专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于需求机会约束的分布式电池储能集群调频方法和装置-CN202111304335.9有效
  • 张圣祺;汪飞;严利民;刘何毓 - 上海大学
  • 2021-11-05 - 2023-10-20 - H02J3/24
  • 本发明公开一种基于需求机会约束的分布式电池储能集群调频方法和装置,通过构建模糊推理决策系统引入储能电量因素,用以调节不同时刻下储能的调频损耗,再考虑自动发电控制AGC功率需求机会约束,以最小化当前及未来时刻内电池储能总调频损耗、并尽可能消除电池储能集群跟踪误差为目标,构建了电池储能集群优化功率分配问题模型,最后通过各电池储能与控制中心交替迭代状态变量,并行式求解各电池储能参与AGC的最优功率分配。本发明有效避免单个储能因电量耗尽导致的频率二次跌落问题,在有效保证储能集群参与AGC的响应精度的同时兼顾了储能调频经济性,且充分利用了储能本地算力,显著提升了优化问题的求解效率。
  • 基于需求机会约束分布式电池集群调频方法装置
  • [发明专利]一种以SiO2-CN202211695420.7在审
  • 严利民;华鹏程;曹进;陈强;项虎迥;田辉辉 - 上海艾克森电子有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-04-18 - H01L33/00
  • 一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法,步骤S1:在MOCVD反应室内,在蓝宝石衬底上制备GaN形核层,步骤S2:刻蚀将衬底及GaN转移出反应室,使用KOH进行选择性刻蚀;步骤S3:沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中,在形核层表面沉积一层SiO2薄膜;步骤S4:刻蚀氧化硅使用光刻刻蚀去除表面的SiO2薄膜;步骤S5:继续生长氮化镓将衬底转移入MOCVD反应室内,继续进行GaN外延生长。本发明利用氮化镓材料存在缺陷处与不存在缺陷处腐蚀速率不同的原理,可通过选择性腐蚀在存在穿通位错的的部位形成腐蚀坑。在氮化镓表面沉积SiO2可以阻碍穿通位错的进一步生长,使用光刻手段去除沉积的SiO2可以精准控制光刻后GaN形核层表面是否有SiO2,降低后续生长的GaN的穿通位错密度。
  • 一种siobasesub
  • [发明专利]一种脉搏波特征参数测量及显示装置-CN202010871561.4有效
  • 严利民;汤坤;任春明;李燕然;陈姝雨;陈强 - 上海大学;上海艾克森电子有限公司
  • 2020-08-26 - 2023-03-14 - A61B5/02
  • 本发明公开了一种脉搏波特征参数测量及显示装置,通过脉搏波传感器提取人体动脉处的脉搏信号。经过电路滤波等预处理后,通过无线传输模块输入到上位机上。利用小波变换将信号分解后去除基线漂移等噪声,结合微分法及小波变换法,提取最高点和最低点,以及较为复杂部位的其他特征点,本发明方法提高了算法的运行速度以及特征点检测的精准度。由于不同年龄段的人脉搏波特征点差异性大,对不同年龄段的人群采取了不同的小波变化分解信号,提高脉搏信号特征参数检测的准确性和实时性。利用精准的脉搏波特征参数点,计算出人体的血压、心率、血氧饱和度以及心血管相关的健康状态。最后将处理分析后得到的脉搏波信号特征参数标记在脉搏波信号上与人体各生理参数一同在上位机显示界面上显示。
  • 一种脉搏波特参数测量显示装置
  • [发明专利]一种顺式-D-羟脯氨酸衍生物的制备方法-CN202111409287.X在审
  • 严利民;焦波;燕青;陈纹锐;张丽 - 四川同晟生物医药有限公司
  • 2021-11-24 - 2022-03-01 - C07D207/16
  • 本发明公开了一种顺式‑D‑羟脯氨酸衍生物的制备方法,涉及有机化学技术领域,解决了现有的顺式‑D‑羟脯氨酸衍生物合成工艺复杂,对设备要求高,不利于大规模化工业生产的技术问题;本发明的制备方法为:以经济易得的3‑溴丙烯和手性芳胺为起始原料,先合成得到中间体手性胺,再和乙醛酸关环得到消旋体N保护的羟脯氨酸内酯,经过手性酸性拆分剂拆分得到单一手性纯度产品,最后开环并脱保护得到最终目标产物;与现有技术相比,本发明在于自己构建五元环,得到两种手性异构产物,根据需求可选择拆分所需目标产物,可操作性强,工艺路线简单,具有工业放大前景。
  • 一种顺式羟脯氨酸衍生物制备方法
  • [实用新型]一种车门玻璃导槽密封条断面结构-CN202121593424.5有效
  • 严利民;唐景青 - 库博标准投资有限公司
  • 2021-07-14 - 2022-01-28 - B60J10/30
  • 本发明公开了一种车门玻璃导槽密封条断面结构,包括导槽体和饰条,所述导槽体的端部通过共挤在导槽体形成饰条安装结构,所述饰条安装结构的一侧形成钳形的饰条卡接口,所述饰条安装结构的另一侧形成下探的上饰条卡接部,其与导槽体上抬的下饰条卡接部共同形成饰条卡接口,所述饰条的两端分别卡接入两个饰条卡接口内;所述饰条安装结构为软胶材质。本发明的一种车门玻璃导槽密封条断面结构,它能够实现汽车玻璃导槽和饰条的紧密稳固结合。
  • 一种车门玻璃密封条断面结构
  • [发明专利]一种OLED器件及其制备方法-CN202110696223.6在审
  • 宝庆云;魏斌;严利民;王堂;马瑞明;朱才华 - 上海晶合光电科技有限公司
  • 2021-06-23 - 2021-09-21 - H01L51/50
  • 本发明涉及一种OLED器件及其制备方法。该OLED器件包括:由下到上依次排布的基板层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、载流子产生层和金属电极;所述载流子产生层包括MoO3掺杂层和Ag掺杂层。所述MoO3掺杂层与所述Ag掺杂层不存在碱金属离子,因此不会由于碱金属离子扩散进入发光层而引起器件失效,从而大幅提升了OLED器件的寿命和稳定性。并且本发明采用了倒置结构,将对水氧敏感的电子传输材料置于OLED器件的下方,减少其接触水氧的几率,由此减缓OLED器件的材料失效,进而提高OLED器件的使用寿命。
  • 一种oled器件及其制备方法

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