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[发明专利]除去牺牲层上部的方法、用于该方法的牺牲溶液和酸性水溶液-CN202180086985.2在审
发明人： 关藤高志;长原达郎 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：[问题]提供一种除去牺牲层上部的方法。[解决方案]一种除去牺牲层上部的方法，包括以下步骤：(1)将包含具有能被酸解离的保护基的聚合物(A)和溶剂(B)的牺牲溶液施用到基板上方；(2)由所施用的牺牲溶液形成牺牲层；(3)使酸性水溶液与牺牲层的表面接触；以及(4)对牺牲层施用除去液。
除去牺牲上部方法用于溶液酸性水溶液

[发明专利]新型化合物、半导体材料、以及使用了其的膜以及半导体的制造方法-CN201780078579.5有效
发明人：中杉茂正;柳田浩志;黑泽和则;关藤高志;滨祐介;松浦裕里子 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07C39/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料和膜，其在溶剂中的溶解性高，并且具有高的填充性、耐热性以及/或者蚀刻耐受性。进一步提供使用了该半导体材料的半导体的制造方法。本发明提供一种新型化合物。提供了：一种由特定的芳香族烃环衍生物构成的半导体材料、以及使用了该半导体材料的膜以及半导体的制造方法。一种由特定的芳香族烃环衍生物构成的化合物。
新型化合物半导体材料以及使用半导体制造方法

[发明专利]一种包含碳材料、金属有机化合物和溶剂的旋涂组合物以及一种在基材上方制造金属氧化物膜的方法-CN202180028289.6在审
发明人： 关藤高志;赵俊衍 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含碳材料和金属有机化合物的旋涂组合物。本发明还涉及使用其在基材上方形成金属氧化物膜和制造器件的方法。
一种包含材料金属有机化合物溶剂组合以及基材上方制造氧化物方法

[发明专利]制造固化膜的方法及其使用-CN202080031246.9在审
发明人： 关藤高志;中杉茂正;柳田浩志;平山拓 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明提供一种高膜密度、高膜硬度、高耐蚀刻性的固化膜的制造方法。一种制造固化膜的方法，包括(1)在基板的上方应用组合物(i)；(2)由组合物(i)形成含烃膜；以及(3)对含烃膜照射等离子体、电子束和/或离子，形成固化膜。该固化膜的使用。
制造固化方法及其使用

[发明专利]乙炔基衍生的复合物、包含其的组合物、通过其制造涂层的方法以及制造包含该涂层的器件的方法-CN201880082279.9在审
发明人：中杉茂正;滨祐介;柳田浩志;关藤高志;松浦裕里子 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明的另一个目的是提供一种涂层，该涂层具有较小的膜收缩性，良好的间隙填充性能和良好的平坦性。本发明提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本发明提供了用其制造涂层的方法以及制造器件的方法。
乙炔衍生复合物包含组合通过制造涂层方法以及器件

[发明专利]微细抗蚀图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法-CN201480010383.9有效
发明人：长原达郎;关藤高志;山本和磨;小林政一;佐竹升;石井雅弘 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
微细图案形成组合以及使用方法

[发明专利]微细抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法-CN201480008277.7有效
发明人：山本和磨;宫本义大;关藤高志;长原达郎 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物以及使用该组合物的图案形成方法，该组合物可形成没有表面皲裂、桥连缺陷或者未析像等不良现象的微细的负型光致抗蚀图案。一种微细图案形成用组合物，其通过应用于使用化学放大型抗蚀组合物而形成出的负型抗蚀图案，使抗蚀图案变粗而将图案进行微细化。该组合物包含在重复单元中含有氨基的聚合物或聚合物混合物以及溶剂，并且进一步包含特定量的酸，或者显示特定的pH。而且，聚合物混合物包含根据汉森溶解度参数而确定的HSP距离为3以上的多种聚合物。将该组合物涂布于由有机溶剂显影液进行显影而获得的负型光致抗蚀图案，并进行加热，从而形成微细的图案。
微细图案形成组合以及使用方法

[发明专利]精细抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法-CN201380051105.3有效
发明人：山本和磨;石井雅弘;关藤高志;柳田浩志;中杉茂正;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成干式刻蚀耐性高的图案的精细图案形成用组合物、以及使用了上述精细图案形成用组合物的制造过程中的配管堵塞少的图案形成方法。一种精细图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法，该精细图案形成用组合物用于在使用化学放大型抗蚀剂组合物来形成负型抗蚀图案的方法中，通过使抗蚀图案变粗而使图案精细化，其含有聚合物和有机溶剂，该聚合物含有具有羟基芳基的重复单元，该有机溶剂不使上述负型抗蚀图案溶解。在图案形成方法中，通过利用同一涂布装置对抗蚀剂组合物和其精细图案形成用组合物进行涂布，从而可防止配管堵塞。
精细图案形成组合以及使用方法

[发明专利]细微抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法-CN201280049610.X有效
发明人：冈安哲雄;关藤高志;石井雅弘 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物以及使用其的图案形成方法，该组合物可形成没有表面皲裂、桥缺陷或者未析像等不良现象的细微的负型光致抗蚀图案。该组合物是一种在使用化学放大型抗蚀组合物而形成负型抗蚀图案的方法中，为了通过使抗蚀图案变粗而将图案细微化而使用的细微图案形成用组合物，该组合物包含溶剂以及在重复单元中含有式(A)、(B)、(C)中任一种结构的聚合物。在由有机溶剂显影液进行显影而获得的负型光致抗蚀图案上涂布该组合物，进行加热，从而形成细微的图案。
细微图案形成组合以及使用方法

[发明专利]感光性硅氧烷树脂组合物-CN201280023290.0有效
发明人： 关藤高志;横山大志;福家崇司;田代裕治;野中敏章;田中泰明 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种碱可溶性以及灵敏度优异的感光性硅氧烷树脂组合物以及使用了其的图案形成方法。一种感光性硅氧烷树脂组合物，其包含具有硅烷醇基或者烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂、冠醚、感光剂以及有机溶剂。将该感光性组合物涂布于基材上，进行图像状曝光，由碱水溶液进行处理，通过焙烧而形成图案。
感光性硅氧烷树脂组合

[发明专利]含硅氧烷树脂的涂布组合物-CN201280018029.1有效
发明人： 关藤高志;横山大志;福家崇司;田代裕治;野中敏章;田中泰明 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布组合物以及使用了其的固化膜的形成方法，该涂布组合物没有由经时劣化导致的增稠，并且涂布性优异。本发明提供一种涂布组合物，其特征在于，包含具有硅烷醇基或者烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂、以及可具有醚键的碳原子数2～5的直链烃链的两末端具有羟基的多元醇。通过使用该涂布组合物，可形成透明性以及绝缘性高并且相对介电常数低的固化膜。
含硅氧烷树脂组合

[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物-CN201280023185.7有效
发明人：横山大志;福家崇司;田代裕治;关藤高志;野中敏章 -专利权人： AZ电子材料IP（日本）株式会社
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：一种正型感光性硅氧烷组合物，其含有：将由通式(1)R¹_nSi(OR²)_4-n表示的硅烷化合物进行水解和缩合而获得的(A)预烘烤后的膜可溶于5重量%TMAH水溶液并且其溶解速度为秒以下的聚硅氧烷、(B)预烘烤后的膜对2.38重量%TMAH水溶液的溶解速度为秒以上的聚硅氧烷、(C)预烘烤后的膜对2.38重量%TMAH水溶液的溶解速度为秒以上秒以下的聚硅氧烷这三种聚硅氧烷中的各至少一种；重氮基萘醌衍生物；以及溶剂。(式中，R¹表示任意的亚甲基可被氧取代的碳原子数1～20的直链状、支链状或环状烷基，或者碳原子数6～20并且任意的氢可被氟取代的芳基，n为0或者1，R²表示碳原子数1～5的烷基)。
感光性硅氧烷组合

[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物-CN201180040082.7有效
发明人：横山大志;福家崇司;田代裕治;关藤高志;野中敏章 -专利权人： AZ电子材料IP（日本）株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种正型感光性硅氧烷组合物，其含有聚硅氧烷(Ia)、聚硅氧烷(Ib)、重氮基萘醌衍生物以及溶剂，该聚硅氧烷(Ia)通过将由通式(1)：RSi(OR¹)₃表示的硅烷化合物和由通式(2)：Si(OR¹)₄表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下水解、缩合而获得，其预烘烤后的膜在5重量%TMAH水溶液中的溶解度为/秒以下，该聚硅氧烷(Ib)通过将至少前述通式(1)所示的硅烷化合物在酸性或者碱性催化剂的存在下水解、缩合而获得，其预烘烤后的膜在2.38重量%TMAH水溶液中的溶解度为/秒以上。(式中，R表示任意的亚甲基可被氧取代的碳原子数1～20的直链状、支链状或者环状烷基，或者碳原子数6～20且任意的氢可被氟取代的芳基，R¹表示碳原子数1～5的烷基。)
感光性硅氧烷组合

[发明专利]硅氧烷树脂组合物的固化覆膜形成方法-CN201110227500.5有效
发明人： 关藤高志;田代裕治;福家崇司;横山大志;野中敏章 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅氧烷树脂组合物的固化覆膜形成方法。使用硅氧烷树脂组合物，形成透明性优异，具有高划痕硬度、高绝缘性、低介电常数以及平整性优异，烧制时没有膜减少，即使形成厚膜也不会产生裂痕，而且基板界面没有膜剥落，密合性优异的烧制固化覆膜。将含硅烷醇基或烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂组合物涂布到基材上，进行预烘焙处理后，用碱性水溶液处理后，冲洗、烧制，从而形成含硅烷醇基或烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂组合物的烧制固化覆膜。
硅氧烷树脂组合固化形成方法

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