专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN200880114751.9有效
  • 原雅史 - 丰田自动车株式会社
  • 2008-11-05 - 2010-09-29 - H01L29/739
  • 提供一种在不增大通态电阻的条件下将外围区高耐压化的半导体装置。绝缘栅双极性晶体管具有体区、保护环与集电层。体区被形成在活性区中漂移层的表层。保护环形成在外围区中漂移区的表层且包围体区。集电层形成在漂移层的背面一侧并形成为横跨活性区与外围区。保护环的背面与漂移层的背面间的距离F大于体区的背面与漂移层的背面间的距离。外围区中集电层的厚度H薄于活性区中集电层的厚度D。通过这种结构,与在活性区中相比,在外围区中向较厚的半导体层中被注入更少的载流子。因此,该绝缘栅双极性晶体管中,与在活性区中相比,能够使被注入外围区中的载流子的密度更低。即,该绝缘栅双极性晶体管能够在不增大活性区通态电阻的条件下提高外围区的耐压。
  • 半导体装置

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