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[发明专利]用于嵌入陶瓷件的加热器的涂层导体-CN202180044243.3在审
发明人：乔尔·霍林斯沃思;兰基山·拉奥·林加姆帕利;潘卡基·哈扎里卡 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中的各种实施方案涉及用于制造用于半导体处理装置中的台板的技术，以及由这种技术生产的台板和中间结构。例如，这种技术可以包括在加热器上沉积涂层以形成具有涂层的加热器，其中加热器包括在其上形成有涂层的金属丝；将具有涂层的加热器放入粉末中；将粉末压实成内聚性块体，以形成粉末基复合材料；并烧结粉末基复合材料以形成压板，其中压板包括嵌入烧结陶瓷材料的加热器。加热器上的涂层可以起到保护加热器免受在烧结过程中可能存在的含碳和/或含氧化合物的化学物质侵蚀的作用。台板可以是基座的一部分，其一旦制造出来，就可以安装在半导体处理装置中。
用于嵌入陶瓷加热器涂层导体

[发明专利]具有散热器的高温衬底支撑件-CN202180014767.8在审
发明人：拉梅什·钱德拉塞卡拉;卡尔·弗雷德里克·利瑟;克里斯多夫·盖奇;塞舒·尼玛拉;兰基山·拉奥·林加姆帕利;乔尔·霍林斯沃思;文森特·布克哈特;威廉·拉弗蒂;谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于衬底支撑件的基板包含：加热器层，其被配置成选择性加热所述基板；以及散热器，其被设置在所述加热器层和所述基板的上表面之间。所述散热器被配置成将所述加热器层提供的热能分布至所述整个基板。所述基板包含第一材料，所述第一材料具有第一热膨胀系数(CTE)和第一热传导率。所述散热器包含第二材料，所述第二材料具有第二CTE以及大于所述第一热传导率的第二热传导率。
具有散热器高温衬底支撑

[发明专利]单片式各向异性衬底支撑件-CN202080088821.9在审
发明人：乔尔·霍林斯沃思;兰基山·拉奥·林加姆帕利;卡尔·弗雷德里克·利瑟;斯蒂芬·托平;诺亚·埃利奥特·贝克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：衬底支撑件包括单片式各向异性主体，其包括第一层、第二层和中间层。第一层由第一材料形成并且其中设置有RF和夹持电极。第二层由第一材料或第二材料形成，其中设置有加热元件。中间层由与第一层和第二层不同的材料形成，使得以下至少一者实现：中间层的热能传导率不同于第一或第二材料中的至少一者的热能传导率；或者，中间层的电导率不同于第一材料或第二材料中的至少一者的电导率。或者中间层设置在第一层和第二层之间，或者第二层设置在第一层和中间层之间。
单片各向异性衬底支撑

[发明专利]具有集成式RF滤波器的衬底支撑件-CN202080083709.6在审
发明人：苏尼尔·卡普尔;丹·马罗尔;兰基山·拉奥·林加姆帕利;埃里克·马德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种衬底支撑件包括主体、加热元件、第一射频滤波器和第二射频滤波器。所述主体被配置成支撑衬底。所述加热元件至少部分地在所述主体的第一部分中实施。所述第一射频滤波器连接至所述加热元件的输入端，且至少部分地在所述主体的第二部分中实施，并且经由第一通孔连接至所述加热元件。所述第二射频滤波器连接至所述加热元件的输出端，并且至少部分地在所述主体的所述第二部分中或第三部分中实施。
具有集成 rf 滤波器衬底支撑

[发明专利]层状陶瓷结构-CN202080021055.4在审
发明人：乔尔·菲利普·霍林斯沃思;卡尔·弗雷德里克·利瑟;兰基山·拉奥·林加姆帕利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在一些示例中，一种衬底支撑组件包括：单块式陶瓷主体；加热器元件，其设置在所述单块式陶瓷主体内；以及RF天线，其设置在所述单块式陶瓷主体内。一或多条功率线对所述加热器元件和所述RF天线进行供给。层状结构形成或包括在所述单块式陶瓷主体内，所述层状结构包括至少一层，所述至少一层的热导率不同于所述单块式陶瓷主体的热导率。
层状陶瓷结构

[发明专利]整体式陶瓷气体分配板-CN201880050217.X在审
发明人：杰里米·塔克;兰基山·拉奥·林加姆帕利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理室(其中能处理半导体衬底)中的整体式陶瓷气体分配板包括：整体式陶瓷体，其具有上表面、下表面以及在上表面和下表面之间延伸的外圆柱形面。下表面包括在均匀间隔开的第一位置处的第一气体出口，第一气体出口通过第一组竖直延伸的通孔与上表面中的第一气体入口流体连通，第一组竖直延伸的通孔将第一气体入口与第一气体出口连接。下表面还包括在与第一位置相邻的均匀间隔开的第二位置处的第二气体出口，第二气体出口通过第二组竖直延伸的通孔与整体式陶瓷体内的内部气室流体连通，第二组竖直延伸的通孔将第二气体出口与内部气室连接。内部气室与位于上表面的中心部分中的第二气体入口流体连通；内部气室由内上壁、内下壁、内外壁和在内上壁和内下壁之间延伸的成组的柱限定。第一组竖直延伸的通孔中的每一个穿过柱中的相应的一个柱以将第一气体和第二气体隔离开。
整体陶瓷气体分配