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[发明专利]半导体装置-CN201480081885.0有效
发明人： 上村仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：半导体装置具有钳位电路(24)和彼此串联连接的多个自消弧元件(12)。多个自消弧元件(12)具有控制端子及多个主电极端子。钳位电路(24)在该多个自消弧元件(12)断开时将该多个自消弧元件(12)的主电极端子间电压钳位至钳位电压，该钳位电压规定为小于或等于自消弧元件(12)所具有的静态耐压的70％。
半导体装置

[发明专利]半导体开关装置-CN201380078817.4有效
发明人：齐藤升太;上村仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：开关元件(A)与负载(L)并联连接。开关元件(B)连接于开关元件(A)和接地点之间。驱动电路(1)驱动开关元件(A)，驱动电路(2)驱动开关元件(B)。负载短路检测电路(3)如果检测出负载短路，则输出第1信号。计时器(6)在从输入第1信号起经过规定时间后输出第2信号。驱动电路(1)如果输入第1信号，则使开关元件(A)导通。驱动电路(2)如果输入第2信号，则使开关元件(B)截止。
半导体开关装置

[发明专利]半导体装置-CN201110214601.9有效
发明人： 上村仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明抑制半导体装置的保护环区的载流子积蓄。半导体装置具有IGBT单元，该IGBT单元由n-型漂移层(11)中形成的基极区(14)和发射极区(15)，以及隔着n型缓冲层(13)而在漂移层(11)下配置的p型集电极层(12)构成。在IGBT单元的周围配置有形成保护环(31)的保护环区。保护环区的下表面是去除集电极层(12)的台面结构。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201110110591.4有效
发明人： 上村仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，具备：功率半导体列（6）和二极管列（7），功率半导体列（6）包含：位于功率半导体列（6）的一方的端部的功率半导体（11A）和位于另一方的端部的功率半导体（11C）、和位于功率半导体（11A）和功率半导体（11C）之间的功率半导体（11B），二极管列（7）包含：位于二极管列（7）的一方的端部的二极管（12A）、位于另一方的端部的二极管（12C）、和位于二极管（12A）与二极管（12C）之间的二极管（12B），关于ON状态下的发射极电极与集电极电极间的电阻值，功率半导体（11B）比功率半导体（11A）和功率半导体（11C）大，施加开启电压以上的电压时的二极管（12B）的电阻值，比施加开启电压以上的电压时的二极管（12A）和二极管（12C）的电阻值高。
半导体装置

[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法-CN200810074210.X有效
发明人：久本好明;楢崎敦司;上村仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及抑制开光特性的恶化或者寄生可控硅的动作开始并且具有集电极和集电极的接触良好的欧姆特性的功率用半导体装置以及制造方法，其目的在于提供一种改善了短路容量等的特性的功率用半导体装置以及制造方法。具有：第一导电型的发射极区域；与所述发射极区域接触的第二导电型的基极区域；与所述基极区域基础的第一导电型的耐压维持区域；与所述耐压维持区域接触的第二导电型的集电极区域；与所述集电极区域接触地配置的作为电极的集电极。并且，该集电极区域的与电场缓和区域重叠的区域和与有源区域重叠的区域都具有第二导电型的掺杂剂，在与该电场缓和区域重叠的区域具有第二导电型载流子的载流子密度比与该有源区域重叠的区域低的区域。
功率半导体装置及其制造方法