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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]稳健的可灰化硬掩模-CN202180043632.4在审
发明人：马修·斯科特·韦默;拉格什·普顿科维拉卡姆;卡普·斯里什·雷迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本文提供用于形成可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置。在特定实例中，使用含卤素前体可提供具有改进抗蚀刻性的AHM。
稳健灰化硬掩模

[发明专利]具有宽间隙电极间距的低压条件下的高选择性、低应力和低氢碳硬掩模-CN202180046347.8在审
发明人：阿宾·安东尼;孟欣;陈新益;斯里拉姆·松蒂;卡普·斯里什·雷迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本文提供用于通过在低压条件下提供宽间隙电极间距而在衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关设备。宽间隙电极可有助于在低压条件下控制寄生等离子体，由此实现高选择性、低应力和低氢AHM的形成。所述AHM接着可用于将特征蚀刻到所述衬底的底层中。
具有间隙电极间距低压条件下选择性应力低氢碳硬掩模

[发明专利]高选择性掺杂硬掩模膜-CN202280005128.X在审
发明人：索纳尔·巴达乌里亚;拉格什·普顿科维拉卡姆;卡普·斯里什·雷迪;塞沙萨耶·瓦拉达拉简;施卢蒂·维维克·托姆贝尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及高选择性掺杂的硬掩模膜，以及提供和使用此类膜的方法。在具体示例中，高选择性掺杂硬掩模膜可用作硬掩模、中间层或覆盖层。
选择性掺杂硬掩模膜

[发明专利]碳沉积前体如C2-CN202180034871.3在审
发明人： 卡普·斯里什·雷迪;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C07C7/20 文献下载
摘要：本公开涉及包含有乙炔和稳定剂的混合物或溶液的组合物。在特定实施方案中，组合物为包含有加压乙炔的稳定组合物。
沉积前体如 base sub

[发明专利]用于半导体应用的高模量硼基陶瓷-CN202180016256.X在审
发明人：阿南达·K·巴纳基;乔恩·亨利;卡普·斯里什·雷迪;克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积硼基陶瓷膜的方法、装置和系统。有利地，本文所述的硼基陶瓷膜可以在相对低的温度(例如，约600℃或更低)下形成，同时仍然获得表现出良好机械强度(例如，高硬度和杨氏模量)、良好的蚀刻选择性、非晶形态等的非常高质量的材料。这里的膜还具有低氢含量、低氧含量和低卤化物含量。在许多情况下，可以通过卤化硼和饱和或不饱和烃在等离子体存在下的反应形成膜。
用于半导体应用高模量硼基陶瓷

[发明专利]氧化铝层的沉积-CN202210047507.7在审
发明人：梅里哈·歌德·兰维尔;纳格拉杰·尚卡尔;卡普·斯里什·雷迪;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。
氧化铝沉积

[发明专利]氧化铝蚀刻停止层的沉积-CN201711119934.7有效
发明人：梅里哈·哥德·兰维尔;纳格拉杰·尚卡尔;卡普·斯里什·雷迪;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。
氧化铝蚀刻停止沉积

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