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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]新风净化除湿一体机-CN201410490165.1有效
发明人： 刘训春;姚健 -专利权人：上海非远空气净化设备有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： F24F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新风净化除湿一体机，其包括机体(1)，该机体包括处理风进口和处理风出口，该处理风进口处依次设置有板式初效过滤器(2)、袋式中效过滤器(3)，所述袋式中效过滤器出口端接有送风机(4)、制冷蒸发器(5)、硅胶吸附转轮(6)，所述处理风出口处依次设置有高效过滤器(7)、活性炭吸附过滤器(8)以及风阀(9)，所述机体还设置有再生风进口，其依次安装有风阀(10)、热回收冷凝器(11)、再生加热风机(12)、压缩机(13)。本发明的有益效果是：本设备能够降低房间的空气污染程度，减少PM2.5颗粒浓度，净化空气中微颗粒、二手烟、异味等。同时可控制房间内湿度，防止房间内产生霉菌，霉味，保证人体舒适湿度。
新风净化除湿一体机

[实用新型]低露点干燥房-CN201420548882.0有效
发明人： 刘训春;姚健 -专利权人：上海非远空气净化设备有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： E04H1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了低露点干燥房,其具有：由高强岩棉手工彩钢板结构构成的房屋面部分；设于原楼板结构之上的地面部分,其自上而下依次由下列结构构成：防静电地板；导静电铜箔焊接结构层；自流平水泥层；水泥砂浆找平层；聚氨酯保温层；带钢筋混凝土预制板；架空层，其通过周向布置于带钢筋混凝土预制板下部的混凝土圈梁架设而成；设于房屋面部分与地面部分且周向布置的双层回风廊结构。本实用新型的有益效果是：该干燥房密闭性能优良。
露点干燥

[实用新型]新风净化除湿一体机-CN201420548924.0有效
发明人： 刘训春;姚健 -专利权人：上海非远空气净化设备有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： F24F3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新风净化除湿一体机，其包括机体(1)，该机体包括处理风进口和处理风出口，该处理风进口处依次设置有板式初效过滤器(2)、袋式中效过滤器(3)，所述袋式中效过滤器出口端接有送风机(4)、制冷蒸发器(5)、硅胶吸附转轮(6)，所述处理风出口处依次设置有高效过滤器(7)、活性炭吸附过滤器(8)以及风阀(9)，所述机体还设置有再生风进口，其依次安装有风阀(10)、热回收冷凝器(11)、再生加热风机(12)、压缩机(13)。本实用新型的有益效果是：本设备能够降低房间的空气污染程度，减少PM2.5颗粒浓度，净化空气中微颗粒、二手烟、异味等。同时可控制房间内湿度，防止房间内产生霉菌，霉味，保证人体舒适湿度。
新风净化除湿一体机

[发明专利]真空隔离阀装置-CN201210011850.2无效
发明人：胡冬冬;周宗义;刘训春;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京泰龙电子技术有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： F16K3/02 文献下载
摘要：公开了一种真空隔离阀装置，包括：设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板；所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置，用于半导体真空腔室之间连通时的密封；所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接，通过外力作用控制所述活动阀板的升降。本发明提供的一种真空隔离阀装置，能缩小硅片传输距离或使传输距离可调整，便于装配、维修；结构简单，节约材料及生产加工成本，可实现同不同腔体连接，机构简单、成本经济、稳定性高、便于维护。
真空隔离装置

[发明专利]一种进气装置-CN201110395019.7在审
发明人：屈芙蓉;胡冬冬;刘训春;刘杰;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置技术领域，具体涉及一种应用于等离子体处理腔室的进气装置。所述进气装置，包括进气管及设置在所述进气管管壁和/或底部的孔阵列。所述进气管的管壁为圆柱形，所述进气管的底部为平板形、半球形或类球形。采用本发明的进气装置能明显提高等离子体腔室中基片表面工艺气体的均匀性，进而提高等离子体处理的均匀性。
一种装置

[发明专利]一种金属氮化物阻挡层的制备方法-CN201110285513.8有效
发明人：王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘训春 -专利权人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
一种金属氮化物阻挡制备方法

[发明专利]一种射频阻抗自动匹配装置及方法-CN201210392259.6有效
发明人：王佳;刘训春 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京泰龙电子技术有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频阻抗自动匹配装置及方法，属于微电子技术领域。所述装置包括：第一及第二真空电容检测机构、第一及第二信号变送器、功率计和单片机。第一、第二真空电容检测机构的输出端分别与第一信号变送器电连接，功率计与第二信号变送器电连接，单片机的输入端分别与第一信号变送器和第二信号变送器的输出端电连接，单片机的控制输出端分别与第一、第二真空电容检测机构的输入端电连接。本发明还提供了一种射频阻抗自动匹配方法。本发明可以使匹配过程自动、迅速，同时兼容人工手动操作，可以实现自动和人工手动操作达到匹配负载的目的。
一种射频阻抗自动匹配装置方法

[发明专利]一种射频阻抗匹配器-CN201210391217.0无效
发明人：孙小孟;李勇滔;李英杰;刘训春;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京泰龙电子技术有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频阻抗匹配器，属于半导体工艺设备技术领域。所述射频阻抗匹配器包括第一可变空气电容、第二可变空气电容、电感和第三可变空气电容，第二可变空气电容和第三可变空气电容并联后与电感串联，再与第一可变空气电容并联。本发明提供的射频阻抗匹配器，能够对高品质因数Q值的负载进行精确的阻抗匹配，阻抗匹配电路结构简单，匹配过程方便快捷，实现了负载阻抗的纯阻性，满足了半导体工艺的制备要求。
一种射频阻抗配器

[发明专利]一种真空腔内转动部件的定位装置-CN201210390288.9有效
发明人：王佳;刘训春;席峰;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京泰龙电子技术有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空腔内转动部件的定位装置，属于微电子技术领域。所述装置包括：激光反射装置、密封部件、腔体外玻璃密封件和密封框架；激光反射装置位于反应室内，并与密封框架的顶端通过螺纹连接；密封框架由下向上装入反应室，并通过螺钉与反应室固定连接；腔体外玻璃密封件与密封框架的底端通过螺纹连接；反应室与密封框架连接之处设置有密封部件；腔体外玻璃密封件与密封框架底端连接之处设置有密封部件和玻璃。本发明的定位装置用于溅射台中，特别是在有污染和高温的真空环境下，可以实现高速转动部件的高精度定位，且装置结构简单、成本低廉、可操作性强、精度高及维护性好。
一种空腔转动部件定位装置

[发明专利]一种可视化射频阻抗匹配器-CN201210390287.4无效
发明人：孙小孟;李勇滔;李英杰;刘训春;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京泰龙电子技术有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种可视化射频阻抗匹配器，属于半导体工艺设备技术领域。所述可视化射频阻抗匹配器包括检测模块、控制模块、显示模块和阻抗匹配执行模块，检测模块分别与控制模块和阻抗匹配执行模块连接，控制模块与显示模块连接。本发明提供的可视化射频阻抗匹配器，能够在显示屏上实时显示当前阻抗值在Smith圆图上所对应的位置，方便操作者进行实时查看及阻抗匹配调节，减少了匹配调节时间。
一种可视化射频阻抗配器

[发明专利]一种阻挡层及其制备方法-CN201110033156.6有效
发明人：王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 -专利权人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；将TaSi层、Ta层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。本发明提供的多层膜结构的阻挡层更加致密，其中的TaSiN/TaN层为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。
一种阻挡及其制备方法

[发明专利]一种扩散阻挡层及其制备方法-CN201110033129.9有效
发明人：王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 -专利权人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的扩散阻挡层及其制备方法。该扩散阻挡层包括底层TaSiN层，位于底层TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的顶层TaSiN层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层、TaSi层；将TaSi层、Ta层、TaSi层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层、TaSiN层。本发明提供的多层膜结构的扩散阻挡层更加致密，其中的TaSiN及TaN层均为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。
一种扩散阻挡及其制备方法

[发明专利]一种金属氮化物阻挡层的制备方法-CN201110033722.3无效
发明人：王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 -专利权人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件中阻挡层的制备方法，具体涉及一种金属氮化物阻挡层的制备方法，包括如下步骤：（1）采用物理气相沉积方法沉积金属层；（2）将金属层置于等离子注入机，通过等离子注入机向所述金属层中注入氮离子。本发明采用物理气相沉积与全方位等离子浸没注入相结合的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构。非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
一种金属氮化物阻挡制备方法

[发明专利]一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法-CN201110033685.6无效
发明人：王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 -专利权人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件中阻挡层的技术领域，具体涉及一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法。该装置包括预真空室、PVD腔室、等离子注入腔室和传输腔室，所述预真空室、所述PVD腔室和所述等离子注入腔室分别与所述传输腔室连通；所述传输腔室内设有机械手。使用本发明提供的装置制备出的金属氮化物阻挡层更加致密，同时也保证其为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
一种制备金属氮化物阻挡装置及其使用方法

[发明专利]一种激光检测装置-CN201110345365.4无效
发明人：席峰;王佳;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及真空等离子体设备技术领域，具体涉及一种应用于真空等离子体设备的激光检测装置。所述激光检测装置，包括激光器筒体和设置在所述激光器筒体下方的激光器，所述激光器筒体下端设有透光玻璃；所述激光检测装置设置在真空室下部。本发明设置在真空室外部，实现动态检测载片台位置和移动速度，在等离子体工艺中可以保持真空腔室对真空度的要求；保持激光器结构和信号采集不会受等离子电磁场的干扰；等离子体启辉条件下，不会污染激光检测装置，同时便于操作和维护。
一种激光检测装置

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