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[发明专利]增强套刻精度量测图形量测信号的方法-CN202310847934.8在审
发明人：张驰;赵弘文;包永存 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种增强套刻精度量测图形量测信号的方法，方法包括：提供一半导体结构，半导体结构形成有前层金属层，且前层金属层形成有前层套刻标记；于前层金属层的上方形成高吸光材料层，且高吸光材料层的部分区域为光栅结构；于高吸光材料层的表面形成通孔层，且通孔层形成有通孔套刻标记，通孔套刻标记与前层套刻标记的对准程度用于判断通孔层与前层金属层之间的套刻精度；其中，光栅结构与前层套刻标记在垂直方向上的投影有重叠区域。通过本发明解决了现有的因高吸光率材料的存在使得前层套刻标记光学量测信号弱，导致套刻精度的量测受到严重影响的问题。
增强精度图形信号方法

[发明专利]测量对准标识偏移量的方法-CN202310564936.6在审
发明人： 包永存 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测量对准标识偏移量的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成待测对准标识；于所述半导体衬底上形成量测基准标识，所述量测基准标识形成于所述待测对准标识的一侧，包括第一子标识及在所述第一子标识长度方向上间隔平行排列的第二子标识，且第一子标识的长度方向与所述待测对准标识的长度方向平行；根据所述待测对准标识的中心所在位置与所述量测基准标识的中心所在位置获取所述待测对准标识相对于所述量测基准标识的偏移量。通过本发明解决了以现有的方法无法准确得到待测对准标识的偏移量的问题。
测量对准标识偏移方法