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[发明专利]具有板上芯片封装型的封装基板的发光装置及其制造方法-CN201380026677.6在审
发明人： 今井勇次 -专利权人：株式会社DEL
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置及其制造方法，即使是板上芯片封装型发光装置，不设置特殊的电路图案或不进行电流控制，也能够提高显色性而不会使发光量过度削弱。本发明的板上芯片封装型发光装置将多个LED元件直接安装在封装基板上，其中，具有形成于所述封装基板上的电路图案，该电路图案具有安装有所述多个LED元件的多个安装部和一对阳极电极及阴极电极，在安装于所述电路图案的各LED元件中，包括发光波长及温度特性互不相同的多种LED元件，利用所述多种LED元件的温度特性，作装置整体构成为，与常温时相比，使用温度时的平均显色性指数(Ra)增大。
具有芯片封装发光装置及其制造方法

[发明专利]光源装置-CN201010118728.6无效
发明人： 今井勇次 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种将从蓝色发光二极管所发出的蓝色光变换成白色光的光源装置。本发明的光源装置至少由蓝色发光二极管、及将从所述蓝色发光二极管所发出的蓝色光变换成白色光的荧光膜所构成。另外，所述光源装置的荧光膜是在金属烷氧化物及/或金属烷氧化物的低聚物中，分散由金属氧化物微粒子、及吸收所述蓝色光的一部分而发出黄色光的黄色荧光体所构成的组合物而得到分散液，且将该分散液进行涂布和烧结而形成的。
光源装置

[发明专利]光源装置-CN201010118941.7无效
发明人： 今井勇次 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种将从发光二极管所发出的光变换成白色光的光源装置。本发明的光源装置的构成至少由发光二极管及光变换构件构成，其中光变换构件包括：将从所述发光二极管所发出的光变换成白色的荧光体膜，及形成于所述荧光体膜上的金属氧化物的薄膜。另外，所述光变换构件包括：荧光体膜，其是为了使从发光二极管所发出的紫外线乃至蓝色光成为白色光，在玻璃基材的至少一个面上涂布混合有荧光体、有机粘结剂及溶剂的液体，并进行干燥和烧结而形成的；及由金属氧化物构成的薄膜，其是在所述荧光体膜上涂布含有金属烷氧化物及/或金属烷氧化物的低聚物的涂布材料，并进行干燥和烧结而形成的。
光源装置

[发明专利]发光装置和发光装置的制造方法-CN200910151263.1无效
发明人： 今井勇次;上山智 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在装置的使用过程中发光效率不会下降、能够向LED元件输送大电流从而增大光量、并且能够得到具有良好显色性的白色光的发光装置。另外，本发明提供一种能够顺畅地将LED元件中产生的热传导给SiC荧光基板的发光装置的制造方法。本发明的发光装置的特征在于，具备：发出紫外线的第1LED元件；发出可见光的第2LED元件；SiC荧光基板，由掺杂了B和Al之中的至少一种及N的SiC构成，装配着所述第1LED元件和所述第2LED元件，在受到所述第1LED元件发出的光的激励时发出可见光；以及箱体，由无机材料构成，并容置着所述SiC荧光基板。
发光装置制造方法

[发明专利]发光装置及发光装置的制造方法-CN200910158740.7无效
发明人： 今井勇次;上山智 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置及发光装置的制造方法。提供一种发光装置，能够使装置使用时发光效率不降低，并使大电流流向LED元件来增大光量，而且，能够得到色彩再现性良好的白色光。另外，提供一种发光装置的制造方法，能够将LED元件所产生的热平稳地向基板传递。本发明的发光装置，其特征在于，具备：第一LED元件，发出紫外光；第二LED元件，发出可见光；基板，搭载了上述第一LED元件及上述第二LED元件，包含无机材料；壳体，容纳上述第一LED元件、上述第二LED元件及上述基板，包含无机材料；以及SiC荧光板，掺杂有B及Al的至少一种和N，被从上述第一LED元件发出的光激励时，发出可见光。
发光装置制造方法

[发明专利]激光二极管芯片及其制造方法-CN200810109470.6无效
发明人： 今井勇次 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管芯片及其制造方法，可获得大的发光强度及高发光效率、并且可放射具有较宽的波长宽度的光，因此可作为照明装置的光源的构成材料而使用。激光二极管芯片的特征在于，在基板上至少由第1包覆层、活性层及第2包覆层依序层叠而成，并且具有第1包覆层、活性层及第2包覆层的各自的构成材料通过特定的组合而成的结构，在平行地形成于第2包覆层的上面的多个槽状凹部内的每一个中，具备液体氧化膜烧成而成的电流狭窄层，并且在由这些多个电流狭窄层所划分的各个发光单位区域的活性层内形成有发光点，该电流狭窄层的最大深度为5.0μm以下。
激光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]LED晶片的制造方法-CN200810108307.8无效
发明人： 今井勇次 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED晶片的制造方法，在其工序上，可以轻易且有效地去除在形成氮化物类半导体层时所使用的蓝宝石基板。本发明的LED晶片的制造方法是用以制造具有氮化物类半导体层的LED晶片的方法，其特征为具有化学蚀刻工序：对于具有在蓝宝石基板上形成有氮化物类缓冲层，且在该氮化物类缓冲层上形成有氮化物类半导体层的构造的LED晶片构造体，通过化学蚀刻将氮化物类缓冲层去除。
led 晶片制造方法

[发明专利]发光二极管元件及其制造方法-CN200810099054.2有效
发明人： 今井勇次 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有良好的散热性，且具有可在散热构件上同时接合多个LED芯片的结构的LED元件及其制造方法。本发明的LED元件，是LED芯片接合在散热构件上而成的结构，其特征为：该LED芯片由形成于该散热构件的上表面的AuSn类合金层来接合，在该AuSn类合金层形成有延伸于与散热构件的上表面垂直的方向的柱状结晶。此外，本发明的LED元件的制造方法，是用以制造LED芯片接合在散热构件上而成的结构的LED元件，其特征是具有：在散热构件的上表面直接形成Sn膜的工序；在LED芯片的下表面形成Au膜的工序；在形成于散热构件的上表面的Sn膜上，载置形成Au膜的LED芯片的工序；及在混合气体流动的氛围气体中加热载置LED芯片的散热构件，将LED芯片接合在散热构件上的工序。
发光二极管元件及其制造方法

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