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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]冷却装置及单晶炉-CN202320936623.4有效
发明人： 龙小娇;宋丽平;龙昭钦;陈铭 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种冷却装置及单晶炉，冷却装置包括冷却主体、安装于冷却主体上的进液管路和出液管路，冷却主体包括设置有冷却腔的壳体，进液管路通过壳体上的进液口与冷却腔连通，出液管路通过壳体上的出液口与冷却腔连通；冷却腔内安装有至少一个沿冷却主体的周向延伸的第一分隔件，通过第一分隔件将冷却腔分隔为多个沿第一方向层叠设置的冷却流道，冷却流道内设置有多个间隔分布的第二分隔件，在一个冷却流道内，第二分隔件沿冷却主体的周向间隔分布、沿第一方向交错分布，使得冷却液在第一方向上呈S形流动，增加了冷却液在冷却腔内的流动路径，延长了冷却液在容纳腔内的热交换的时间，以提升冷却装置及单晶炉的冷却效率。
冷却装置单晶炉

[实用新型]稳晶装置-CN202320013065.4有效
发明人：霍润翔;龙小娇;赵山河;龙昭钦 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了稳晶装置，包括手柄，所述手柄的一端设置有头部，所述头部上开设有至少两个同心圆形的第一凹槽。本实用新型通过在手柄的一端设置头部，并在头部上开设有至少两个同心圆形的第一凹槽，不仅能够统一工装，便于操作一致性管理，从而避免手法偏差过大，而且可以减少杂质引入，从而降低污染的风险，同时无需操作者手臂伸入副室，大幅度降低安全事故风险。
装置

[发明专利]一种提纯棒的拉制方法-CN202310098147.8在审
发明人：赵巍;陈铭;宋丽平;龙小娇;龙昭钦 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备技术领域，涉及一种提纯棒的拉制方法。拉制方法包括将硅料混合物填装到单晶炉内；将所述硅料混合物加热融化为硅熔体；对所述硅熔体进行引晶、放肩、转肩、等径生长，之后收尾提断并冷却，取出晶棒的步骤；拉制方法所采用的的原料均为异常硅料混合物，其组分包括焖炉料、细粉等，通过对硅料混合物进行熔融、引晶、放肩、转肩、等径生长等步骤的处理，去除硅料中的杂质并形成了提纯棒；所制备的提纯棒经破碎后可以在拉制单晶硅棒时投炉使用，实现了异常硅料的再利用，大幅度的节约了硅料成本。
一种提纯拉制方法

[实用新型]一种定位结构及单晶炉-CN202320219326.8有效
发明人： 龙小娇;王兴龙;龙昭钦;宋丽平;陈铭 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种定位结构及单晶炉，涉及光伏技术领域，定位结构用于在单晶炉内对热屏进行定位，所述定位结构包括沿竖直方向延伸的第一支撑件和沿水平方向延伸的环形支撑件，所述第一支撑件的顶端与所述环形支撑件的外沿相连接，所述第一支撑件的轴线与所述环形支撑件的轴线重合；所述第一支撑件的外表面与所述单晶炉的内壁相接触，所述定位结构与所述单晶炉同轴设置。本申请实现了热屏在单晶炉内的精准定位，有效避免了热屏的偏移。
一种定位结构单晶炉

[发明专利]单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法-CN202211364100.3在审
发明人：赵巍;龙昭钦;宋丽平;龙小娇 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法，单晶炉的底板与侧板围成容纳腔，底板上有电极安装槽，第一底保温层位于容纳腔内且具有贯穿第一底保温层与电极安装槽正对的第一通孔，护盘压片位于第一底保温层上方的容纳腔内且具有贯穿护盘压片且与第一通孔正对的第二通孔，底加热器位于护盘压片上方的容纳腔内且与护盘压片间的间距在预设间距范围之内，环形保温部位于第一底保温层表面且环绕护盘压片，第二底保温层位于第一底保温层与底板间且有贯穿第二底保温层且与第二通孔正对的第三通孔，电极位于电极安装槽内且穿过第三通孔、第二通孔以及第一通孔与底加热器连接。本申请实施例至少可以提高单晶硅晶棒的品质。
单晶炉单晶硅制造方法

[实用新型]防漏硅装置及单晶炉-CN202222581251.6有效
发明人：宋丽平;龙小娇;陈铭;龙昭钦 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防漏硅装置及单晶炉，所述单晶炉包括炉体和位于所述炉体内的坩埚，所述防漏硅装置包括护盘和支撑固毡，护盘包括第一底壁和第一侧壁，第一底壁和第一侧壁围成第一腔体，护盘用于设置于单晶炉的炉体底部，护盘设置于坩埚的下方，支撑固毡设置于第一腔体内，支撑固毡与护盘的第一底壁接触的一侧具有第二腔体，第一腔体用于盛放坩埚泄露后的硅液。该单晶炉支撑固毡支撑起炉底上部热场，第二腔体留出可盛放硅液的空间，当漏硅的硅液量较多时，硅液可流至炉底护盘，极大程度保护炉底板及炉体外部波纹管等部件，降低了发生爆炸的可能性，极大地提高了单晶炉热场的安全性。
防漏装置单晶炉

[实用新型]一种单晶炉设备-CN202221651281.3有效
发明人：宋丽平;龙小娇;龙昭钦;陈铭 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种单晶炉设备，包括：炉体，炉体的顶部具有开口；保温层，保温层位于炉体内，且保温层围成容纳腔；坩埚，坩埚位于容纳腔内；密封结构，设置于炉体外部且环绕开口；移动件以及与移动件连接的冷却件，移动件适于沿朝向开口方向移动，以带动冷却件经由开口移动至容纳腔内，且还适于沿远离开口方向移动，以带动冷却件经由开口离开容纳腔，其中，移动件移动期间与密封结构相连接以使密封结构与移动件围成密闭空间。至少可以提高单晶炉设备的冷却速度。
一种单晶炉设备

[实用新型]一种单晶炉热场及单晶炉-CN202220207692.7有效
发明人：宋丽平;龙昭钦;陈铭;龙小娇 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能光伏领域，特别涉及一种单晶炉热场及单晶炉。该单晶炉热场包括底盘、保温筒、保温毡和保温套，保温毡设置在保温筒外部，保温套设置在保温筒内部；保温套包括两个弧形结构件，两个弧形结构件之间具有开口，两个弧形结构件与开口围成环形结构。本申请实施例还提供一种单晶炉，包括加热器和环绕加热器设置的热场。本申请实施例提供的单晶炉热场及单晶炉，将保温套设置在保温筒内并将加热器脚板设置在保温套的开口中，合理利用保温筒内部空间，增强保温效果，使坩埚处于低温区温度更低，更低的温度能够降低硅与坩埚表面二氧化硅反应速率，从而降低一氧化硅产出数量，从而实现氧含量降低，提高生产质量。
一种单晶炉热场单晶炉

[发明专利]水冷装置-CN202210754893.3在审
发明人：宋丽平;龙小娇;龙昭钦;陈铭 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F25D17/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种水冷装置，用于单晶炉内，水冷装置包括进水管、出水管第一导流装置和第二导流装置。第一导流装置包括第一侧壁和第二侧壁，且二者之间形成沿水冷装置的周向环绕设置的第一流道，第一侧壁位于第一导流装置靠近水冷装置中心的一侧，且朝向水冷装置的中心凸起，第二导流装置设置有第一导流腔，第二导流装置包括围成第一导流腔的第一内壳和第一外壳，第一内壳和第一外壳之间设置有第一隔板，多个第一隔板沿水冷装置的轴向交错设置，以使第一导流腔内具有第二流道，第二流道分别与第一流道和出水管连通，第一流道内的冷却水能够经第二流道流向出水管。该水冷装置能够增大换热面积，提高单晶炉内晶棒的冷却效率，从而提升晶棒的拉制速度。
水冷装置

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