[发明专利]存储器元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811264838.6 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN110896078B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/115
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器元件,包括一双晶体管存储单元阵列,双晶体管存储单元阵列中的双晶体管存储单元包括一垂直式选择晶体管与一垂直式数据储存晶体管。双晶体管存储单元阵列包括多个导线叠层,一导线叠层包括一选择栅极线与一字线,字线相邻于选择栅极线。存储器元件包括一垂直通道线的阵列、栅极介电质结构、电荷储存结构与位线,垂直通道线的阵列穿过导线至一参考线,栅极介电质结构环绕在垂直通道线与选择栅极线的阵列中的垂直式选择晶体管的通道区的垂直通道线,电荷储存结构环绕在垂直通道线与字线的阵列中的垂直式数据储存晶体管的通道区的垂直通道线,位线通过垂直通道线的上端耦接至垂直通道线。
搜索关键词: 存储器 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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