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[发明专利]硅晶圆的热处理方法-CN201780033330.2有效
发明人：前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从上述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，在热处理气氛气体中的氧分压P的上限P＝0.00207TS·Rd－2.52Rd+13.3(式(A))、P的下限P＝0.000548TS·Rd－0.605Rd－0.511(式(B))的范围内调节处理温度TS、降温速度Rd而进行热处理。
硅晶圆热处理方法

[发明专利]硅晶片-CN201780025439.1有效
发明人：前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片，该硅晶片具备：最表层的无缺陷区域(10)，该最表层的无缺陷区域(10)的作为空位与氧的复合体的空位氧复合体的浓度小于1.0×1012/cm3；中间层(11)，该中间层(11)与无缺陷区域(10)的晶片深度方向内侧相邻地形成，从无缺陷区域(10)侧朝向厚度方向内侧，中间层(11)的所述空位氧复合体的浓度在1.0×1012/cm3以上且小于5.0×1012/cm3的范围内逐渐增加，与无缺陷区域(10)的宽度tDZ对应地决定中间层(11)的宽度tI；以及体层(12)，该体层(12)与中间层(11)的晶片深度方向内侧相邻地形成，体层(12)的所述空位氧复合体的浓度为5.0×1012/cm3以上。
晶片