专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅酸根掺杂的铁基聚阴离子正极材料及制备方法-CN202310314135.4在审
  • 刘海梅;刘铭祖;李小强;张伯伦 - 上海电力大学
  • 2023-03-28 - 2023-07-14 - H01M4/58
  • 本发明涉及一种硅酸根掺杂的铁基聚阴离子正极材料及制备方法,该正极材料包括(SiO4)4‑基团取代铁基聚阴离子化合物中(PO4)3‑基团的改性铁基聚阴离子化合物以及负载在所述改性铁基聚阴离子化合物表面的非晶碳层。其制备方法,包括如下步骤:将铁源和草酸溶于去离子水中搅拌,加入柠檬酸继续搅拌,加入钠源继续搅拌,加入硅源和磷源继续搅拌,加入乙二醇继续搅拌,得到混合液;并将得到的混合液进行加热搅拌蒸发、真空干燥,并在惰性气氛下预烧、煅烧,得到硅酸根掺杂的铁基聚阴离子正极材料。与现有技术相比,本发明制备得到的正极材料具有更好的电化学性能。
  • 一种硅酸掺杂聚阴离子正极材料制备方法

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