专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种强度可调的宽谱光源装置及调节方法-CN202310920552.3在审
  • 韩永超;韦成华;吕玉伟;张冉;张检民;王家伟 - 西北核技术研究所
  • 2023-07-25 - 2023-10-27 - G01N17/00
  • 本发明涉及一种强度可调的宽谱光源装置,包括太阳跟踪系统、二次反射镜阵列系统、样品支架。太阳跟踪系统接收并反射太阳光至二次反射镜阵列系统,二次反射镜阵列系统对反射的太阳光进行二次反射,二次反射光聚焦至样品支架所固定的辐照实验样品上。还涉及一种光强时变调节方法,包括定日追日、光强调节、辐照实验的步骤。本发明可实现自动定日追日,保证二次反射光形成的光斑辐照区域的准确定位,定位精度小于1mrad。能够调节二次反射光辐照到样品处的光强大小,辐照光斑均匀,功耗小、维护简便、使用效率高,占地面积较小,满足实验室环境使用要求。
  • 一种强度可调光源装置调节方法
  • [外观设计]定时温控开关(四)-CN202330352901.7有效
  • 韩永超 - 韩永超
  • 2023-06-08 - 2023-10-24 - 13-03
  • 1.本外观设计产品的名称:定时温控开关(四)。2.本外观设计产品的用途:用于控制电热器工作时间、温度、档位的开关。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 定时温控开关
  • [发明专利]一种液相法生长碳化硅单晶的方法-CN202310677186.3在审
  • 张泽盛;韩永超;张广宇 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/36
  • 本发明涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法,所述方法采用具有可提供生长原料的物料块的液相法生长碳化硅单晶的装置进行,所述方法为:选择生长原料;使生长原料装盛在坩埚主体内,加热以使生长原料熔化成液态;使籽晶杆上固定的籽晶下降至与液态的生长原料液面相接触进行碳化硅单晶的生长,得到碳化硅单晶;在长晶过程中,可提供生长原料的物料块浮在液态的生长原料液面为碳化硅单晶生长持续提供生长原料。本发明在长晶过程中,能够缩短供碳距离,为碳化硅单晶生长过程提供充足且长时间稳定的碳源,大幅度地减少包裹物的产生,有效提高了单晶生长质量,同时还有效地抑制了坩埚壁被熔穿的现象的发生。
  • 一种液相法生长碳化硅方法
  • [发明专利]一种液相法生长碳化硅单晶的装置-CN202310677183.X在审
  • 张泽盛;张广宇;韩永超 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-05 - C30B29/20
  • 本发明涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置,包括生长坩埚、籽晶杆、感应加热装置和可提供生长原料的物料块;生长坩埚包括坩埚主体和坩埚盖,坩埚主体装盛有生长原料,坩埚盖具有开口,籽晶杆用于固定籽晶的一端通过开口伸入坩埚主体内部;所述物料块的密度小于液态的生长原料的密度,所述物料块浮在液态的生长原料液面。本发明中的装置能够缩短供碳距离,并为碳化硅单晶生长过程提供充足且长时间稳定的碳源,大幅度地减少包裹物的产生,有效提高了单晶生长质量,同时还有效地抑制了坩埚壁被熔穿,防止了助溶液泄漏影响温场、甚至损毁单晶炉的情况发生。
  • 一种液相法生长碳化硅装置

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