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[发明专利]用于形成导电膜的铜墨和方法-CN202180021070.3在审
发明人： 三田伦广;川户祐一;有村英俊 -专利权人：日本石原化学株式会社
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C09D11/023 文献下载
摘要：一种用于通过烧制形成导电膜的铜墨，该铜墨可通过丝网印刷在基材上印刷并形成具有降低的电阻的导电膜。该铜墨用于在甲酸气氛中进行烧制，并且包括：铜细颗粒；含有铜细颗粒的分散介质；分散剂，其将铜细颗粒分散在分散介质中。铜细颗粒包括中值直径为10‑100nm的那些。分散介质包括具有羟基的有机溶剂。分散剂是聚合物。
用于形成导电方法

[发明专利]电路板、导电膜形成方法和粘合性改进剂-CN201380025631.2在审
发明人：川户祐一;三田伦广;前田祐介;工藤富雄 -专利权人：日本石原化学株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：在通过光烧结铜颗粒组成的膜形成的导电膜中，改善该导电膜对基底材料的粘合性。电路板1包括包含导电膜2的电路，以及基板3。该电路板1进一步包括在基板3与导电膜2之间的树脂层4。该基板3由非热塑性基底材料31制成。该树脂层4含有热塑性树脂。该导电膜2通过光烧结铜颗粒21组成的膜形成，并由此通过树脂层4改善导电膜2对基底材料31的粘合性。
电路板导电形成方法粘合改进

[发明专利]导电膜形成方法、铜微粒分散体和电路板-CN201280060112.5无效
发明人：川户祐一;三田伦广;前田祐介;工藤富雄 -专利权人：日本石原化学株式会社;应用纳米技术控股股份有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种导电膜形成方法，该方法通过利用光烧结甚至在基底材料具有低耐热性时也可以在基底材料上形成具有低电阻的导电膜。导电膜形成方法是在基底材料1上形成导电膜2的方法，并且该方法包括以下步骤：在基底材料上形成由铜微粒4构成的膜3b，对膜3b进行光烧结，以及对经光烧结的膜3c实施镀敷。藉此通过降低光烧结过程中的光照射能量甚至在基底材料1具有低耐热性时也可以在基底材料1上形成导电膜2。由于导电膜2包括镀层21，因此电阻降低。
导电形成方法微粒散体电路板

[发明专利]抗蚀剂图案涂布剂和使用其的抗蚀剂图案形成方法-CN200980141606.4无效
发明人：矢田勇二;庵野祐亮;柿泽友洋;堀雅史;三田伦广;若松刚史 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂图案涂布剂，其在包括：使用第一放射线敏感性树脂组合物，在基板上形成第一抗蚀剂图案的工序(1)、用抗蚀剂图案涂布剂对上述第一抗蚀剂图案进行处理的工序(2)和使用第二放射线敏感性树脂组合物，在用抗蚀剂图案涂布剂处理过的基板上形成第二抗蚀剂图案的工序(3)的抗蚀剂图案形成方法的工序(2)中使用，含有具有羟基的树脂、和包含30质量％以上的碳原子数3～10的支链烷基醇的溶剂。
抗蚀剂图案涂布剂使用形成方法

[发明专利]平板显示器部件形成用组合物、转印膜及其应用-CN200810176513.2无效
发明人：菅原哲德;井上靖健;间嶋宽;三田伦广 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C03B23/203 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成焙烧后的透射率、反射率、表面平滑性以及膜厚均匀性高的FPD面板部件的FPD部件形成用组合物。另外，还提供一种挠性、转印性和操作性均优良、且具有由上述组合物形成的FPD部件形成用组合物层的转印膜。另外，提供一种能够形成透射率和反射率大、表面平滑性以及膜厚均匀性均优良的FPD面板部件的FPD面板部件制造方法。本发明的FPD部件形成用组合物，含有：(A)无机粉体、(B)粘结树脂、(C)含有硅烷基的化合物、以及(D)金属醇盐，且该粘结树脂(B)中含有(B-1)(甲基)丙烯酸类聚合物，所述(B-1)(甲基)丙烯酸类聚合物具有聚氧化烯部，重均分子量为10,000～50,000。
平板显示器部件形成组合转印膜及其应用

[发明专利]有机硅氧烷膜的处理方法及装置-CN02817271.X无效
发明人：菱屋晋吾;佐野哲哉;关口学;三田伦广 -专利权人：东京毅力科创株式会社;JSR株式会社
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。
有机硅氧烷膜处理方法装置