沉积有金属钼薄膜的衬底；S2：将步骤S1所得沉积有金属钼薄膜的衬底在真空管式炉退火系统中硫化退火，得低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明还包括采用上述方法制备得到低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明采用磁控溅射制备金属钼薄膜，然后用真空管式炉退火系统进行硫化退火制得低维层状二硫化钼薄膜材料，有效解决了现有技术中薄膜面积有限、与衬底结合力差、易生成氧化钼和性能较差等问题。
一种层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法-CN202211179280.8有效
发明人： 员朝鑫;何开宙;谢明玲;王向谦;强进;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法，涉及微纳加工与元器件集成技术领域，具体为选取完成器件核心微结构加工前道工序的晶圆作为衬底基片，在衬底基片上涂布一层PI薄膜；再将衬底基片置于恒温加热平板上保温一段时间；之后在光刻机中通过掩膜曝光完成图形化，再通过显影工艺去除金属电极Pad位置上方的PI薄膜；最后将衬底基片置于加热平台中进行阶梯式固化完成有机介电层的制备。一方面，旋涂工艺成膜、一次光刻实现图形化、低温可固化的制备方法，极大的简化工艺制程，降低生产成本；另一方面，有机材料可以在器件微结构及信号线存在较大坡度角位置处形成良好的包覆，有效降低介电层断裂风险的几率，从而提高电子器件的寿命。
一种 mems 电子器件有机介电层低温制备方法

[实用新型]一种晶圆匀胶设备-CN202222785515.X有效
发明人：刘斌;王向谦;徐武德;员朝鑫;谢明玲;李钰瑛;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆匀胶设备，涉及晶圆加工处理设备技术领域，该晶圆匀胶设备，包括底盘，所述底盘的表面固定连接有支撑杆，所述支撑杆的表面固定连接有胶液罐，所述支撑杆的表面固定连接有与胶液罐相连通的滴胶管，所述底盘的表面转动连接有吸盘，所述底盘的表面上设置有夹持机构，通过夹持机构的设置，使晶圆在放在吸盘上后，能够在吸盘的吸力和晶圆自身的重力下，带动夹块自动对晶圆进行夹持，从而无需工作人员放入晶圆后在进行操作，进而尽量避免了二次操作时，使外界的灰尘等杂质飘落在晶圆的表面，从而降低晶圆匀胶质量的情况，从而提高了晶圆的匀胶效果，保证了晶圆的加工质量。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法-CN202210147343.5有效
发明人：高晓平;谢明玲;王向谦;员朝鑫;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构简单，衬底电位生成子电路会产生PMOS管的衬底电位，在电源掉电情况下可有效降低输出端出现高电位时的电流倒灌，可以实现其漏电流低于1uA指标。
一种 cmos 工艺兼容接口芯片掉电保护电路方法

[发明专利]一种宽电源电压范围输入电平检测电路-CN202210523549.3在审
发明人：王向谦;高晓平;员朝鑫;刘斌;李钰瑛;徐武德 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03K5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽电源电压范围输入电平检测电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、PMOS管P0、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、电阻R1和电阻R2。本发明的一种宽电源电压范围输入电平检测电路通过N1管来调节N2和P0的开启电流，从而实现输出端的电平识别翻转。并且电路能拓展VDD电源电压的范围，使VDD电源电压达到更低的电源电压要求，本发明的数字输入翻转点为通过加入电阻R1和电阻R2调节后级PMOS管P3与NMOS管N3的栅电容充放电平衡，实现最终电路输出波形的脉宽占空比传输稳定。
一种电源电压范围输入电平检测电路

[发明专利]一种接口芯片掉电保护电路及方法-CN202210146706.3在审
发明人：高晓平;员朝鑫;谭稀;何开宙;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路、上拉功率管保护子电路和衬底电位生成子电路；其中，电源芯片保护子电路的第一输入端作为接口芯片掉电保护电路的输入端，电源芯片保护子电路的第一输出端和第二输出端分别与上拉功率管保护子电路的第一输入端和第二输入端连接，电源芯片保护子电路的第三输出端与衬底电位生成子电路的输入端连接，电源芯片保护子电路的第三输出端作为接口芯片掉电保护电路的输出端。本发明解决了接口电路电源掉电情况下的输出端到电源端口倒灌电流问题，具有电路结构简单、使用方便、面积小且不产生额外功耗的特点。
一种接口芯片掉电保护电路方法

[发明专利]测试装置及方法、显示装置-CN201910576971.3有效
发明人：罗正位;张顺;员朝鑫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开是关于一种测试装置及方法、显示装置，所述测试装置包括第一焊盘和开关电路，第一焊盘设于所述阵列基板，用于向所述阵列基板传输测试信号；开关电路设于所述阵列基板，分别连接测试信号端、控制信号端和所述第一焊盘，用于在阵列测试阶段响应控制信号而导通以将测试信号传输至所述第一焊盘。通过在第一焊盘和测试信号端设置开关电路，开关电路在测试阶段响应控制信号导通，在非测试阶段响应控制信号关断，既能够实现阵列基板的测试，同时也能够防止模组工艺中切割后的测试导线短路对阵列基板内部电路造成影响，降低产品的次品率，提升阵列基板的质量。
测试装置方法显示装置

[发明专利]一种有机发光显示面板及显示装置-CN201910927795.3有效
发明人：宋二龙;员朝鑫;孟会杰;周宏军;杜丽丽;余菲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示面板及显示装置，通过将最外侧环状挡墙结中第一像素定义层设置成至少覆盖第一阳极层位于顶部表面的部分，这样可以避免在第一像素定义层和第一阳极层靠近显示区域的边缘处形成坡度角，一旦在第一像素定义层和第一阳极层的边缘处形成坡度角，由于坡度角位置为应力集中处，则在后续进行沉积TFE封装层中最外层无机层时，由于无机层的韧性较差，则该最外层无机层在该坡度角位置(应力集中处)容易发生断裂；因此本发明通过至少减少最外侧挡墙结构靠近显示区域一侧的应力集中处，可以降低TFE封装层中最外层无机层发生断裂的几率，从而防止外界水汽进入显示区域，提高显示器件的寿命。
一种有机发光显示面板显示装置

[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置-CN201980002586.6在审
发明人：宋二龙;员朝鑫;胡文博;张顺;罗正位;孟会杰;张永康 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示基板包括多个阵列排布的子像素、信号线(20)和第一挡墙结构(50)，信号线(20)中第一导电图形(201)位于基底(10)和第二导电图形(202)之间；第一挡墙结构(50)的第二部分(502)在基底(10)上的正投影与第一导电图形(201)在基底(10)上的正投影至少部分交叠，第二部分(502)在基底(10)上的正投影远离多个阵列排布的子像素的边界(38)，位于多个阵列排布的子像素与第一导电图形(201)在基底(10)上的正投影中远离多个阵列排布的子像素的边界(31)之间；第二部分(502)在基底(10)上的正投影与第二导电图形(202)在基底(10)上的正投影至少部分交叠，第二导电图形(202)在基底(10)上的正投影靠近多个阵列排布的子像素的边界(34)，位于多个阵列排布的子像素与第二部分(502)在基底(10)上的正投影中靠近多个阵列排布的子像素的边界(37)之间。
一种显示及其制作方法显示装置

[发明专利]一种高灵敏度多气体检测的气敏传感器-CN201510264982.X在审
发明人：李海蓉;员朝鑫;谢龙珍;张勇;向东旭;邓恒;王芳;孙永哲;常芳芝;刘智多;杨佳明 -专利权人：兰州大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高灵敏度多气体检测的气敏传感器，所述气敏传感器是以纳米氧化镍为气敏材料，其特点在于，所述纳米氧化镍是通过包括如下步骤得到：（1）采用三电极体系在ITO玻璃上电化学沉积镍原子层：工作电极为ITO玻璃，辅助电极为Ni，参比电极为饱和甘汞电极，电解液为硫酸镍水溶液；（2）步骤（1）沉积镍原子层后的ITO玻璃在空气气氛下于350～380℃处理60～90min，冷却，超声处理，得到具有玫瑰花状形貌的所述纳米氧化镍。与现有以纳米氧化镍作为气敏材料的气敏传感器相比，本发明的气敏传感器可显著提高对气体的检测灵敏度，特别是浓度低至20ppm以下的灵敏度。
一种灵敏度气体检测传感器

[发明专利]一种利用溶胶-凝胶法制备的高灵敏度气体传感器-CN201510264908.8在审
发明人：李海蓉;邓恒;王芳;谢龙珍;员朝鑫;向东旭;张勇;孙永哲;常芳芝;刘智多;杨佳明 -专利权人：兰州大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用溶胶-凝胶法制备的高灵敏度气体传感器，所述气体传感器是以纳米氧化铜为气敏材料，其特征在于，所述纳米氧化铜通过溶胶-凝胶法制备得到，包括如下步骤：（1）溶胶凝胶液的制备：以异丙醇为溶剂，一水合醋酸铜为溶质，乙醇胺为稳定剂，将异丙醇、醋酸铜和乙醇胺混合搅拌加热，冷却静置；（2）溶胶凝胶液烘干后，加热至450～550℃，保温1～3小时，冷却。与现有以纳米氧化铜作为气敏材料的气体传感器相比，本发明的气体传感器可显著提高对低浓度气体（如甲醇、乙醇、丙酮、甲醛等）的灵敏度，特别是浓度低至20ppm以下的灵敏度。
一种利用溶胶凝胶法制灵敏度气体传感器

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