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[发明专利]滤光片及显示装置-CN201980048913.1有效
发明人：佐濑光敬;大家健一郎;三上智司;朴廷烋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种包含式(I)所示的化合物的滤光片。[式(I)中，R1～R4各自独立地表示氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基。T1及T2各自独立地表示氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基。Y1及Y2的任意一方表示任选具有取代基的1价的芳香族基团，另一方表示任选具有取代基的1价的芳香族基团、氢原子、卤素原子或任选具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基(该烃基为1价的芳香族基团以外的基团，该烃基中含有的‑CH2‑任选被置换为‑O‑或‑CO‑。)。]。
滤光显示装置

[发明专利]着色组合物、化合物、滤色器和显示装置-CN202110175578.0在审
发明人：织田胜成;三上智司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供在比以往已知的C.I.颜料黄138的吸收光谱的最长波长侧的极大吸收波长更长的波长侧具有吸收光谱的最长波长侧的极大吸收波长的化合物、和/或具有吸收光谱的最长波长侧的肩峰的波长的化合物以及包含该化合物的着色组合物。式(I)表示的化合物(其中，Q1和Q2中的至少一者为式(QQ20)表示的基团)。
着色组合化合物滤色器显示装置

[发明专利]化合物及其制造方法-CN201980048864.1在审
发明人：大家健一郎;三上智司;朴廷烋;佐濑光敬 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C07D207/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物，由式(I)表示。[式中，R1～R4各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基。T1和T2各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基。Y1和Y2的一方表示可以具有取代基的1价的芳香族基团，另一方表示可以具有取代基的1价的芳香族基团、氢原子、卤素原子或可以具有取代基的碳原子数1～6的1价的烃基(该烃基为1价的芳香族基团以外的基团，该烃基中包含的－CH2－可以取代为－O－或－CO－)]。
化合物及其制造方法

[发明专利]高分子化合物及使用其的发光元件-CN201380027514.X有效
发明人：关根千津;三上智司;安立诚;柿本秀信;安妮特·雷因·施托伊德尔;马丁·约翰·汉弗莱斯;基兰·蒂蒙西·卡姆特卡;埃莱娜·奥哈斯·加西亚;苏菲·海登海因;露特·佩金唐 -专利权人：住友化学株式会社;剑桥显示技术公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分子化合物，其包含式(1)所示的结构单元及式(2)所示的结构单元、并包含式(3)所示的结构单元和/或式(4’)所示的结构单元。[Ar1～Ar4表示亚芳基等，Ar5～Ar7表示芳基等，x、y表示0或1。Ar8表示(2+p)价芳烃基，R1表示烷基，p表示1以上的整数。na表示0～3的整数，nb表示0～12的整数，nA表示0或1，n表示1～4的整数，Ar10表示(2+n)价芳烃基等，La、Lb表示亚烷基等，LA表示氧原子等，Q1表示1价交联性基团。c表示0或1，Ar20、Ar30’、Ar40表示亚芳基等，Q2’～Q4’表示1价交联性基团等，na、ng表示0～3的整数，nb、nh表示0～12的整数，nA、nD表示0或1，La、Lb、Lg、Lh表示亚烷基等，LA、LD表示氧原子等。]。
高分子化合物使用发光元件

[发明专利]高分子化合物、发光材料及发光元件-CN201110414420.0有效
发明人：秋野喜彦;关根千津;三上智司;中谷智也 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为以下的范围。0＜Ze≤2.00(1)(这里，电子共轭链系数Ze定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/ne)时的斜率，其中，ne表示重复最小单元中所含的共轭电子数，Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量。这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子。但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Ze。)。
高分子化合物发光材料元件

[发明专利]发光材料及使用其的发光器件-CN201110056945.1无效
发明人：关根千津;秋野喜彦;三上智司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供发光材料及使用其的发光器件。本发明的发光材料包含(A)在主链中含有芳环的共轭聚合物和(B)在三重态受激态发光的化合物，其特征在于在聚合物(A)中，各自通过计算化学方法计算的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为1.3eV或更高，或用实验方法测量的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为2.2eV或更高，并且该材料满足下面的条件(1)，条件(1)：ETA-ESA0＞ETB-ESB0，其中ESA0是聚合物(A)处于基态的能量；ETA是聚合物(A)处于最低的受激三重态的能量；ESB0是化合物(B)处于基态的能量；且ETB是化合物(B)处于最低的受激三重态的能量。
发光材料使用器件

[发明专利]含有含氮杂环结构的高分子化合物、以及含有该化合物的组合物、溶液、薄膜和高分子发光元件-CN200980140716.9无效
发明人：石井佑典;小林重也;安立诚;三上智司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C08G61/00 文献下载
摘要：一种高分子化合物，具有式(1-0)表示的重复单元：式(1-0)中，环A⁰¹和环A⁰²相同或不同，表示可以具有取代基的芳香烃环；X¹⁰和X²⁰相同或不同，表示氢原子或者取代基；其中，X¹⁰和X²⁰中的至少一方为式(2-0)表示的基团；式(2-0)中，Z¹⁰、Z²⁰和Z³⁰相同或不同，表示-N＝或者-CH＝；其中，Z¹⁰、Z²⁰和Z³⁰中的至少2个为-N＝；L⁰表示亚芳基或者单键；Ar¹⁰和Ar²⁰相同或不同，表示芳基；其中，Ar¹⁰、Ar²⁰和L⁰表示的基团的碳数的合计为24以上。【化1】【化2】
含有含氮杂环结构高分子化合物以及化合物组合溶液薄膜高分子发光元件

[发明专利]钯系金属络合物-CN200980104920.5无效
发明人：马越启介;木村和丰;大西正义;石坂昌司;喜多村升;三上智司 -专利权人：国立大学法人长崎大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C07D231/12 文献下载
摘要：本发明提供一种金属络合物，其包含下述式(a)表示的组成[(Pd^II)₂(M^I)₂(X)₂(L)₄(L′)₂] (a)(式中，M^I表示Ag^I、Au^I或Cu^I，X表示Cl、Br或I；L用下述式(1)表示，L′用下述式(2)表示；2个M^I可以相同或不同；4个L可以相同或不同；2个L′可以相同或不同，(式(1)及(2)中，R¹、R²及R³分别独立地表示氢原子、卤原子、羟基、可以被取代的烷基、可以被取代的芳基或可以被取代的一元杂环基))。
金属络合物

[发明专利]高分子化合物以及含有它的组合物-CN200880014334.7无效
发明人： 三上智司;关根千津 -专利权人：住友化学株式会社;萨美甚株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分子化合物，其含有可以具有取代基的芴二基和具有1个以上取代基的亚苯基作为重复单元，并且含有下式(1)所示的重复单元和/或下式(2)所示的基团。式(1)中，Ar¹和Ar²表示亚芳基或2价芳香族杂环基，Ar¹和Ar²可以相同或不同。式(2)中，Ar¹表示与上述相同的含义，Ar³表示芳基或1价的芳香族杂环基。
高分子化合物以及含有组合

[发明专利]金属络合物、高分子化合物及含有它们的元件-CN200780014131.3无效
发明人：秋野喜彦;三上智司;关根千津 -专利权人：住友化学株式会社;萨美甚株式会社
申请日： 2007-02-21 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：一种具有式(1)表示的结构的金属络合物。(X₁及X₂分别独立地表示碳原子或氮原子，表示的键为单键或双键，M表示过渡金属原子，并且，由含有表示的结构的面和含有表示的结构的面决定的二面角为9°～16°，且该金属络合物的最高占有分子轨道中，该金属原子M的最外层d轨道的轨道系数平方之和相对于全部原子轨道系数平方之和所占的比例(％)除以该金属络合物的最低激发单重态能量S₁和最低激发三重态能量T₁的能量之差S₁－T₁而得的值为200～600％/eV。)
金属络合物高分子化合物含有它们元件

[发明专利]高分子化合物、发光材料及发光元件-CN200680042434.1有效
发明人：秋野喜彦;关根千津;三上智司;中谷智也 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Z_e为以下的范围。0＜Z_e≤2.00 (1)(这里，电子共轭链系数Z_e定义为利用最小二乘法来线性近似函数T_m＝T_m(1/n_e)时的斜率，其中，n_e表示重复最小单元中所含的共轭电子数，T_m表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量。这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子。但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Z_e。)。
高分子化合物发光材料元件

[发明专利]高分子材料以及使用该高分子材料的元件-CN200580047543.8有效
发明人：关根千津;三上智司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种含有共轭系高分子和树枝状聚合物的高分子材料，当将该材料用于发光元件的发光层时，可以得到能够以低电压进行驱动等的实用性优良的发光元件。
高分子材料以及使用元件

[发明专利]聚合物发光材料和聚合物发光器件-CN200480028951.4无效
发明人：中谷智也;关根千津;三上智司;小林谕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-09-28 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种包含聚合物化合物，和显示从三重激发态的光发射的聚合物发光材料，该聚合物化合物包括如下通式(1)或(2)的重复单元且由聚苯乙烯折算的数均分子量为10³－10⁸，[其中Ar¹和Ar²每个独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基团。X¹和X²每个独立地表示O、S、C(＝O)、S(＝O)、SO₂、C(R¹)(R²)、Si(R³)(R⁴)、N(R⁵)、B(R⁶)、P(R⁷)或P(＝O)(R⁸)。X¹和Ar²键合到在Ar¹的芳族环中的相邻碳原子上；且X²和Ar¹键合到在Ar²的芳族环中的相邻碳原子上]；[其中Ar³和Ar⁴每个独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基团。X³和X⁴每个独立地表示N、B、P、C(R⁹)或Si(R¹⁰)。X³和Ar⁴键合到在Ar³的芳族环中的相邻碳原子上，且X⁴和Ar³键合到在Ar⁴的芳族环中的相邻碳原子上]。
聚合物发光材料器件

[发明专利]发光材料及使用其的发光器件-CN200480026093.X无效
发明人：关根千津;秋野喜彦;三上智司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种发光材料，其包含(A)在主链中含有芳环的共轭聚合物和(B)在三重态受激态发光的化合物，其特征在于在聚合物(A)中，各自通过计算化学方法计算的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为1.3eV或更高，或用实验方法测量的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为2.2eV或更高，并且该材料满足下面的条件(1)，条件(1)：ET_A－ES_A0＞ET_B－ES_B0，其中ES_A0是聚合物(A)处于基态的能量；ET_A是聚合物(A)处于最低的受激三重态的能量；ES_B0是化合物(B)处于基态的能量；且ET_B是化合物(B)处于最低的受激三重态的能量。
发光材料使用器件

[发明专利]聚合物配位化合物和使用其的聚合物发光器件-CN200480026250.7无效
发明人： 三上智司;中谷智也 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种聚合物配位化合物，其特征在于，包含由下式(1)表示的重复单元和显示从三重态受激态发光的金属配位结构，在固态发射可见光，并且其聚苯乙烯折算的数均分子量为10³至10⁸。在式中，环P和环Q各自独立地表示芳族环，条件是环P可以存在或不存在；当环P存在时，两个连接键分别在环P和/或环Q上，并且当环P不存在时，两个连接键分别在含Y的5元环上和/或在环Q上；并且Y表示－O－、－S－等。
聚合物化合物使用发光器件

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