专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]X射线感测器及其制作方法-CN200910118511.2有效
  • 陈昱丞;卓恩宗;庄景桑;彭佳添 - 友达光电股份有限公司
  • 2009-02-26 - 2009-07-29 - H01L31/18
  • 本发明提供一种X射线感测器及其制作方法,所述感测器包括:具有光感应区域的基板;图案化第一导电层,其至少包括设于光感应区域内的栅极;栅极介电层;图案化半导体层;图案化第二导电层,至少包括一源极与一漏极;介电层,所述介电层具有第一过孔,其暴露出部分漏极;图案化第三导电层,包括设于光感应区域内的感应下电极,并通过第一过孔而电连接于漏极;图案化富硅介电层;图案化透明导电层;覆盖图案化透明导电层的保护层;以及设于保护层上的闪烁发光层,其对准于图案化富硅介电层。所述感测器是以富硅介电材料作为感光层,增进感光灵敏度。此发明可使用较少的光刻暨刻蚀工艺,并降低薄膜层的总厚度,达到简化工艺与降低成本的目的。
  • 射线感测器及其制作方法
  • [发明专利]光电池元件及显示面板-CN200910002059.3有效
  • 卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 - 友达光电股份有限公司
  • 2009-01-12 - 2009-06-17 - H01L31/068
  • 一种光电池元件及显示面板,该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上,其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上,其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率,以及较佳的结构稳定性。另外,光电池元件的膜层厚度要求可较薄,因此,其较容易整合于显示面板的工艺中。如此一来,当光电池元件因感光所产生的电能便可转为显示面板使用,进而达到节能省电的目的。
  • 光电池元件显示面板
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN200810131286.1有效
  • 李明贤;石靖节;卓恩宗;彭佳添;林昆志 - 友达光电股份有限公司
  • 2008-08-05 - 2008-12-17 - H01L21/84
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,该方法包括下列步骤。首先,提供具有像素区以及光感测区的基板。之后,形成图案化第一导电层于基板上,其中图案化第一导电层包括位于像素区的栅极以及位于光感测区内的第一电极,并且于第一电极上形成光敏介电层。继之,形成栅极绝缘层于基板上,以覆盖栅极、光敏介电层以及第一电极。接着,形成图案化半导体层于栅极上方的栅极绝缘层上。之后,形成源极以及漏极于栅极两侧的图案化半导体层上,而栅极、源极与漏极构成薄膜晶体管。接着,形成第二电极于光敏介电层。
  • 薄膜晶体管阵列及其制作方法
  • [发明专利]制作光感应器的方法-CN200810108414.0有效
  • 石靖节;卓恩宗;彭佳添;林昆志 - 友达光电股份有限公司
  • 2008-05-27 - 2008-10-08 - H01L21/84
  • 一种制作光感应器的方法。该方法包括:提供一基板,其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域;于该基板上形成一图案化第一导电层;于该基板与该栅极表面形成一栅极介电层;于该栅极上方的该栅极介电层表面形成一图案化非晶硅层;于该基板上形成一图案化第二导电层;于该基板上形成一图案化富硅介电层;以及于该基板上形成一图案化透光导电层,其至少包括该光感应器的一上电极,设于该光感应区域。该光感应器包括下电极、含有富硅材料的介电层与上电极,能有效提高光感应器的器件可靠性,且能整合薄膜晶体管的制造工艺而降低产品的整体制造工艺成本。
  • 制作感应器方法
  • [发明专利]包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法-CN200810008557.4有效
  • 卓恩宗;赵志伟;彭佳添;刘婉懿;孙铭伟 - 友达光电股份有限公司
  • 2008-01-23 - 2008-07-30 - H01L21/00
  • 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中,包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤:于基底上形成第一导电层,于第一导电层上形成富硅介电层,至少对富硅介电层进行激光退火步骤,使富硅激发产生聚集,以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47~2.5的富硅氧化层,或折射系数约为1.7~2.5的富硅氮化层,包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。
  • 包括纳米管芯多层结构及其制作方法

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