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[发明专利]具有气体注射分配装置的喷头组件-CN201180043641.X有效
发明人： 亚历山大·塔姆;常安忠;桑姆特·阿查利雅;唐纳德·J·K·奥尔加多 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种可应用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法及装置。所述装置包括喷头组件，所述喷头组件具有独立入口和歧管，用于将独立的处理气体输送到腔室的处理空间中且不会在气体进入处理空间前混合气体。喷头包括设置在多个气体入口内的多个气体分配装置，用于将所述处理气体中的一种气体注射入歧管并分配于所述歧管上，以便均匀输送至腔室的处理空间中。气体分配装置中的每一个气体分配装置优选具有喷嘴，喷嘴被配置为均匀分配流经所述喷嘴中的处理气体同时使歧管内处理气体的再循环最小化。由此，可在放置在处理腔室的处理空间中的多个基板上得到改进的沉积均匀性。
具有气体注射分配装置喷头组件

[发明专利]诱导处理腔室清洁气体的紊流的方法及设备-CN201180028838.6有效
发明人：仲华;董希子;基奥温·貌;塙広二;姜圣元;戴维·H·夸;唐纳德·J·K·奥尔加多;戴维·布尔;许伟勇;亚历山大·塔姆;常安中;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。
诱导处理清洁气体紊流方法设备

[发明专利]多个气体螺旋通路的喷头-CN201110037719.9无效
发明人： 亚历山大·塔姆;雅各布·格雷森;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。III族前体诸如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟以及含氮前体诸如氨被传送到隔离前体气体的多个螺旋通路中。前体气体被注入到混合通路中，这里气体在进入到含有基板的处理容积之前混合。
气体螺旋通路喷头

[发明专利]用以制造复合氮化物半导体元件的处理系统-CN200980103690.0无效
发明人：布赖恩·H·伯罗斯;洛里·D·华盛顿;罗纳德·史蒂文斯;肯里克·T·乔伊;安东尼·F·怀特;罗杰·N·安德森;桑迪普·尼杰霍安;乔舒亚·J·波德斯塔;亚历山大·塔姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：用来制造复合氮化物半导体元件的处理系统的一实施方式包含：一或多个处理腔室，可操作这些处理腔室以在一基板上形成一复合氮化物半导体层；一传送腔室，与该处理腔室耦接；一加载锁定腔室，与该传送腔室耦接；和一加载站，与该加载锁定腔室耦接；其中该加载站包含一输送盘，可移动该输送盘以传送加载有一或多个基板的一承载板进入该加载锁定腔室内。相较于单一腔室反应器来说，此多腔室处理系统可扩展复合结构的潜在复杂性与多样性。此外，此系统可通过使单独的腔室只执行特定外延生长工艺而达成较高的品质与产率。通过在多个腔室内同时进行处理而能提高产出率。
用以制造复合氮化物半导体元件处理系统

[发明专利]化学汽相沉积设备-CN200980103376.2有效
发明人：布赖恩·H·伯罗斯;罗纳德·史蒂文斯;雅各布·格雷森;乔舒亚·J·波德斯塔;桑迪普·尼杰霍安;洛里·D·华盛顿;亚历山大·塔姆;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及复数个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。
化学沉积设备

[发明专利]HVPE喷头设计-CN201010171133.7无效
发明人：布赖恩·H·罗伯斯;亚历山大·塔姆;罗纳德·史蒂文斯;雅各布·格雷森;肯里克·T·乔伊;萨姆埃德霍·阿卡赖亚;桑迪普·尼杰霍安;奥尔加·克里莱克;尤里·梅尔尼克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。一种在一个或多个衬底上形成金属氮化物层的方法，包括：使金属源暴露于包含氯(Cl2)的第一处理气体以形成金属卤化物气体，其中该金属源包含选自由镓、铝和铟构成的组群中的元素；以及使一个或多个衬底暴露于氮前驱物气体和该金属卤化物气体以在所述一个或多个衬底的表面上形成金属氮化物层。
hvpe 喷头设计

[发明专利]多种气体同心注射喷头-CN200810170605.X有效
发明人： 亚历山大·塔姆;罗纳德·史蒂文斯;雅各布·W·格雷森;戴维·布尔;桑迪普·尼杰霍安 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种可用做化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族-氮膜。III族-前驱物，例如，三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟及诸如氨的含氮前驱物，分别传送至多个同心气体注射端口。该前驱物气体注入到混合区域中，该气体在进入包含衬底的处理容积之前在混合区域中混合。
多种气体同心注射喷头

[发明专利]多个气体螺旋通路的喷头-CN200810170602.6无效
发明人： 亚历山大·塔姆;雅各布·格雷森;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或混合气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。III族前体诸如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟以及含氮前体诸如氨被传送到隔离前体气体的多个螺旋通路中。前体气体被注入到混合通路中，这里气体在进入到含有基板的处理容积之前混合。
气体螺旋通路喷头

[发明专利]多种气体直通道喷头-CN200810170603.0有效
发明人：布赖恩·H·伯罗斯;亚历山大·塔姆;罗纳德·史蒂文斯;肯里克·T·乔伊;詹姆斯·D·费尔斯克;雅各布·格雷森;萨姆埃德霍·阿卡赖亚;桑迪普·尼杰霍安;洛里·D·华盛顿;尼欧·谬 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。
多种气体通道喷头

[发明专利]HVPE喷头设计-CN200710165352.2无效
发明人：布赖恩·H·罗伯斯;亚历山大·塔姆;罗纳德·史蒂文斯;雅各布·格雷森;肯里克·T·乔伊;萨姆埃德霍·阿卡赖亚;桑迪普·尼杰霍安;奥尔加·克里莱克;尤里·梅尔尼克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。分散所述第一和第二组通路以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体直到它们到达衬底。惰性气体还可流经所述通道以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应，从而防止所述通路上的不需要的沉积。
hvpe 喷头设计

[发明专利]具有用于气体注入和排出的两个相对袋的反应腔-CN200610141161.8有效
发明人：约瑟夫·尤多沃斯科;罗伯特·C·库克;永·K·金;亚历山大·塔姆;梅特伊·马哈贾尼;亚当·A·布雷洛夫;史蒂夫·G·加内耶 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明通常提供一种批处理腔，其具有石英腔、至少一加热块、连接到石英腔一侧的注入组件和连接到石英腔的相对侧的排出组件。在一个实施方式中，对注入组件进行独立地温度控制。在另一实施方式中，至少一温度传感器设置在石英腔的外侧。
具有用于气体注入排出两个相对反应

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