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[发明专利]光致电压器件结构和方法-CN201510357615.4有效
发明人：艾莉森·玛里·韦纳姆;齐夫·汉梅里;季静佳;利·梅;施正荣;布迪·贾约诺;斯图尔特·罗斯·韦纳姆 -专利权人：新南创新私人有限公司;尚德国际有限责任公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：通过以下方式在半导体器件制造期间在该半导体器件的表面上掺杂半导体材料的表面区域：利用介电材料表面层来涂覆半导体材料的表面区域，以及对待掺杂区中半导体材料的表面进行局部加热，以局部地熔化半导体材料，在存在掺杂剂源的情况下执行所述熔化。以受控方式来执行所述加热，使得待掺杂区中的半导体材料的表面的区域在多于一微秒的时间段上保持在熔化状态，而不会再凝结。来自掺杂剂源的掺杂剂被吸收到熔化的半导体中。半导体器件包括其中形成结的半导体材料结构，并且包括多层抗反射涂层。抗反射涂层位于半导体材料结构的光接收表面上，并且包括热膨胀失配校正材料的薄层以提供热膨胀系数失配校正，该热膨胀失配校正材料的热膨胀系数小于或等于半导体材料的热膨胀系数。提供具有被选择为与半导体材料结构匹配的折射率和厚度的抗反射层，以向太阳能电池赋予良好的总抗反射特性。
致电器件结构方法

[发明专利]光致电压器件结构和方法-CN201080007291.7有效
发明人：艾莉森·玛里·韦纳姆;齐夫·汉梅里;季静佳;利·梅;施正荣;布迪·贾约诺;斯图尔特·罗斯·韦纳姆 -专利权人：新南创新私人有限公司;尚德国际有限责任公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：通过以下方式在半导体器件制造期间在该半导体器件的表面上掺杂半导体材料的表面区域：利用介电材料表面层来涂覆半导体材料的表面区域，以及对待掺杂区中半导体材料的表面进行局部加热，以局部地熔化半导体材料，在存在掺杂剂源的情况下执行所述熔化。以受控方式来执行所述加热，使得待掺杂区中的半导体材料的表面的区域在多于一微秒的时间段上保持在熔化状态，而不会再凝结。来自掺杂剂源的掺杂剂被吸收到熔化的半导体中。半导体器件包括其中形成结的半导体材料结构，并且包括多层抗反射涂层。抗反射涂层位于半导体材料结构的光接收表面上，并且包括热膨胀失配校正材料的薄层以提供热膨胀系数失配校正，该热膨胀失配校正材料的热膨胀系数小于或等于半导体材料的热膨胀系数。提供具有被选择为与半导体材料结构匹配的折射率和厚度的抗反射层，以向太阳能电池赋予良好的总抗反射特性。
致电器件结构方法

[发明专利]高效太阳能电池的制造-CN200680051678.6无效
发明人：斯图尔特·罗斯·韦纳姆;利·梅;尼科·比安卡·屈佩尔;布迪·贾约诺 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明描述了一种形成触点结构的方法以及这样形成的触点结构。所述结构接触半导体结的下层，其中所述结包括半导体材料的下层，并且通过产生遮挡随后的金属形成的底切区与上面的半导体材料层分离。各个步骤是使用喷墨印刷技术进行的。
高效太阳能电池制造

[发明专利]小面积丝网印刷金属接点结构及方法-CN200680051717.2无效
发明人：斯图尔特·罗斯·韦纳姆;施正荣;利·梅;季静佳 -专利权人：新南创新私人有限公司;尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括相反地掺杂的半导体材料的相邻区域，所述区域形成了基本上平行于太阳能电池的前后表面的pn结。半导体材料的表面具有多个凹陷，其中形成凹陷的内壁表面区域的半导体材料区域被掺杂成该结的半导体区域中的一个的极性，它们处于电连通。凹陷的壁表面区域与另一个相反地掺杂的区域隔离，并且形成了用于接点结构的接点，所述接点结构接触形成凹陷的表面。在表面之上形成介电层，该介电层在每一个凹陷的至少一部分中较薄或不存在，以使得在烧结之后，形成在介电层之上并延伸到凹陷内的丝网印刷金属接点结构与凹陷中的半导体材料接触。
面积丝网印刷金属接点结构方法

[发明专利]用于硅太阳能电池的透明导体-CN200680020350.8无效
发明人：斯因尔特·罗斯·韦纳姆;布迪·贾约诺;利·梅 -专利权人：新南方创新有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供其中形成接触结构体的光电池器件，所述接触结构体具有在被接触的区域的表面上形成的多条重掺杂半导体沟道。所述重掺杂半导体沟道具有与所述被接触的区域相同的掺杂剂极性，并且形成跨过所述被接触的区域的表面的横向导电通道。在所述被接触的区域的表面上形成包含导电指的接触敷金属，并且每一根导电指跨过所述重掺杂沟道的至少一些以与其进行电接触。通过在所述被接触的表面上形成掺杂剂源材料的层并且激光掺杂在所述被接触的表面中的重掺杂沟道形成所述接触结构体。然后将所述接触敷金属形成为在所述被接触的表面上形成的导电指，并且可以丝网印刷，金属电镀或者可以形成为埋入式接触。
用于太阳能电池透明导体

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