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[发明专利]一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法-CN202211138415.6在审
发明人：林珍华;常晶晶;崔东升;亢梦洋;苏杰;魏葳;郭兴;赵雪;胡赵胜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。
一种缺陷可控单层氧化单双极共存存储器制备方法

[发明专利]一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法-CN201510743028.9在审
发明人：张璋;亢梦洋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法，所述方法包括：制备阳极氧化铝AAO模板；将AAO模板转移至清洗后的硅片上；将硅片样品转移至快速热处理炉RTP腔体中进行退火，高温去除AAO孔里的聚苯乙烯PS；将硅片样品转移至离子刻蚀反应腔的真空腔体中，通入源气体氩气进行刻蚀，形成有序的纳米碗状阵列结构；将形成纳米碗状阵列结构的硅片样品于所述离子刻蚀反应腔中取出，通过热蒸发镀膜系统在所述纳米结构的表面再热蒸镀预置厚度的银膜，即得到表面拉曼增强活性基底。上述技术方案使制备的活性衬底具有极高的SERS增强和灵敏度，制备工艺简单，重复性好。
一种基于离子刻蚀制备表面增强活性基底方法

[发明专利]一步模板法制备有序纳米点阵列的方法-CN201510487320.9在审
发明人：张璋;张晓燕;高兴森;亢梦洋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种一步模板法制备有序纳米点阵列的方法，包括：步骤101，选取衬底材料，并对该衬底材料进行前处理，得到衬底样品；步骤102，制备阳极氧化铝AAO模板；步骤103，将所述AAO模板平铺到所述衬底样品上，得到待刻蚀样品；步骤104，将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；步骤105，去除残留的AAO模板，得到有序的纳米点阵列；该方法利用AAO的底部障碍层图形结构转移至衬底上，无需传统的孔扩宽和通孔处理步骤，直接转移简便省时；利用离子束刻蚀机进行垂直轰击，无需引入有毒的化学反应气，制作方法无毒无害，对操作人员不会造成伤害，安全性高。
一步模板法制备有纳米阵列方法