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[发明专利]一种可集成于光子芯片上的波长检测装置及测量方法-CN202311127190.9在审
发明人：吴杨;李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明公开了一种可集成于光子芯片上的波长检测装置及测量方法，包括多组MZI，每组MZI包括两个非对称MZI，并为每个MZI配备一个光测量装置PD，用来测量MZI的输出光强；每组中的两个MZI具有相同的FSR，相位差设置为π/2。不同组MZI之间具有不同的FSR，将记录的不同组MZI配备的光测量装置PD值拟合成函数图像，根据所述函数图像的斜率区分不同光的波长。本发明的装置可放置于可调谐激光器的出口，通过小部分分光对其波长进行分辨，能够实现在整个波长范围内的高精度测量。本发明的装置在光通信、光传感和其他领域中具有重要应用前景。
一种集成光子芯片波长检测装置测量方法

[发明专利]一种可配置的光子芯片光输入信号路由系统及方法-CN202311022840.3有效
发明人：袁晓君;李志伟 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种可配置的光子芯片光输入信号路由系统及方法，第一光信号输入端口连接第一耦合器，第一耦合器分别与第二耦合器和第三耦合器连接；第二耦合器输出的光信号分别经第四和第五耦合器将光功率分别输出到第一与第二光功率输出端口和第三与第四光功率输出端口；第三耦合器输出的光信号分别经第六和第七耦合器将光功率分别输出到第五与第六光功率输出端口和第七与第八光功率输出端口；第二光信号输入端口与第二耦合器连接，第三光信号输入端口与第三耦合器连接；第四至第七光信号输入端口分别对应第四至第七耦合器并连接。通过对光信号输入端口的选择或组合，可为与光功率输出端口连接的调制器提供不同的光功率，且不需要重新设计芯片。
一种配置光子芯片输入信号路由系统方法

[发明专利]一种可集成于光子集成芯片上的波长检测装置-CN202311126679.4在审
发明人：吴杨;李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明公开了一种可集成于光子集成芯片上的波长检测装置，包括多组MZI，每组MZI包括两个非对称MZI，并为每个MZI配备一个光测量装置PD，用来测量MZI的输出光强；每组中的两个MZI具有相同的FSR，相位差设置为π/2。不同组MZI之间具有不同的FSR。本发明的装置可放置于可调谐激光器的出口，通过小部分分光对其波长进行分辨，能够实现在整个波长范围内的高精度测量。本发明的装置在光通信、光传感和其他领域中具有重要应用前景。
一种集成光子芯片波长检测装置

[发明专利]光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法-CN202310673602.2在审
发明人：李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，属于硅光芯片技术领域。该光纤阵列包括上盖板、单模光纤尾纤和V‑槽衬底。上盖板为外形呈长方体的第一实体，V‑槽衬底为纵剖面呈直角梯形的第二实体，第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α；上盖板的底面与V‑槽衬底的上平面之间具有水平间隙，单模光纤尾纤沿水平方向布设于水平间隙中，使得单模光纤的出光面与第一斜面处于同一平面；上盖板具有第一竖直平面，令过第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，则第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离＞50μm。该硅光集成封装芯片包括硅光芯片、匹配固化胶和该光纤阵列。该光纤阵列能够有效提高与硅光芯片的耦合效率。
光纤阵列集成封装芯片方法

[发明专利]稳定型光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法-CN202310673518.0在审
发明人：李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B6/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定型光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，属于硅光芯片技术领域。该光纤阵列包括上盖板、单模光纤尾纤、V‑槽衬底和加强块。上盖板为外形呈长方体的第一实体，V‑槽衬底为纵剖面呈直角梯形的第二实体，第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α；上盖板的底面与V‑槽衬底的上平面之间具有水平间隙，单模光纤尾纤沿水平方向布设于水平间隙中；上盖板具有第一竖直平面，令过第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，V‑槽衬底固定连接于所述水平部。该硅光集成封装芯片包括硅光芯片、匹配固化胶和该光纤阵列。该光纤阵列能够有效提高与硅光芯片的耦合效率，并且匹配固化过程稳定。
稳定光纤阵列集成封装芯片方法

[发明专利]绝缘体上硅波导及硅光马赫-曾德尔调制器-CN202310793109.4在审
发明人：袁晓君;李志伟 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅波导及硅光马赫‑曾德尔调制器，属于波导技术领域。该波导包括第一波导臂和第二波导臂，第一波导臂相对于基底部呈有第一凸起，第二波导臂相对于基底部呈第二凸起。于第一凸起的局部区域和与第一凸起相连的基底范围具有正掺杂；于第一凸起的剩余区域、基底的中间区域，以及，第二凸起的局部区域范围具有中间负掺杂和中间正掺杂；于第二凸起的剩余部位和与第二凸起的剩余区域范围内具有负掺杂，正掺杂区域、负掺杂区域间隔设置。该调制器包括埋入式氧化物层、Si衬底、绝缘体上硅波导其通过改变绝缘体上硅波导的掺杂区域特性，由于绝缘体上硅波导两个波导臂造成的误差一致，因此，能够提高绝缘体上硅波导的消光比。
绝缘体波导马赫曾德尔调制器

[发明专利]光定向耦合器的优化设计方法、装置、介质及电子设备-CN202310845102.2在审
发明人：袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光定向耦合器的优化设计方法、装置、介质及电子设备，属于光定向耦合器技术领域。该方法包括：根据需要的耦合系数,利用优化设计公式计算出两个光定向耦合器的耦合长度和延迟线的相位，两个光定向耦合器和延迟线，形成马赫‑曾德尔干涉仪,共同组成一个2×2定向耦合器；2×2定向耦合器具有精准的耦合系数,且具有最大平坦带宽和工艺容差；根据2×2光定向耦合器两个方向的耦合长度和波导臂相对相位延迟的运算公式运算，得到优化后的光定向耦合器的结构参数。该装置、介质及电子设备能够用于实现该方法。能够简化光定向耦合器的优化设计过程中，结构参数的计算过程。
定向耦合器优化设计方法装置介质电子设备

[发明专利]窄线宽波长可调谐激光器及波长调谐方法和边模抑制方法-CN202310784775.1在审
发明人：吴杨;李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽波长可调谐激光器及波长调谐方法和边模抑制方法，属于激光器技术领域。该激光器及波长调谐方法利用两个或以上直径相近的环形滤波器产生类似游标尺效应，来对波长进行选择，应用时，光波波长必须通过两个环形滤波器，并产生强烈的谐振，当一个环形滤波器或两个环形滤波器同时受到热调制而改变周长时，反射光谱的峰值会移动，从而实现波长的调谐，因此，达到了波长选择，以及把光谱线宽变窄的作用。该边模抑制方法利用第一马赫曾德干涉仪使得第一马赫曾德干涉仪的透射峰与双环游标相应下的透射峰重叠，致使主峰通过，窄线宽波长可调谐激光器的第一阶边模峰、第二阶边模峰被抑制，第二马赫曾德干涉仪用于抑制第二阶边模峰。
窄线宽波长调谐激光器方法抑制

[发明专利]硅光芯片的边耦合器件及硅光芯片-CN202310628716.5在审
发明人：李志伟;袁晓君 -专利权人： 北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光芯片的边耦合器件及硅光芯片，属于硅光芯片技术领域。该边耦合器件中，第一樑、中间悬臂樑、第二樑均为双层结构，包括底层SiO2和覆盖在底层SiO2之上的覆盖层SiO2；第一樑、中间悬臂樑、第二樑分别具有一连接端，连接端位于第一樑、中间悬臂樑、第二樑的出光端口；第一樑的连接端、中间悬臂樑的连接端和第二樑的连接端均连接于增强结构，使得第一樑、中间悬臂樑、第二樑的另一端形成自由端；中间悬臂樑内设有埋入式高折射率对比度波导。该硅光芯片包括硅衬底、光纤、匹配胶、光纤和该边耦合器件。该边耦合器件能够避免中间悬臂樑损坏，并且，与光纤耦合后，不会形成很大的散射，避免耦合效率降低。
芯片耦合器件

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