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[实用新型]一种林中白蚁诱杀装置-CN202320553089.9有效
发明人：陈卫国;邓力;黄世芳;徐国梁;余玉珠;胡雪玲 -专利权人：广西壮族自治区国有钦廉林场
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A01M1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及白蚁防治技术领域，公开了一种林中白蚁诱杀装置，包括：底座，设置于底座顶部的诱杀箱，以及设置于所述诱杀箱一侧的药箱；所述诱杀箱包括第一箱体，横向间隔设置于第一箱体内的第一承载板和第二承载板，分别设置于所述第一承载板和所述第二承载板顶部的诱杀板，以及设置于所述诱杀箱内的施药装置，所述诱杀板的底部设置有多个滚轮，所述第一承载板和第二承载板的顶部均设置有滑轨，所述滚轮延伸至滑轨内，用于带动诱杀板向外侧移动，所述诱杀板为L型板，诱杀板的竖板连接有拉手，所述拉手延伸至诱杀箱的外侧。
一种林中白蚁诱杀装置

[发明专利]一种树种采集装置-CN202211519483.7在审
发明人：伍琪;任世奇;李昌荣;邓紫宇;韦振道;陈健波;朱原立;余玉珠;邓玉华;陈升侃;唐庆兰;卢翠香;刘媛;李书玲;郭东强;庞海恩 -专利权人：广西壮族自治区林业科学研究院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： A01D46/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种树种采集装置，包括采集部件和连接有触控屏幕的控制器；所述采集部件包括图像采集单元和安装在主支撑板的爬升机构、可伸缩的树种采集件、电池和单片机；所述采集部件还包括摘取树种时可往复运动的液压剪；所述电池分别连接爬升机构、树种采集件、图像采集单元和单片机；所述单片机分别连接图像采集单元、爬升机构、树种采集件；所述控制器和单片机均设有无线收发模块。本发明通过采集部件的爬升机构实现爬树，代替传统人工爬树采种，采种操作通过树种采集件实现，整个采种过程安全高效，使用时通过控制器即可实现采集装置自动爬树，操作简单方便。
一种树种采集装置

[发明专利]一株兰花菌根真菌PF07及其应用-CN202011643369.6有效
发明人：陈宝玲;唐庆;杨开太;蒋林;周千淞;黄森;胡雪玲;李进华;刘世勇;孙开道;林茂;余玉珠;黄欣;桂雪萍;吴晓峰;孙利娜 -专利权人：广西壮族自治区林业科学研究院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一株兰花菌根真菌PF07，所述兰花菌根真菌PF07为杯梗孢(Cyphellophora sp.)PF07，于2020年11月13日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，地址为北京朝阳区北辰西路1号院3号，保藏号为CGMCC NO：21053。本发明首次从野生兰花中分离筛选到一株杯梗孢Cyphellophora sp.PF07，该菌能促进兰花的生长，应用于兰花菌根化育苗实践中，可促进兰花种苗的快速繁育，并缩短成苗周期，为珍稀濒危植物的保育提供理论基础，并为促进兜兰产业的规模化发展提供技术支撑。
兰花菌根真菌 pf07 及其应用

[发明专利]一种地下虫害防治复合药剂及方法-CN202210761556.7在审
发明人：邓力;陈卫国;黄世芳;黄正根;余玉珠;欧成军;徐国梁;陈恋;罗来凤 -专利权人：广西壮族自治区国有钦廉林场
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： A01N43/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种防治地下虫害复合药剂，由包括以下重量份的原料制成：阿维菌素1‑15份、绿僵菌0.1‑6份、有机硅0.2‑1.2份、苦参碱0.1‑1份、胡椒基丁醚0.1‑1份、分散剂0.1‑4份、防冻剂0.1‑1份、表面活性剂0.1‑6份、消泡剂0.1‑4份、水40‑80份。本发明还公开了一种防治地下虫害的方法，包括以下步骤：S1：在种植地内进行地下虫害洞口调查，寻找并记录害虫洞口位置，得出害虫洞口分布及洞口出现时间情况；S2：将复合药剂对害虫洞口分布较多及有新鲜土壤洞口的位置进行杀灭虫害。本发明能够解决现有技术中地下虫害防治效果较差的技术问题，能够在种植过程中对地下虫害进行防治，实现防治精准；采用无害药剂，防治效果好，杀灭虫害率高、对环境及人体无害。
一种地下虫害防治复合药剂方法

[发明专利]低正向电压降的瞬态电压抑制器及其制造方法-CN200780027054.5有效
发明人：高隆庆;龚璞如;余玉珠 -专利权人：维谢综合半导体有限责任公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种低正向电压降的瞬态电压抑制器利用了在单个集成电路器件中与高反向额定电压的肖特基整流器并联电连接的低反向额定电压的PN二极管。该瞬态电压抑制器在理想情况下适于解决PN二极管的高正向电压降以及肖特基整流器的低反向击穿的高泄漏的问题。可以通过诸如1)双外延层(浓度较高的外延层位于底部)或2)通过压缩基区实现的PN二极管的击穿设计的方法来制造低反向电压的PN整流器。
正向电压瞬态抑制器及其制造方法