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[实用新型]一种太阳能光伏组件的安装边框-CN201120475537.5有效
发明人：刘汪利;马俊;卜林;李香莲 -专利权人： 合肥晶澳太阳能科技有限公司;上海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能光伏组件的安装边框，包括支撑架、安装槽，所述安装槽位于支撑架的上方，所述安装槽上方具有与安装槽连通的溢胶槽，所述溢胶槽靠近安装槽底部的开口处具有一挡胶钩，所述挡胶钩端部的端面与安装槽底面的距离为3mm～4mm。本实用新型较短的挡胶钩长度可增大溢胶槽与安装槽的连通空间，防止密封绝缘层断开或缺胶保证密封性能。
一种太阳能组件安装边框

[发明专利]一种湿法刻蚀工艺-CN201110423218.4无效
发明人：刘光;朱生宾;王永丰;谢忠阳 -专利权人： 合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF0.5%~10%、HNO35%~55%、H2SO45%~55%、醋酸5%~30%。通过增加背面抛光工序，可以使硅片背面更加光滑，加强其背反射，增强对太阳光中的长波段光谱的吸收，从而增加光能转换，提高电池的Isc，最终提高电池的转化效率。并且光滑的电池背面更加有利于后续铝硅合金与硅体的结合，提高其欧姆接触，加强该界面对光的反射效果，提高Voc，最终提高电池的转换效率。
一种湿法刻蚀工艺

[发明专利]一种太阳能电池组件PID的测试方法-CN201110456148.2无效
发明人：柳国伟;徐德生;张宝华 -专利权人：上海晶澳太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池组件PID的测试方法，包括以下步骤：(1)测试并记录被测太阳能电池组件的初始数据；(2)将被测太阳能电池组件安装在高低温实验环境箱内且二者之间做绝缘处理；(3)将被测太阳能电池组件正负极短接后与高压加载设备的负极极连接，太阳能电池组件的边框与高压加载设备的正极连接；(4)启动高低温实验环境箱，开启高压加载设备并调试其输出电压值为600～1000V，同时开启电流监控仪进行漏电监控；(5)持续设定时间后关闭高压加载设备及高低温实验环境箱，待被测太阳能电池组件的温度下降至室温后将其取出；(6)测试并记录被测太阳能电池组件的最终数据；(7)对比被测太阳能电池组件的初始数据与最终数据，评价功率衰减；(8)测试完毕。
一种太阳能电池组件 pid 测试方法

[发明专利]一种太阳能电池片的印刷工艺-CN201110446228.X无效
发明人：陈泉;杨虎;汤坤;兰李宁;任克勇;陈赛赛;宋锋兵 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的印刷工艺，包括印刷正面电极和背面电极，印刷正面电极时将正面银栅线分两次印刷，第一次先印刷副栅，第二次印刷主栅和副栅，或先印刷主栅和副栅，第二次印刷副栅，经上述两次印刷叠加后，即可获得具有高而细的副栅即细栅线的太阳能电池片。该工艺采用二次印刷方式，通过提高正面电极副栅线的高宽比，可以提高太阳电池的光电转化效率；同时在印刷正面电极的主栅线和背面电极时，采用间断方式印刷，在降低银浆料的成本的同时，大幅度的减小了遮光面积，提高了短路电流Isc，从而显著提高了太阳能电池的光电转化效率。
一种太阳能电池印刷工艺

[发明专利]一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺-CN201110446243.4无效
发明人：黄宗明;宋锋兵 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺，包括以下步骤：(1)进舟：将晶体硅片装舟后推进氧化炉管内；(2)温度稳定：调整氧化炉管内的温度；(3)氧化：在氧化炉内注入氧气和氮气对硅片进行氧化；(4)稳定：氧化完成后停止向氧化炉内供氧，调节氮气的流量和氧化炉内的温度；(5)退舟：把装有氧化后硅片的石英舟或石墨舟从氧化炉管中退出。该工艺成本低，工艺设备要求简单，且无需增加额外的设备，其通过在镀钝化膜前将晶体硅片置于氧化炉管中高温干法氧化生长一层氧化膜，与氮化硅薄膜形成性能优异的双层膜，该双层膜具备优异的钝化和减反射性能。
一种晶体硅片高温双面氧化工艺

[发明专利]一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺-CN201110423222.0无效
发明人：谢忠阳;朱生宾;刘光;王永丰 -专利权人： 合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺，选取磷扩散后的晶体硅片，采用PECVD工艺在硅片行进方向上设定不同的微波功率、温度和气体流量比，从而形成一个由下到上折射率依次降低但无明显界限的渐变氮化硅减反射膜。采用本发明方法制备获得的渐变氮化硅底层高折射率的氮化硅薄膜直接接触硅片表面，形成良好的钝化效果，底层高折射率的氮化硅薄膜层较薄，吸光损失较小，对晶体硅太阳能电池的转换效率影响较小，采用高低折射率渐变的氮化硅薄膜，减少了光的反射，提高了减反射效果，有利于提升晶体硅太阳能电池的转换效率。
一种晶体太阳电池渐变反射氮化薄膜制备工艺

[发明专利]一种降低冶金级硅太阳能电池暗电流的扩散工艺-CN201110388671.6无效
发明人：王永丰;朱生宾;刘光;谢忠阳 -专利权人： 合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低冶金级硅太阳能电池暗电流的扩散工艺，第一步进行低温浓磷扩散，在较低温度下，通入高浓度磷源进行扩散，形成高浓度磷掺杂；第二步进行高温长时间磷吸杂，在较高温度下使铁、碳、硼、氧等杂质的沉淀态杂质、替位态杂质或者其它杂质复合体释放成间隙态杂质，间隙态的杂质快速扩散到高固溶度的磷硅玻璃层中，完成高温磷吸杂，提升体少子寿命；第三步低温推进，在较低温度下，推进结深、并调整至工艺要求的方块电阻；并且随着温度的降低表面浓磷区域杂质固溶度降低，使间隙态的杂质转变成沉淀态、复合体等形态的杂质。采用本发明扩散工艺对冶金级晶体硅片进行扩散，可以有效降低太阳电池的暗电流，提高太阳电池的转换效率。
一种降低冶金太阳能电池电流扩散工艺

[发明专利]一种用于晶体硅太阳电池硼掺杂的方法-CN201110389090.4无效
发明人：尹海鹏;徐礼;张俊兵;刘淑华;乔柳;杨玉杰;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池硼掺杂的方法，在制绒后的硅片的表面沉积第一层薄膜-掺硼的氧化硅薄膜，在第一层薄膜表面再沉积第二层薄膜-氧化硅薄膜作为阻挡层，接着对硅片进行高温处理，使硼原子扩散进硅基体，形成硼掺杂层。该方法可在n型硅片上制备硼发射极(p+)，或者在p型硅片上形成硼背场(p+)。通过阻挡层的设置，可以实现单面硼掺杂，同时无需在扩散炉管中通入硼源，减少了炉管的腐蚀，延长了使用寿命；如果在高温退火过程中通入磷源，可以在硅片的两面分别产生硼掺杂和磷掺杂。
一种用于晶体太阳电池掺杂方法

[发明专利]一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺-CN201110388677.3有效
发明人：王永丰;朱生宾;刘光;谢忠阳 -专利权人： 合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅片预清洗液，由以下质量百分含量的组分组成：柠檬酸钠3~15%，异丙醇3%-15%，余量为水。该该预清洗液成分简单，成本低，去除晶体硅片表面杂质残留效果好，对晶体硅片无损伤。还公开了利用上述晶体硅片预清洗液对晶体硅片进行预清洗的工艺，将待清洗的晶体硅片置于预清洗液中，在加热和超声波作用下对晶体硅片进行预清洗处理，该预清洗工艺工艺简单，清洗晶体硅片效率高，清洗效果好，经济安全，过程稳定，无污染；可以有效果的去除硅片表面的金属杂质残留、有机物污染残留、颗粒残留等，提升了晶体硅电池的良品率和效率。
一种晶体硅片清洗及其工艺

[发明专利]一种用于太阳能电池的钝化介质膜-CN201110337119.4无效
发明人：周艳方;尹海鹏;张俊兵;刘淑华;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的钝化介质膜，所述钝化介质膜是由第一介质膜组成的单层结构，或所述钝化介质膜是由第一介质膜和第二介质膜组成的迭层结构，其中第一介质膜与硅基体材料直接相接触，第二介质膜沉积在第一介质膜上。该钝化介质膜具有良好的耐高温烧结和光学减反性能，制作方法工艺窗口较宽，可行性强，利于大规模生产。
一种用于太阳能电池钝化介质

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