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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种液相法生长碳化硅单晶的方法-CN202310677186.3在审
  • 张泽盛;韩永超;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/36
  • 本发明涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法，所述方法采用具有可提供生长原料的物料块的液相法生长碳化硅单晶的装置进行，所述方法为：选择生长原料；使生长原料装盛在坩埚主体内，加热以使生长原料熔化成液态；使籽晶杆上固定的籽晶下降至与液态的生长原料液面相接触进行碳化硅单晶的生长，得到碳化硅单晶；在长晶过程中，可提供生长原料的物料块浮在液态的生长原料液面为碳化硅单晶生长持续提供生长原料。本发明在长晶过程中，能够缩短供碳距离，为碳化硅单晶生长过程提供充足且长时间稳定的碳源，大幅度地减少包裹物的产生，有效提高了单晶生长质量，同时还有效地抑制了坩埚壁被熔穿的现象的发生。
  • 一种液相法生长碳化硅方法
  • [发明专利]一种碳化硅单晶的液相生长装置-CN202310677184.4在审
  • 张泽盛;张广宇;黄岩 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/36
  • 本发明涉及一种碳化硅单晶的液相生长装置，包括生长坩埚、籽晶杆、感应加热装置和设置在生长坩埚与感应加热装置之间的保温层；生长坩埚包括装盛有生长原料的坩埚主体和具有开口的坩埚盖，籽晶杆固定有籽晶的一端通过开口伸入坩埚主体内；保温层包括位于生长坩埚上方的上保温区域、位于生长坩埚四周的外围保温区域以及位于生长坩埚下方的下保温区域；通过改变所述外围保温区域的外形实现对所述液相生长装置的温场的控制；上保温区域设置有与开口相对应的通孔，通孔用于供籽晶杆通过。本发明装置可对晶体生长的温场进行多样性调控，为晶体生长提供了更多的可能性。
  • 一种碳化硅相生装置
  • [发明专利]一种液相法生长碳化硅单晶的装置-CN202310677183.X在审
  • 张泽盛;张广宇;韩永超 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/20
  • 本发明涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置，包括生长坩埚、籽晶杆、感应加热装置和可提供生长原料的物料块；生长坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚主体装盛有生长原料，坩埚盖具有开口，籽晶杆用于固定籽晶的一端通过开口伸入坩埚主体内部；所述物料块的密度小于液态的生长原料的密度，所述物料块浮在液态的生长原料液面。本发明中的装置能够缩短供碳距离，并为碳化硅单晶生长过程提供充足且长时间稳定的碳源，大幅度地减少包裹物的产生，有效提高了单晶生长质量，同时还有效地抑制了坩埚壁被熔穿，防止了助溶液泄漏影响温场、甚至损毁单晶炉的情况发生。
  • 一种液相法生长碳化硅装置
  • [发明专利]一种碳化硅单晶的生长方法-CN202310677185.9在审
  • 张泽盛;黄岩;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/36
  • 本发明涉及一种碳化硅单晶的生长方法，所述方法采用具有保温层的碳化硅单晶的液相法生长装置进行，保温层包括上保温区域、外围保温区域以及下保温区域；通过改变外围保温区域的外形实现对液相法生长碳化硅单晶的温场的控制；所述方法为：选择生长原料；使生长原料装盛在坩埚主体内，加热以使生长原料熔化成液态；使籽晶杆上固定的籽晶下降至与液态的生长原料液面相接触进行碳化硅单晶的生长，得到碳化硅单晶。本发明可对晶体生长的温场进行多样性调控，为晶体生长提供了更多的可能性。
  • 一种碳化硅生长方法
  • [发明专利]一种CeCr2-CN202310388312.3在审
  • 张泽盛;龚春生 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-06-23 - C30B29/52
  • 本发明提供了一种CeCr2Si2C单晶及其生长方法，属于晶体生长技术领域，该生长方法包括如下步骤：S1.将保护气氛围中，将原料装入石墨坩埚，得到石墨坩埚组合件；原料包含Ce、Cr和Si；S2.将石墨坩埚组合件进行热处理、降温处理，得到CeCr2Si2C单晶。本发明提供的CeCr2Si2C单晶的生长方法操作简单、周期短，可得到片状高质量的CeCr2Si2C单晶。
  • 一种cecrbasesub
  • [发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法及装置-CN202310151760.1在审
  • 张泽盛;龚春生;杨蕾 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-05-30 - C30B11/00
  • 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体的制备方法及装置。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法，应用于碳化硅晶体制备装置，装置包括：生长坩埚，生长坩埚装盛有生长原料；籽晶杆，籽晶杆的一端固定有籽晶；第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元和第二加热单元围绕在生长坩埚四周，第一加热单元位于第二加热单元上部；方法包括：通过籽晶杆控制籽晶与生长原料液面接触；利用第一加热单元使生长坩埚顶部达到第一预设温度；利用第二加热单元使生长坩埚底部达到第二预设温度；其中，第二预设温度大于第一预设温度。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法及装置，能够提供稳定精准的温场。
  • 一种碳化硅晶体制备方法装置
  • [发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法-CN202310214165.8在审
  • 张泽盛;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-05-26 - C30B15/12
  • 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体的制备方法。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括：调节生长坩埚嵌入第一嵌套坩埚，得到嵌套组合；其中，所述生长坩埚中装盛有生长原料；将所述嵌套组合置于晶体炉中；调节籽晶杆使所述籽晶与所述生长原料的液面持平；开启感应线圈以预设功率加热所述嵌套组合，得到匹配1600～2100℃范围的多变温场以在所述籽晶表面生长碳化硅晶体；其中，所述预设功率为5‑11kw。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法，能够安全、长时间地制备高质量的碳化硅晶体。
  • 一种碳化硅晶体制备方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶体生长装置-CN202310214330.X在审
  • 张泽盛;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-05-26 - C30B15/12
  • 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长装置。本发明实施例提供一种碳化硅晶体生长装置，包括生长坩埚和第一嵌套坩埚；所述第一嵌套坩埚设置有第一开口，所述生长坩埚可通过所述第一开口进入所述第一嵌套坩埚；所述生长坩埚装盛有生长原料，所述生长坩埚设置有籽晶通孔，底部固定籽晶的籽晶杆通过所述籽晶通孔进入所述生长坩埚，所述籽晶杆远离所述籽晶的一端连接传动装置，所述传动装置用于控制所述籽晶杆移动以使所述籽晶与所述生长原料的液面接触。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，能够安全、长时间地制备碳化硅晶体。
  • 一种碳化硅晶体生长装置
  • [发明专利]封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法-CN202210277588.X有效
  • 张泽盛;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-03-31 - C30B19/00
  • 本发明提供了一种封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法，其中装置包括：坩埚主体、上坩埚盖、上传动装置和籽晶托；其中，所述上传动装置连接在所述上坩埚盖的外壁上，用于带动所述上坩埚盖进行上下运动和/或旋转运动；当所述上坩埚盖盖在所述坩埚本体上并进行旋转运动时，所述坩埚本体内部保持封闭状态和静止状态；所述籽晶托连接在所述上坩埚盖的内壁上，所述籽晶托可跟随所述上坩埚盖的运动而运动；当所述坩埚本体内盛放有原料液时，所述籽晶托的托盘可浮在液面上，且所述托盘可在原料液浮力的变化下上下浮动。本方案，采用封闭式装置，能够保证液面稳定性，提高晶体质量。
  • 封闭式液相法生长碳化硅装置系统方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置-CN202210277587.5在审
  • 张泽盛;张世博 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2022-03-21 - 2022-06-21 - B28D5/00
  • 本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层朝向陶瓷盘。本发明采用辅助贴蜡装置手动对碳化硅晶片进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。
  • 一种碳化硅晶片方法辅助装置
  • [发明专利]碳化硅籽晶粘接装置和方法-CN202210282096.X在审
  • 张泽盛;杨蕾 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-06-14 - C30B35/00
  • 本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，其中装置包括：加压机构和加热平台；加热平台用于承载并加热粘接件，加热平台可在外力作用下沿自身的竖直中心轴旋转；粘接件包括使用粘结剂粘接好的籽晶与托盘；加压机构，与加热平台同轴设置且位于加热平台上方，包括升降驱动部、加压驱动部、离心驱动部和加压盘；升降驱动部驱动加压盘的升降，当加压盘下降并接触到加热平台承载的粘接件时，利用加压驱动部对加压盘施加压力，以使加压盘对粘接件施加相同压力；利用离心驱动部驱动加压盘沿加压机构的中心轴进行离心旋转运动，使得加压盘带动加热平台进行离心旋转运动。本方案，减少粘接过程中的气泡产生，提高碳化硅单晶的生长质量。
  • 碳化硅籽晶装置方法
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