[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。