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[发明专利]一种BCD半导体器件-CN202010607698.9有效
发明人：乔明;吕怡蕾;梁龙飞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD半导体器件，包括集成于同一芯片上的高压Split Gate MOS器件、高压NLDMOS器件、高压PLDMOS器件、N‑JFET器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件，所有器件均采用深槽隔离。本发明在衬底上实现Split Gate MOS、NLDMOS、PLDMOS、N‑JFET器件、NMOS器件、PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件的单片集成，由埋层和介质槽组成的隔离区域实现集成芯片上各个器件之间的隔离，避免了电压的串扰问题，并且由于Split Gate MOS器件功率密度高，可有效减小芯片面积。
一种 bcd 半导体器件

[发明专利]一种低比导通电阻的功率半导体器件-CN202010125476.3有效
发明人：乔明;梁龙飞;吕怡蕾;齐钊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低比导通电阻(Ron,sp)的功率半导体器件，包括功率器件、瞬态电压抑制器(TVS)；其中功率器件的高压端电极与瞬态电压抑制器的阳极电极通过金属相连，功率器件的低压端电极与瞬态电压抑制器的阴极电极通过金属相连；本发明可以利用瞬态电压抑制器的钳位特性，降低对于功率器件的耐压(BV)需求，从而由于Ron,sp和BV之间的极限关系，可以进一步降低器件的比导通电阻，从而降低器件的功率损耗。
一种通电功率半导体器件