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[发明专利]被覆Pd的铜球焊线-CN201280007491.1有效
发明人：高田满生;山下勉;执行裕之;桑原岳;冈崎纯一;齐藤茂 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种球焊用被覆钯的铜线，其能够提高对铝电极的接合可靠性。本发明的球焊用被覆钯的铜线中，在钯中间层表面形成包含厚度为5nm以下的极薄层的金层，在含氢的不活泼气氛中进行热处理，中间层的钯侵入到金极薄层，通过微细的金相和钯相进行三维生长的层岛混合模式生长，形成金-钯混杂层。在热处理过程中，钯吸收氢，在热处理后进行骤冷，由此使上述混杂层的钯稳定化，在熔融焊球形成时尽快熔化，随着被覆线端面的金到达端面的钯熔化，均匀微细地分散到熔融焊球表面层，抑制与铝的接合界面中的铝的氧化。
被覆 pd 球焊

[发明专利](甲基)丙烯腈的回收方法-CN201010158393.0有效
发明人： 齐藤茂;三宅高义 -专利权人：大野绿水株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C07C255/08 文献下载
摘要：本发明提供一种(甲基)丙烯腈的回收方法，可以抑制用于(甲基)丙烯腈回收的蒸馏塔的压差的上升，长期进行稳定且有效地运转。(甲基)丙烯腈的回收方法，是从含有(甲基)丙烯腈和乙腈的不饱和化合物的混合物中回收(甲基)丙烯腈的方法，其特征在于，将所述混合物到导入蒸馏塔中，在所述蒸馏塔的塔顶馏出液中含有(甲基)丙烯腈的条件下进行蒸馏，从所述蒸馏塔塔底和/或侧流抽出乙腈，进一步，从比所述乙腈的抽出位置高的位置抽出含有不饱和化合物的液体。
甲基丙烯腈回收方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200910206311.2无效
发明人： 齐藤茂 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括具有被形成在半导体衬底上并且通过线电气连接的多个半导体元件的集成电路，该方法包括：形成导电路径以与线被连接到半导体元件相类似的方式连接至半导体元件；在经由导电路径电气连接半导体元件的状态下蚀刻半导体元件；以及形成线以与导电路径被连接至半导体元件相类似的方式连接至半导体元件。
制造半导体器件方法

[发明专利]氧化膜形成方法和用于该方法的装置-CN200780031642.6有效
发明人：西口哲也;龟田直人;齐藤茂;野中秀彦;一村信吾 -专利权人：株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。
氧化形成方法用于装置

[发明专利]固态图像拾取装置及其驱动方法、以及相机系统-CN200810161456.0无效
发明人： 齐藤茂;寺户洋子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：公开了固态图像拾取装置及其驱动方法及相机系统，固态图像拾取装置包括：像素阵列，包括以矩阵配置的像素；像素信号读出单元；及定时控制单元，通过使用定时信号控制像素信号读出单元的处理。像素信号读出单元包括：多个比较器，将读出信号电位与基准电压比较以生成确定信号，并输出确定信号；以及多个计数器。每个计数器对分别对应于一个比较器的比较时间进行计数。定时控制单元(a)将预定处理周期至少分为第一次读出周期、第一比较周期、第二次读出周期和第二次比较周期，(b)将周期分为两种周期，以及(c)通过在计数器中对每个划分周期进行计数生成处理每个划分周期的定时信号。即使改变周期宽度，也不需要改变定时信号的寄存器设置值。
固态图像拾取装置及其驱动方法以及相机系统

[发明专利]害虫防治组合物-CN200480037191.3有效
发明人： 齐藤茂;谏山真二 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： A01N43/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含3，5－二氯－1－(3，3－二氯－2－丙烯基氧基)－4－[3－(5－三氟甲基吡啶－2－基氧基)丙基氧基]苯和苏云金芽孢杆菌的杀虫蛋白的害虫防治组合物等。
害虫防治组合

[发明专利]光纤熔接连结机和熔接连结方法-CN02121829.3有效
发明人： 齐藤茂;川西纪行;窪敏喜 -专利权人：株式会社藤倉
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： G02B6/255 文献下载
摘要：本发明涉及光纤熔接连结机和光纤熔接连结方法。本发明的光纤熔接连结机具有获得来自光纤10、20侧面方向的光透过图像的电视摄像头32，由该图像的光纤横断方向的辉度分布演算各光纤的模场直径、同时求出它们的径差的图像处理装置33，通过电弧放电进行放电加热的放电电极41、42，使光纤对接部对放电束位置相对移动的可移动基座57及驱动装置35，和对于在对上述对接部进行熔接用放电加热后、使放电束位置朝着被判定为模场直径小的光纤侧移动并且进行追加放电加热的对驱动装置35及放电用电源装置36进行控制的控制装置34。
光纤熔接连结方法

[发明专利]减小差频噪声的微波放大器-CN98123560.3无效
发明人： 齐藤茂 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-10-29 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：一种微波放大器，包括一偏置电路和一个滤波器单元，该偏置电路包含一微波带线路和一电容器，以用DC电压对FET的输出线路进行偏置，滤波器单元用一个低通滤波器或一带阻滤波器及一个电容器串联在输出线和地之间来实现。该滤波器单元使包括在FET输入信号中的两个载波信号所产生的脉动频率通过，而在输出线上保留载波信号。
减小噪声微波放大器

[发明专利]酰氨基硫代磷酸酯衍生物和以其为有效成分的杀虫剂,杀线虫剂和杀螨剂-CN94109022.1无效
发明人：吉井丰;齐藤茂;伊藤义一;佐佐木满 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 1994-08-09 - 公布日： 2000-04-12 - 主分类号： C07F9/165 文献下载
摘要：本发明涉及式Ⅱ所示的酰氨基硫代磷酸酯衍生物和含有此化合物为有效成分的杀虫剂，杀线虫剂和杀螨剂；在式Ⅱ中Ｒ1是甲基或乙基；R2是正丙基或仲丁基；R3是C1-C4－烷氧基，C1-C4－烷硫基，苯基或苯氧基；和ｎ代表１或２。
氨基硫代磷酸衍生物以其有效成分杀虫剂线虫杀螨剂

[发明专利]二卤代丙烯化合物,含有之作为活性成分的杀虫剂,以及其生产中间体-CN96194792.6无效
发明人：松尾三四郎;广濑太郎;泉惠一;铃木雅也;坂本典保;对马和礼;齐藤茂;高野仁孝 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 1996-04-11 - 公布日： 1998-07-15 - 主分类号： C07C233/69 文献下载
摘要：本发明提供通式[Ⅰ]的二卤代丙烯化合物,其中R1是C1－C10－烷基等;L是C(=O)NH等;R2、R3和R4独立地是卤素等;R5、R6和R7独立地是氢等;m是0至4的整数;n是0至2的整数;X是氯等;Y是氧等;且Z是氧等。上述化合物具有优异的杀虫活性,因此它们在防治有害昆虫上有令人满意的效果。
二卤代丙烯化合物含有作为活性成分杀虫剂及其生产中间体

[发明专利]腙化合物和含有作为活性成分的该化合物的杀虫剂-CN94107618.0无效
发明人：广濑太郎;泷敏晃;富冈广树;岸田博;齐藤茂 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 1994-10-06 - 公布日： 1995-07-12 - 主分类号： C07C251/86 文献下载
摘要：本发明提供了式I的腙化合物其中R1和R2可以相同或不同，分别是氢、C1-C2烷基、C1-C2烷氧基、甲氧基甲基或氰基甲基，其前提是R1和R2不能同时是氢；R3是三氟甲基或甲基；X是卤素，和含有作为活性成分的该腙化合物的杀虫剂。该腙化合物具有好的杀虫活性和对哺乳动物具有低的急性毒性。
化合物含有作为活性成分杀虫剂

[其他]多层陶瓷电路板-CN86103221无效
发明人：及川升司;山岸裕;齐藤茂;藤田毅;渡部隆好 -专利权人：株式会社日立制造所
申请日： 1986-04-12 - 公布日： 1987-04-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电路板及其制造方法。这种多层陶瓷电路板的布线图形中有多层结构，而多层结构又包括第一和第二导电层(例如，分别为钨层和铜厚膜)，而扩散层位于第一和第二导电层间，以改善其粘合性能。这样一来，多层结构就设置了第一和第二导电层以及介于其间的中间层而成，并且至少一种组分从中间层扩散到第一和第二导电层中去。这样就可以提供一种，例如钨层和铜厚膜能紧紧地粘合在一起的多层陶瓷电路板。
多层陶瓷电路板

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