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[发明专利]形成氮化物半导体器件的工艺-CN201811202940.3有效
发明人： 中野拓真 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。
形成氮化物半导体器件工艺

[发明专利]半导体器件及形成该半导体器件的处理-CN202210278490.6在审
发明人： 中野拓真 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管(FET)类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件，其设置了：主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区；源电极、漏电极和栅电极；覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜；以及绝缘膜上的场板。本发明的FET的特征在于所述场板通过设置在绝缘膜中的开口与辅助有源区电接触。
半导体器件形成处理

[发明专利]软磁性金属粉末、压粉磁芯及磁性部件-CN201910175330.7有效
发明人：吉留和宏;松元裕之;堀野贤治;森智子;中野拓真;野老诚吾;大塚翔太;氏家彻;森健太郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种软磁性金属粉末，其特征在于，包含多个含有Fe的软磁性金属颗粒，软磁性金属颗粒的表面被包覆部覆盖，包覆部从软磁性金属颗粒的表面向外侧依次具有第一包覆部和第二包覆部，第一包覆部含有Fe的氧化物作为主成分，第二包覆部含有选自P、Si、Bi及Zn中的一种以上的元素的化合物，第一包覆部中包含的Fe的氧化物的Fe原子中，价数为三价的Fe原子的比例为50％以上。
磁性金属粉末压粉磁芯部件

[发明专利]软磁性合金和磁性部件-CN201811147880.X有效
发明人：原田明洋;松元裕之;堀野贤治;吉留和宏;长谷川晓斗;天野一;荒健辅;野老诚吾;细野雅和;中野拓真;森智子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：一种由由组成式(Fe(1‑(α+β))X1αX2β)(1‑(a+b+c+d))MaBbPcCd构成的主成分、和至少包含Ti、Mn和Al的副成分构成的软磁性合金。X1为选自Co和Ni中的1种以上，X2为选自Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi和稀土元素中的1种以上，M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W和V中的1种以上。0.030≤a≤0.100，0.050≤b≤0.150，0＜c≤0.030，0＜d≤0.030，α≥0，β≥0，0≤α+β≤0.50。Ti的含量为0.001～0.100wt％，Mn的含量为0.001～0.150wt％，Al的含量为0.001～0.100wt％。
磁性合金部件

[发明专利]软磁性金属粉末、压粉磁芯及磁性部件-CN201910175174.4有效
发明人：森智子;松元裕之;堀野贤治;吉留和宏;中野拓真;野老诚吾;大塚翔太;氏家彻;森健太郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种软磁性金属粉末，其特征在于，所述软磁性金属粉末含有多个包含Fe的软磁性金属颗粒，软磁性金属颗粒的表面被绝缘性的包覆部覆盖，包覆部含有软磁性金属微粒。
磁性金属粉末压粉磁芯部件

[发明专利]形成氮化物半导体器件的工艺-CN202110157003.6在审
发明人： 中野拓真 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。
形成氮化物半导体器件工艺

[发明专利]软磁性金属粉末、压粉磁芯及磁性部件-CN201910178027.2有效
发明人：吉留和宏;松元裕之;堀野贤治;森智子;中野拓真;野老诚吾;大塚翔太;氏家彻;森健太郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种软磁性金属粉末，其特征在于，包含多个软磁性金属颗粒，软磁性金属颗粒的表面被包覆部覆盖，包覆部从软磁性金属颗粒的表面向外侧依次具有第一包覆部、第二包覆部、及第三包覆部，第一包覆部含有Si的氧化物作为主成分，第二包覆部含有Fe的氧化物作为主成分，第三包覆部含有选自P、Si、Bi及Zn中的一种以上的元素的化合物。
磁性金属粉末压粉磁芯部件

[发明专利]半导体器件-CN202011327407.7在审
发明人： 中野拓真;丸山智己 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，所述晶体管形成在所述衬底上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。
半导体器件

[发明专利]软磁性金属粉末、压粉磁芯及磁性部件-CN201910175144.3有效
发明人： 中野拓真;吉留和宏;松元裕之;森智子;野老诚吾;堀野贤治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种软磁性金属粉末，其特征在于，含有多个软磁性金属颗粒，该软磁性金属颗粒由含有Cu的Fe系纳米晶合金构成，软磁性金属颗粒具有芯部和包围芯部的周围的第一壳部，在将存在于芯部的Cu微晶的平均微晶直径设为A，且将存在于第一壳部的Cu微晶的最大微晶直径设为B的情况下，B/A为3.0以上1000以下。
磁性金属粉末压粉磁芯部件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201910445078.7在审
发明人： 中野拓真;丸山智己 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，场板经由绝缘膜电耦合到晶体管的栅极，并且晶体管位于基板上；形成覆盖绝缘膜和场板的氮化硅保护膜；在氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及在氧化硅基膜上形成MIM电容器，该MIM电容器包括按顺序堆叠的第一电极、介电膜和第二电极。形成MIM电容器包括：在形成介电膜之后，对场板上的氧化硅基膜执行湿法蚀刻。
场板氧化硅基膜晶体管氮化硅保护膜半导体器件介电膜绝缘膜第二电极第一电极绝缘膜电湿法蚀刻顺序堆叠耦合到覆盖基板制造

[发明专利]半导体器件及形成该半导体器件的处理-CN201811138593.2在审
发明人： 中野拓真 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管(FET)类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件，其设置了：主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区；源电极、漏电极和栅电极；覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜；以及绝缘膜上的场板。本发明的FET的特征在于所述场板通过设置在绝缘膜中的开口与辅助有源区电接触。
半导体器件绝缘膜辅助有源区层叠件场板源区氮化物半导体材料场效应晶体管氮化物半导体电极电接触漏电极无源区源电极栅电极半导体开口包围覆盖

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