[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置在审
申请号: | 202010221800.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111799170A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 后平拓;田所昌洋 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种蚀刻方法,将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下,并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i),该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i),对于i可取的所有的值,对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua,蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k),第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k),对于k可取的所有的值,对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下,使Ua/Ub满足0.04<Ua/Ub<0.22。由此,对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物,能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造