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[发明专利]一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构-CN201811633468.9有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构，能够达到用很少的电路去实现复杂的滤波功能，既适用于高速应用场合，又适用于低功耗场合，同时既能在差分模式下工作，也能在单端模式下工作。
一种负反馈跟随以及滤波器结构

[发明专利]一种自偏置的恒流生成电路结构及恒流生成方法-CN201910307120.9有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种自偏置的恒流生成电路结构及恒流生成方法，通过基于自偏置的内置反馈电路产生具有正温度系数的PTAT电流以及具有负温度系数的偏置电流，通过对PTAT电流及偏置电流求和，产生一个恒定的输出电流，实现了与外加电源电压、温度以及工艺参数等弱相关的恒流输出。本发明电路结构可以采用较少的器件、相对简单的电路结构实现自偏置的恒流功能，既适用于低压电源的工作环境的偏置，也适用于高压电源的应用场合的偏置，偏置精密度较高、且功耗低。
一种偏置生成电路结构方法

[实用新型]一种零静态功耗的欠压检测电路-CN201920604958.X有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种零静态功耗的欠压检测电路，包括PMOS管PM1、PM2和PM3；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，可应用于SOC芯片或者模拟芯片中，提供下电过程中的复位信号。本实用新型在正常工作状态下无静态功耗，且电源电压的阈值可以设定的很小，可在低电压环境中应用。
一种静态功耗检测电路

[实用新型]带内置负反馈的跟随器电路结构-CN201920956946.3有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带内置负反馈的跟随器电路结构，通过在现有跟随器电路的基础上增加放大单元，放大单元的输出再去控制跟随器电路的电流负载，构成内置负反馈环路，可以调整跟随器电路的输出带宽、频域的传导函数，同时可以调整跟随器电路的输出电流，从而提高跟随器电路的动态驱动能力。且相对于现有跟随器电路，本实用新型在增加很少器件的基础上，极大的提升了跟随器电路的时域和频域的特性，优势明显。
内置负反馈跟随电路结构

[实用新型]一种可应用于低电压环境的欠压检测电路-CN201920605006.X有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括PMOS管PM1；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，电容CP一端接电源电压VDD，另一端接入NM2的源端，其中NM2都为低阈值NMOS管。本实用新型可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。
一种应用于电压环境检测电路

[实用新型]一种低压零功耗CMOS上电检测电路-CN201920650705.6有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压零功耗CMOS上电检测电路，包括电容Cp、NMOS器件NM1、RS触发器、一级反相器I3、分压模块、整形模块、二级反相器I4、对地延迟电容C1、三级反相器。本实用新型采用PM1和电阻R1的分压的结构，可以在低电压下，实现上电电平的检测，同时PM2和C1产生的延迟，可以帮助快速检测电源上电情况下，产生足够逻辑电路复位的延迟区间；NM1帮助在正常工作状态下，避免产生静态电流消耗，做到无静态功耗的启动电路，适用于低压，低功耗的集成电路芯片应用。
一种低压功耗 cmos 检测电路

[实用新型]基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵-CN201920770472.3有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，包括第一二极管D1，连接电源VDD，输出电压V1；第二二极管D2，输入电压V1，输出电压V4、并与PMOS管PM1的漏极连接；电容C3；电平转换器A1；逻辑模块，连接时钟信号CK、第一检测单元DET1的输出端VO1、第二检测单元DET2的输出端VO2，输出电压V2、V3；跨接在V1、V2之间的第一级电容C1、第一检测单元DET1；跨接在V1、V2之间的第二级电容C2、第二检测单元DET2。本实用新型适用于大输入电压范围，输出为基于电源电压上增加恒定电压的电荷泵，并且有较低的静态功耗，适用于低功耗应用。
输出电压电容本实用新型二极管第二检测输入电压输出端跨接宽范围输入电压低功耗应用电平转换器电源电压恒定电压静态功耗连接电源逻辑模块时钟信号输出第一级电荷泵恒定的检测漏极

[实用新型]一种自偏置的恒流生成电路结构-CN201920524442.4有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自偏置的恒流生成电路结构，通过基于自偏置的内置反馈电路产生具有正温度系数的PTAT电流以及具有负温度系数的偏置电流，通过对PTAT电流及偏置电流求和，产生一个恒定的输出电流，实现了与外加电源电压、温度以及工艺参数等弱相关的恒流输出。本实用新型电路结构可以采用较少的器件、相对简单的电路结构实现自偏置的恒流功能，既适用于低压电源的工作环境的偏置，也适用于高压电源的应用场合的偏置，偏置精密度较高、且功耗低。
自偏置恒流偏置本实用新型电路结构偏置电流生成电路负温度系数正温度系数低压电源反馈电路高压电源输出电流外加电源恒定的弱相关求和功耗内置输出

[实用新型]一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构-CN201822271361.6有效
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构，所述源极跟随器包括第一晶体管、第二晶体管以及电流镜；所述第一晶体管的栅极作为所述源极跟随器的输入节点，其漏极接入一第一电流源，而其源极作为所述源极跟随器的输出节点；所述第二晶体管为所述第一晶体管的折叠共栅晶体管，所述第二晶体管的栅极用于接收一偏置电压，其源极接入所述第一晶体管的漏极，而其漏极接入所述电流镜的输入端；所述电流镜的输出端接入所述输出节点。本实用新型能够达到用很少的电路去实现复杂的滤波功能，既适用于高速应用场合，又适用于低功耗场合，同时既能在差分模式下工作，也能在单端模式下工作。
晶体管源极跟随器电流镜漏极本实用新型滤波器结构输出节点负反馈源极高速应用场合共栅晶体管差分模式滤波功能输入节点低功耗电流源输出端输入端折叠单端电路

[发明专利]带内置负反馈的跟随器电路结构-CN201910547274.5在审
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带内置负反馈的跟随器电路结构，通过在现有跟随器电路的基础上增加放大单元，放大单元的输出再去控制跟随器电路的电流负载，构成内置负反馈环路，可以调整跟随器电路的输出带宽、频域的传导函数，同时可以调整跟随器电路的输出电流，从而提高跟随器电路的动态驱动能力。且相对于现有跟随器电路，本发明在增加很少器件的基础上，极大的提升了跟随器电路的时域和频域的特性，优势明显。
跟随器电路内置放大单元负反馈负反馈环路电流负载动态驱动输出带宽输出电流传导和频频域时域输出

[发明专利]基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵-CN201910445404.4在审
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，包括第一二极管D1，连接电源VDD，输出电压V1；第二二极管D2，输入电压V1，输出电压V4、并与PMOS管PM1的漏极连接；电容C3；电平转换器A1；逻辑模块，连接时钟信号CK、第一检测单元DET1的输出端VO1、第二检测单元DET2的输出端VO2，输出电压V2、V3；跨接在V1、V2之间的第一级电容C1、第一检测单元DET1；跨接在V1、V2之间的第二级电容C2、第二检测单元DET2。本发明适用于大输入电压范围，输出为基于电源电压上增加恒定电压的电荷泵，并且有较低的静态功耗，适用于低功耗应用。
输出电压电容宽范围输入电压二极管第二检测输入电压恒定的输出端跨接输出低功耗应用电平转换器电源电压恒定电压静态功耗连接电源逻辑模块时钟信号第一级电荷泵检测漏极

[发明专利]一种低压零功耗CMOS上电检测电路-CN201910389480.8在审
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压零功耗CMOS上电检测电路，包括电容Cp、NMOS器件NM1、RS触发器、一级反相器I3、分压模块、整形模块、二级反相器I4、对地延迟电容C1、三级反相器。本发明采用PM1和电阻R1的分压的结构，可以在低电压下，实现上电电平的检测，同时PM2和C1产生的延迟，可以帮助快速检测电源上电情况下，产生足够逻辑电路复位的延迟区间；NM1帮助在正常工作状态下，避免产生静态电流消耗，做到无静态功耗的启动电路，适用于低压，低功耗的集成电路芯片应用。
上电检测电路零功耗上电延迟集成电路芯片静态电流消耗正常工作状态二级反相器三级反相器一级反相器分压模块静态功耗快速检测启动电路延迟电容整形模块电容低电压低功耗复位电阻分压电源帮助检测应用

[发明专利]一种零静态功耗的欠压检测电路-CN201910354503.1在审
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供了一种零静态功耗的欠压检测电路，包括PMOS管PM1、PM2和PM3；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，可应用于SOC芯片或者模拟芯片中，提供下电过程中的复位信号。本发明在正常工作状态下无静态功耗，且电源电压的阈值可以设定的很小，可在低电压环境中应用。
欠压检测电路零静态功耗电源电压正常工作状态低电压环境复位信号静态功耗模拟芯片下电过程电容反相器应用

[发明专利]一种可应用于低电压环境的欠压检测电路-CN201910354502.7在审
发明人：庄在龙 -专利权人： 南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括PMOS管PM1；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，电容CP一端接电源电压VDD，另一端接入NM2的源端，其中NM2都为低阈值NMOS管。本发明可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。
低电压环境欠压检测电路电源电压电容应用正常工作状态静态功耗反相器源端

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