专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]台阶单片式光谱芯片制备方法-CN201911189981.8有效
  • 张晨;刘舒扬;赵安娜;吕津玮;王天鹤;刘建辉;贾晓东 - 天津津航技术物理研究所
  • 2019-11-28 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明属于光谱成像技术领域,具体涉及一种台阶单片式光谱芯片制备方法。与现有技术相比较,本发明在多层堆叠分布式布拉格镜结构模拟设计和制造的基础上,采用CMOS工艺兼容的材料,以高反射率的布拉格镜为FP腔镜,在CMOS图像传感器上直接设计生长FP分光薄膜结构,形成单芯片单谱段光谱成像微系统;前期主要是目标是完成单谱段和双谱段的光谱成像芯片,在此基础上,逐渐实现多谱段台阶式的光谱成像芯片。本发明提高了台阶式光谱芯片制备的制造效率,节省了加工时间,有效的降低了工艺中掩膜和光刻的工艺次数,降低了光谱芯片的制造成本,使之更加具有竞争力。
  • 台阶单片光谱芯片制备方法
  • [发明专利]线扫式光谱成像系统及其成像方法-CN202111208193.6在审
  • 张云昊;刘舒扬;张晨;赵安娜;王天鹤;周志远;潘建旋;姜洪妍;王才喜 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-10-18 - 2023-04-21 - G01N21/25
  • 本发明提供了一种线扫式光谱成像系统,该线扫式光谱成像系统包括至少一个光谱成像芯片结构,光谱成像芯片结构包括像素感光单元、窄带滤光膜、过渡层、第一、第二和第三截止滤波膜,窄带滤光膜一体式沉积生长在像素感光单元上,过渡层一体式沉积生长在窄带滤光膜上,第一截止滤波膜一体式沉积生长在窄带滤光膜上,过渡层用于过渡窄带滤光膜和第一截止滤波膜两个膜系,第二截止滤波膜设置在第一截止滤波膜上,第三截止滤波膜设置在第二截止滤波膜上,第一、第二和第三截止滤波膜分别用于截止第一、第二和第三干扰波段。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中截止滤波膜贴合方式所导致的光谱透过率低和量子效率低的技术问题。
  • 线扫式光谱成像系统及其方法
  • [发明专利]光谱成像芯片结构-CN202111207398.2在审
  • 姜洪妍;刘舒扬;王天鹤;张晨;赵安娜;张云昊;周志远;潘建旋;王才喜 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-10-18 - 2023-04-21 - G01J3/02
  • 本发明提供了一种光谱成像芯片结构,该光谱成像芯片结构包括像素感光单元、匹配层、窄带滤光膜、过渡层、第一、第二和第三截止滤波膜,匹配层一体式沉积生长在像素感光单元上,窄带滤光膜一体式沉积生长在匹配层上,过渡层一体式沉积生长在窄带滤光膜上,第一截止滤波膜一体式沉积生长在过渡层上,过渡层用于过渡窄带滤光膜和第一截止滤波膜,第二截止滤波膜粘贴设置在第一截止滤波膜上,第三截止滤波膜粘贴设置在第二截止滤波膜上,匹配层用于过渡感光单元与窄带滤光膜、过渡层、第一、第二以及第三截止滤波膜之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中芯片结构的光谱透过率低、量子效率低的技术问题。
  • 光谱成像芯片结构

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