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[发明专利]一种制备纯相多壳层Si2-CN202210226836.8有效
发明人：耿玉琦;朱庆山;向茂乔;赵宇翔 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法通过硅源气与氮源气混合发生反应生成硅胺前驱体粉体，随后经过多次交替吸附硅源气和氮源气与控制增氧的方法获得双壳层球形含氧前驱体粉体，后续进行副产物脱除和热分解得到双壳层纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度的多壳层纯相Si2N2O球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
一种制备纯相多壳层 si base sub

[发明专利]一种制备纯相Si2-CN202210226229.1有效
发明人：朱庆山;向茂乔;耿玉琦;赵宇翔 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纯相Si2N2O粉体的系统及方法，利用硅源气、氮源气和氧源气混合反应一步制备含氧硅胺前驱体和卤化铵的混合物，后续在流化床中进行副产物脱除和热分解得到纯相Si2N2O粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度及纯相Si2N2O粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
一种制备 si base sub

[发明专利]一种纯相Si2-CN202210226231.9有效
发明人：朱庆山;向茂乔;耿玉琦;赵宇翔 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料合成领域，具体是一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括将硅源、氮源混合发生反应获得硅胺前驱体，随后氧源对硅胺前驱体增氧获得含氧前驱体，含氧前驱体经过热分解晶化获得纯相Si2N2O粉体。本发明提供的合成方法不仅解决了传统工艺难以合成纯相Si2N2O粉体的难题，而且工艺流程简单、合成效率高。
一种 si base sub

[发明专利]一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统-CN202011045490.9有效
发明人：朱庆山;向茂乔;郑婕;岳芬 -专利权人：中科南京绿色制造产业创新研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B21/076 文献下载
摘要：本发明提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，得到C包覆Li2TiO3颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体；(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li2TiO3对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
一种 tin 包覆钛酸锂氚增殖及其制备方法装置系统

[发明专利]一种C/TiN包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统-CN202011043508.1有效
发明人： 向茂乔;朱庆山;郑婕;岳芬 -专利权人：中科南京绿色制造产业创新研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G21B1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体，得到TiN包覆Li4SiO4颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得TiN包覆Li4SiO4颗粒与碳源气体；(4)气固分离后得到C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
一种 tin 包覆正硅酸增殖及其制备方法装置系统

[发明专利]一种氮化钛包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统-CN202011043504.3有效
发明人：朱庆山;向茂乔;郑婕;岳芬 -专利权人：中科南京绿色制造产业创新研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G21B1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体；(3)气固分离后得到TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性，且制备工艺简单，具备有良好的经济效益和社会效益。
一种氮化钛包覆正硅酸增殖及其制备方法装置系统

[发明专利]一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的方法-CN202110625468.X在审
发明人：朱庆山;向茂乔;耿玉琦 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的方法，所述方法包括预反应工序(1)、脱卤工序(2)、深度脱卤工序(3)、分解工序(4)、晶化工序(5)、冷却工序(6)和副产物收集工序(7)，可制备杂质含量低，α相含量高，粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本。
一种多级流化床制备质量氮化硅粉体方法

[发明专利]一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法-CN202110625470.7在审
发明人： 向茂乔;朱庆山;耿玉琦 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法，所述方法包括撞击流反应工序(1)、前驱体收集工序(2)、脱卤工序(3)、深度脱卤工序(4)、分解工序(5)、晶化工序(6)、冷却工序(7)和副产物收集工序(8)，可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本低。
一种撞击耦合流化床制备质量氮化硅粉体方法

[发明专利]一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法-CN202110625483.4在审
发明人：朱庆山;向茂乔;耿玉琦 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源在流化床中与氨气反应后，依次经过脱氯、深度脱氯、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本，扩展粉体的应用范围。
一种多级流化床制备质量氮化硅粉体系统方法

[发明专利]一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法-CN202110625946.7在审
发明人： 向茂乔;朱庆山;耿玉琦 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源和氨气在导流反应器中高速撞击并发生反应，然后依次在流化床中经过脱卤、深度脱卤、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量的氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本更低。
一种撞击耦合流化床制备质量氮化硅粉体系统方法

[发明专利]一种制备纯相Si2-CN202210226826.4在审
发明人：朱庆山;向茂乔;耿玉琦;赵宇翔 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纯相Si2N2O空心球形粉体的系统及方法，该方法利用硅源气和氮源气混合反应得到硅胺前驱体和卤化铵混合物，利用氧源气对硅胺前驱体粉体增氧，获得含氧前驱体球形粉体，在流化床中进行副产物脱除和前驱体热分解得到纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
一种制备 si base sub

[发明专利]一种制备纯相多壳层Si2-CN202210226837.2在审
发明人： 向茂乔;朱庆山;耿玉琦;赵宇翔 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法首先通过硅源气与氮源气混合反应获得硅胺前驱体，随后交替利用氧源气和硅源气与氮源气的组合气，获得多壳层球形含氧前驱体，最后经高温热分解获得纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度多壳层纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
一种制备纯相多壳层 si base sub

[发明专利]一种TiN/C包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统-CN202011045488.1有效
发明人： 向茂乔;朱庆山;郑婕;岳芬 -专利权人：中科南京绿色制造产业创新研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒与碳源气体，得到C包覆Li4SiO4颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体；(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
一种 tin 包覆正硅酸增殖及其制备方法装置系统

[发明专利]一种化学气相沉积制备锆包覆层的系统及方法-CN201910619808.0有效
发明人：朱庆山;向茂乔;赵宏丹;宋淼 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/442 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积制备锆包覆层的系统及方法。初始的四氯化锆或四碘化锆经过预反应后合成前驱体，随后在包覆流化床中实现锆包覆层的制备。本发明制备锆包覆材料具有以下优势：生产成本低，环境友好，且包覆材料不受形状限制，特别适合在复杂形状上包覆锆涂层，能够实现批量连续化生产，具有良好的经济效益和社会效益。
一种化学沉积制备覆层系统方法

[发明专利]一种流态化化学气相沉积锆包覆层的系统及方法-CN201910619516.7有效
发明人：朱庆山;向茂乔;赵宏丹;宋淼 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种流态化化学气相沉积锆包覆层的系统及方法。初始原料粉体在流化床内经过预处理，随后在包覆流化床中实现锆包覆层的制备。本发明制备锆包覆材料具有以下优势：(1)包覆材料的形状和尺寸不受限制，能够在非常复杂形状零部件或粉体上沉积Zr包覆层；(2)生产成本低，环境友好，能够实现锆源的循环利用；(3)显著降低了传统Zr包覆层的温度；(4)通过连续进出料的流化床，从而能够实现连续规模化批量生产，具有良好的经济效益和社会效益。
一种化化学气相沉积覆层系统方法

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